Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ

Полный текст:

Аннотация

Приведены результаты исследования влияния времени хранения и температурной обработки образцов пористого кремния на пористость, рассчитанную по двум гравиметрическим методам: неразрушающему и разрушающему. Проведено качественное и количественное сравнение двух методов расчета пористости.

Об авторах

С. А. Завацкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. В. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Борисенко В.Е. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зарубежная электронная техника. 1978. № 15. С. 3-47.

2. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57. P. 1046-1048.

3. Выращивание методом МЛЭ гомоэпитаксиальных слоев кремния на поверхности пористого кремния после низкотемпературной очистки ее в вакууме/ В.Г. Шенгуров [и др.] // Микроэлектроника. 1993. Vol. 22. С. 19-21.


Для цитирования:


Завацкий С.А., Бондаренко А.В. ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ. Доклады БГУИР. 2017;(8):21-25.

For citation:


Zavatski S.A., Bondarenko A.V. Gravimetric methods for determining porosity of anodically treated silicon: features of realization and accuracy estimation. Doklady BGUIR. 2017;(8):21-25. (In Russ.)

Просмотров: 50


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)