ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ
Аннотация
Приведены результаты исследования влияния времени хранения и температурной обработки образцов пористого кремния на пористость, рассчитанную по двум гравиметрическим методам: неразрушающему и разрушающему. Проведено качественное и количественное сравнение двух методов расчета пористости.
Об авторах
С. А. Завацкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. В. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника. 1978. № 15. С. 3-47.
2. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 1046-1048.
3. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме/ В.Г. Шенгуров [и др.] // Микроэлектроника. 1993. Vol. 22. С. 19-21.
Рецензия
Для цитирования:
Завацкий С.А., Бондаренко А.В. ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ. Доклады БГУИР. 2017;(8):21-25.
For citation:
Zavatski S.A., Bondarenko A.V. Gravimetric methods for determining porosity of anodically treated silicon: features of realization and accuracy estimation. Doklady BGUIR. 2017;(8):21-25. (In Russ.)
Просмотров: 2455
Послать статью по эл. почте 