Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 8 (2016) | MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| "... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..." | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | MANAGING THE SURFACE PROPERTIES OF MATERIALS OF DISPLAY TECHNOLOGY BY MEANS OF TREATMENT IN ATMOSPHERIC DISCHARGE PLASMA | Аннотация похожие документы |
| Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, А. V. Aksyuchits, A. N. Osipov, S. V. Paceev | ||
| "... The results of research the surface of single-crystal silicon, glass, and stainless steel after ..." | ||
| № 1 (2016) | СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Сыман, А. П. Яблонский, И. А. Кашко, К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles ..." | ||
| № 6 (2019) | ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Гурбо, А. В. Клименко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
| "... The influence of silicon wafer crystallographic orientation on the formation of porous silicon ..." | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Формирование SiC методом вакуумной карбидизации на пористом кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Лобанок, С. Л. Прокопьев, С. А. Завацкий, В. П. Бондаренко, П. И. Гайдук | ||
| "... Planar-view TEM investigation revealed the formation of cubic silicon carbide layers on porous ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Д. В. Шестовский | ||
| "... ) silicon wafers were used as initial samples. The samples were preliminarily oxidized at 1000 °C ..." | ||
| № 4 (2017) | ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко | ||
| "... of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate ..." | ||
| № 8 (2017) | ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Завацкий, А. В. Бондаренко | ||
| "... silicon are presented. Porosity of the porous silicon samples was calculated by two gravimetric methods ..." | ||
| № 2 (2018) | РАЗЛОЖЕНИЕ МОНОГИДРИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАТИНО-РЕНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ КАТАЛИЗАТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Д. Ф. Кузнецов, Я. С. Воронец | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... the rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing ..." | ||
| № 1 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Шерстнёв, Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, В. А. Петрович, В. А. Пилипенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average ..." | ||
| № 4 (2019) | РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers ..." | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько | ||
| "... from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук | ||
| "... silicon on the parameters of the formed devices, such as the light emission voltage and the stability ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Конструкция и характеристики неохлаждаемых болометрических инфракрасных решеток на основе аморфного кремния | Аннотация похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко, К. В. Корсак, Динь Ха Дао | ||
| "... with the silicon CMOS technology, and high detecting performance; therefore recently it became a hot spot ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Charge properties and currents in the silicon/nanoparticles of zinc oxide heterostructure irradiated by the solar light | Аннотация похожие документы |
| A. A. Kuraptsova, A. L. Danilyuk | ||
| "... Silicon/zinc oxide heterostructures have shown themselves to be promising for use in photovoltaics ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Статические радиационные поля малых размеров и детекторы для относительной дозиметрии малых полей в дистанционной лучевой терапии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Пискунов, И. Г. Тарутин | ||
| "... for the character. The analysis revealed that liquid ionization chambers, silicon diodes, diamond detectors, organic ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Я. Д. Галкин, А. В. Кунц, В. Р. Стемпицкий, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... on the master slice array MN2XA030 for silicon photomultiplier tubes. The amplifier is called ADPreampl3 ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ле Динь Ви, А. А. Лешок, А. В. Долбик, С. Л. Перко, С. К. Лазарук | ||
| "... The paper analyzes the parameters of silicon avalanche LEDs and their use for electron-optical ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Т. Фам, С. Е. Максимов, Е. А. Уткина, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... fabricated by rapid chemical vapor deposition of graphitic carbon nitride (g-C3N4) from melamine onto silicon ..." | ||
| Том 23, № 2 (2025) | Синтез пленочных сплавов кремний-германий на основе химически формируемых слоев пористого кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов | ||
| "... Formation of silicon-germanium alloy films by electrochemically filling a porous silicon matrix ..." | ||
| № 1 (2017) | СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина | ||
| № 2 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко | ||
| "... The results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal-assisted ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... The use of porous silicon in the field of superconducting nanoelectronics is considered ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of refractory metals and semiconductor silicides, one-dimensional structures of silicon, А3В5 semiconductors ..." | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The possibility of pyrolytic synthesis of composite heterosystems based on macroporous silicon ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Стабильность характеристик физических генераторов случайных чисел | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. О. Пикуза, С. Ю. Михневич, А. Ю. Сенкевич | ||
| "... of photons is estimated. The oscillator under study consists of an LED and a compact silicon photomultiplier ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Формирование отверстий в кремниевой подложке 3D-электронного модуля лазерным излучением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Ланин, В. Т. Фам, А. И. Лаппо | ||
| "... Laser heating is a promising method for through-silicon-via (TSV) formation ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
| "... We have studied residual mechanical stresses of SiNx films deposited on silicon substrates from ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| У. П. Лопато, Д. Д. Лапутько, Н. Л. Гревцов, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon obtained by anodizing heavily doped plates of single-crystal silicon with electron conductivity ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Выбор траектории движения лазерного луча для формирования переходных отверстий в кремниевой подложке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Лаппо | ||
| "... technology. To implement the latter, it is necessary to form vias in the silicon wafer. When creating vias ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко | ||
| "... Solid-state recrystallization of the surface silicon layer after chemical and mechanical polishing ..." | ||
| 1 - 38 из 38 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
