<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-1138</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>ELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>НИЗКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПЛАЗМА МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Low-temperature plasma magnetron discharge</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Невлюдов</surname><given-names>И. Ш.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Nevliudov</surname><given-names>I. Sh.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>д.т.н.,  профессор,  заведующий кафедрой  компьютерно-интегрированных  технологий, автоматизации  и  мехатроники</p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sci, professor, head of computer-integrated technologies, automation and mechatronics department</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гурин</surname><given-names>В. Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gurin</surname><given-names>D. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>д.т.н., проф., профессор кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники</p></bio><bio xml:lang="en"><p>D.Sci, professor of computer-integrated technologies, automation and mechatronics department</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гурин</surname><given-names>Д. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gurin</surname><given-names>V. N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Гурин Дмитрий Валерьевич - аспирант кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники</p><p>61166, Украина, Харьков, пр. Науки, 14</p><p>тел. +38-057-702-14-86</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Gurin Dmytro Valer'evich - PG student of computer-integrated technologies, automation and mechatronics department</p><p>61166, Ukraine, Kharkiv, Science ave., 14</p><p>tel. +38-057-702-14-86</p></bio><email xlink:type="simple">dmytro.gurin@nure.ua</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Хрусталев</surname><given-names>К. Л.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Khrustalev</surname><given-names>K. L.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>к.т.н., старший преподаватель кафедры компьютерно-интегрированных технологий, автоматизации и мехатроники</p></bio><bio xml:lang="en"><p>PhD, senior lecturer of computerintegrated technologies, automation and mechatronics department</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Харьковский национальный университет радиоэлектроники</institution></aff><aff xml:lang="en"><institution>Kharkiv national university of radioelectronics</institution></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2018</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>06</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>8</issue><fpage>93</fpage><lpage>100</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Невлюдов И.Ш., Гурин В.Н., Гурин Д.В., Хрусталев К.Л., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Невлюдов И.Ш., Гурин В.Н., Гурин Д.В., Хрусталев К.Л.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Nevliudov I.S., Gurin D.V., Gurin V.N., Khrustalev K.L.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1138">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1138</self-uri><abstract><p>В статье исследуется низкотемпературная плазма магнетронного разряда устройства, используемого для синтеза диэлектрических пленок  реактивным катодным распылением [<xref ref-type="bibr" rid="cit1">1</xref>]. Целью исследования является определение температурных характеристик частиц плазмы и распыленного вещества, а также механизма образования химической связи между распыленными атомами и молекулами активного газа. Исследование состава и энергетических параметров плазмы, а также химический состав полученных при распылении частиц вещества, проведен спектроскопическим методом. Количественный состав определялся масс-спектрометром для определения состава распыленных частиц.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The article investigates a low-temperature plasma of the magnetron discharge of a device used for the synthesis of dielectric films by reactive cathode sputtering. The aim of the study is to determine the temperature characteristics of plasma particles and a sputtered substance, as well as the mechanism for the formation of a chemical bond between sputtered atoms and active gas molecules. A study of the composition and energy parameters of the plasma, as well as the chemical composition of the particles obtained by sputtering, was carried out by a spectroscopic method. The quantitative composition was determined by a mass spectrometer to determine the composition of the sputtered particles.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>магнетронная камера</kwd><kwd>масс-спектрометрия</kwd><kwd>азотная плазма</kwd><kwd>распыление</kwd><kwd>аргоновая плазма</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>magnetron chamber</kwd><kwd>mass spectrometry</kwd><kwd>nitrogen plasma</kwd><kwd>atomization</kwd><kwd>argon plasma</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Достанко А.П. Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые. Минск: Бестпринт, 2009. 199 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Dostanko A.P. Tehnologicheskie processy i sistemy v mikrojelektronike: plazmennye, jelektronno-ionnoluchevye, ul'trazvukovye. Minsk: Bestprint, 2009. 199 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гурін Д.В. Аналіз методів отримання наноструктурованих діелектричних плівок // Технология приборосроения. 2016. Вып. 3. 7 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gurіn D.V. Analіz metodіv otrimannja nanostrukturovanih dіelektrichnih plіvok // Tehnologija priborosroenija. 2016. Vyp. 3. 7 s. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Taccogna F., Dilecce G. Non-equilibrium in low-temperature plasmas // Eur. Phys. J. D (2016) 70: 251. https://doi.org/10.1140/epjd/e2016-70474-0.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Taccogna F., Dilecce G. Non-equilibrium in low-temperature plasmas // Eur. Phys. J. D (2016) 70: 251. https://doi.org/10.1140/epjd/e2016-70474-0.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Huges H.L., Baxter R.D., Phillips B. Dependence of MOS device radiation sensitivity on impurities // IEEE. 1972. № 5–19. P. 256–263.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Huges H.L., Baxter R.D., Phillips B. Dependence of MOS device radiation sensitivity on impurities // IEEE. 1972. № 5–19. P. 256–263.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гольдфарб В.М. Оптическое излучение / Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы. М.: Наука, 1971. С. 169–233.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gol'dfarb V.M. Opticheskoe izluchenie / Ocherki fiziki i himii nizkotemperaturnoj plazmy. M.: Nauka, 1971. S. 169–233. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Рогов А.В., Бурмакинский И.Ю. Исследование магнетронного разряда постоянного тока методом подвижного сеточного анода // Журнал технической физики. 2004. Т. 74, вып. 4. С. 27–30.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Rogov A.V., Burmakinskij I.Ju. Issledovanie magnetronnogo razrjada postojannogo toka metodom podvizhnogo setochnogo anoda // Zhurnal tehnicheskoj fiziki. 2004. T. 74, vyp. 4. S. 27–30. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гурин В.Н. Влияние проникающей плазмы на свойства диэлектрика и границы раздела полупроводникдиэлектрик при реактивном катодном распылении // Радиоэлектроника и информатика. 2001. № 4 (17). С. 29–32.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Gurin V.N. Vlijanie pronikajushhej plazmy na svojstva dijelektrika i granicy razdela poluprovodnikdijelektrik pri reaktivnom katodnom raspylenii // Radiojelektronika i informatika. 2001. № 4 (17). S. 29–32. (in Russ.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
