Гурбо Александра Дмитриевна, студентка кафедры микрои наноэлектроники
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6
Hurbo Aliaksandra Dzmitryeuna, student of Microand Nanoelectronics Department
220013, Minsk, P. Brovka str., 6
Студент кафедры микрои наноэлектроники
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6
Student of Microand Nanoelectronics Department
220013, Minsk, P. Brovka str., 6
Кандидат технических наук, доцент, заведующий НИЛ 4.3 НИЧ
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, д. 6
PhD, associate professor, head of SRL 4.3 R&D Department
220013, Minsk, P. Brovka str., 6
Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках дырочного типа проводимости получены слои пористого кремния. Изучены закономерности роста слоев и зависимость их пористости от длительности анодирования и плотности анодного тока. Получена математическая модель роста слоев пористого кремния.
Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation. Dependencies of thickness and porosity of porous silicon layers as well as effective valence of silicon dissolution versus anodizing time and current density were obtained and analysed. A mathematical model for growth of layers of porous silicon was developed.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.