Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты моделирования с использованием метода Монте-Карло процессов переноса электронов в трехмерной полупроводниковой структуре, содержащей одиночный слой графена. Использование графена, который обладает высокой подвижностью носителей заряда, высокой теплопроводностью и рядом других положительных свойств, является перспективным для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. В результате моделирования получены зависимости скорости, средней энергии, подвижности, коэффициента диффузии от длины структуры и напряженности электического поля в полупроводниковой структуре, содержащей слой графена и области из материала карбида кремния типа 4Н-SiC.

Об авторах

В. В. Муравьев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
д.т.н., профессор


В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Мищенко Валерий Николаевич - к.т.н., доцент 

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6

тел. +375-17-293-80-7



Список литературы

1. Top-Gated Epitaxial FETs on SiC-Face SiC Wafers with a Peak Transconductance of 600 mS/mm / J.S. Moon [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 2010. Vol. 31. P. 260–262.

2. Lateral Graphene Heterostructure Field-Effect Transistor / J.S. Moon [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 2013. Vol. 34, iss. 9. P. 1190–1192.

3. Туннельные полевые транзисторы на основе графена / Д.А. Свинцов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 2. С. 244–250.

4. Мищенко В.Н. Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлия // Докл. БГУИР. 2015. № 8 (94). C. 99–102.

5. First-principles analysis of electron-phonon interaction in grapheme / K.M. Borysenko [et al.] // Physical Review. 2010. Vol. B 81. P. 121412(R).

6. A temperature dependent measurement of the carrier velocity vs. electric field characteristic for as-grown and H-intercalated epitaxial graphene on SiC / M. Winters [et al.] // Appl. Phys. 2013. Vol. 113. P. 193708.

7. Chauhan Jyotsna, Guo Jing. High-field transport and velocity saturation in grapheme // Appl. Phys. Letters. 2009. Vol. 95. P. 023120.

8. Vasileska D., Goodnick S.M. Computational Electronics. Morgan and Claypool, 2006. 2016 p.

9. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // J. of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963–1990.

10. Persson C., Lindefelt U. Dependence of energy gaps and effective masses on atomic positions in hexagonal SiC // Appl. Phys. 1997. Vol. 86, № 11. P. 5036–5039.

11. Hockney R., Eastwood J. Numerical simulation using particles. M., 1987. 640 p.

12. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.

13. Мищенко В.Н. Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвора // Докл. БГУИР. 2016. № 6 (100). C. 113–116.

14. High-field transport in two-dimensional grapheme / Fang Tian [et al.] // Physical Review. 2011. Vol. B 84. P. 125450.

15. Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре из карбида кремния // Докл. БГУИР. 2017. № 2 (104). C. 53–57.

16. Муравьев В.В., Мищенко В.Н. Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена // Докл. БГУИР. 2017. № 6 (108). C. 42–47.


Для цитирования:


Муравьев В.В., Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА. Доклады БГУИР. 2018;(8):55-62.

For citation:


Murav'ev V.V., Mishchenka V.N. Simulation of the processes of the electrons transfer in the semiconductor structure based on graphene. Doklady BGUIR. 2018;(8):55-62. (In Russ.)

Просмотров: 51


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)