Для цитирования:

Ковальчук Н.С., Омельченко А.А., Пилипенко В.А., Солодуха В.А., Шестовский Д.В. Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки. Доклады БГУИР. 2021;19(4):103-112. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-4-103-112

For citation:

Kovalchuk N.S., Omelchenko A.A., Pilipenko V.A., Solodukha V.A., Shestovski D.V. Formation of a gate dielectric of nanometer thickness by rapid thermal treatment. Doklady BGUIR. 2021;19(4):103-112. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-4-103-112