Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-124-6-31-37

Полный текст:

Аннотация

Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках дырочного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучены закономерности роста слоев и зависимость их пористости от длительности анодирования и плотности анодного тока. Получена математическая модель роста слоев пористого кремния.  

Об авторах

А. Д. Гурбо
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Гурбо Александра Дмитриевна, студентка кафедры микрои наноэлектроники

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6



А. В. Клименко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Студент кафедры микрои наноэлектроники

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6



В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Кандидат технических наук, доцент, заведующий НИЛ 4.3 НИЧ

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6



Список литературы

1. Uhlir A. Electrolytic Shaping of Germanium and Silicon // Bell System Technical Journal. 1956. doi.org/10.1002/j.1538-7305.1956.tb02385.x

2. Меликджанян Г.А., Мартиросян Х.С. Анализ характеристик пленок пористого кремния, полученного на монокристаллическом кремнии p-типа // Изв. НАН Армении, сер. Физика. 2012. Т. 47, № 3. С. 201–206.

3. Формирование и структура мезопористого кремния / Н.И. Каргин [и др.] // Материалы электронной техники. 2013. № 4. С. 4–6.

4. Бондаренко В.П. Исследование процесса формирования пористого кремния и разработка на его основе межкомпонентной изоляции полупроводниковых интегральных микросхем: дисс. … канд. техн. наук. Минск, 1980.


Для цитирования:


Гурбо А.Д., Клименко А.В., Бондаренко В.П. ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ. Доклады БГУИР. 2019;(6):31-37. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-124-6-31-37

For citation:


Hurbo A.D., Klimenka A.V., Bondarenko V.P. FORMATION OF POROUS SILICON ON A HIGHLY DOPED P-TYPE MONOCRYSTALLINE SILICON. Doklady BGUIR. 2019;(6):31-37. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-124-6-31-37

Просмотров: 73


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)