МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА
Аннотация
Представлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности, коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния типа 4Н-SiC.
Об авторах
В. В. Муравьев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
д.т.н., профессор
Беларусь
д.т.н., профессор
В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Мищенко Валерий Николаевич - к.т.н., доцент
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
тел. +375-17-293-80-7
Список литературы
1. Top-Gated Epitaxial FETs on SiC-Face SiC Wafers with a Peak Transconductance of 600 mS/mm / J.S. Moon [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 2010. Vol. 31. P. 260–262.
2. Lateral Graphene Heterostructure Field-Effect Transistor / J.S. Moon [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 2013. Vol. 34, iss. 9. P. 1190–1192.
3. Туннельные полевые транзисторы на основе графена / Д.А. Свинцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 2. С. 244–250.
4. Мищенко В.Н. Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99–102.
5. First-principles analysis of electron-phonon interaction in grapheme / K.M. Borysenko [et al.] // Physical Review. 2010. Vol. B 81. P. 121412(R).
6. A temperature dependent measurement of the carrier velocity vs. electric field characteristic for as-grown and H-intercalated epitaxial graphene on SiC / M. Winters [et al.] // Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 193708.
7. Chauhan Jyotsna, Guo Jing. High-field transport and velocity saturation in grapheme // Appl. Phys. Letters. 2009. Vol. 95. P. 023120.
8. Vasileska D., Goodnick S.M. Computational Electronics. Morgan and Claypool, 2006. 2016 p.
9. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // J. of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963–1990.
10. Persson C., Lindefelt U. Dependence of energy gaps and effective masses on atomic positions in hexagonal SiC // Appl. Phys. 1997. Vol. 86, № 11. P. 5036–5039.
11. Hockney R., Eastwood J. Numerical simulation using particles. M., 1987. 640 p.
12. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.
13. Мищенко В.Н. Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора // Докл. БГУИР. 2016. № 6 (100). C. 113–116.
14. High-field transport in two-dimensional grapheme / Fang Tian [et al.] // Physical Review. 2011. Vol. B 84. P. 125450.
15. Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния // Докл. БГУИР. 2017. № 2 (104). C. 53–57.
16. Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена // Докл. БГУИР. 2017. № 6 (108). C. 42–47.
Рецензия
Для цитирования:
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА. Доклады БГУИР. 2018;(8):55-62.
For citation:
Murav'ev V.V., Mishchenka V.N. Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene. Doklady BGUIR. 2018;(8):55-62. (In Russ.)
Просмотров: 531
Послать статью по эл. почте 