Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Полный текст:

Аннотация

Обобщены результаты теоретического моделирования из первых принципов атомарной структуры и свойств перспективных низкоразмерных структур из полупроводников, выполненного в Центре наноэлектроники и новых материалов Белорусского государственного университета информатики и радиоэлектроники за последние пять лет. Приведены основные обнаруженные новые свойства двумерных структур из дихалькогенидов тугоплавких металлов и полупроводниковых силицидов, одномерных структур из кремния, полупроводников А3В5 и полупроводниковых оксидов металлов, нульмерных структур из углерода - наноалмазов.

Об авторах

В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


А. В. Кривошеева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


Д. Б. Мигас
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


В. А. Пушкарчук
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


А. Б. Филонов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


В. Л. Шапошников
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


Список литературы

1. Наноэлектроника: Теория и практика / В.Е. Борисенко [и др.]. М.: Бином, 2013. 366 с.

2. Борисенко В.Е., Данилюк А.Л., Мигас Д.Б. Спинтроника. М.: Лаборатория знаний, 2017. 229 с.

3. Borisenko V.E., Ossicini S. What is What in the Nanoworld. Third, Revised and Enlarged Edition. Weinheim: Wiley-VCH, 2012. 601 p.

4. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений // Докл. БГУИР. 2017. № 4 (106). C. 70-76.

5. Electronic and optical properties of two-dimensional MoS2, WS2, and Mo0.5W0.5S2 from first-principles. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures / A.V. Krivosheeva [et al.]. Singapore: World Scientific, 2013. P. 32-35.

6. Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Докл. БГУИР. 2014. № 5 (83). С.34-37.

7. Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12(8/9). P. 654-662.

8. Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // J. of Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.

9. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура // Докл. БГУИР. 2016. № 4 (98). С. 98-101.

10. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. Зонная структура и оптические свойства дихалькогенидов молибдена и вольфрама // Вестн. Фонда фундаментальных исследований. 2016. Т. 3. С. 41-48.

11. Расчет фононных спектров двумерных кристаллов дисульфида и дителлурида молибдена / А.Ю. Алексеев [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. 2016. Т. 83 (6). С. 989-992.

12. Моделирование спектра фононов в трехкомпонентных двумерных кристаллах дихалькогенидов тугоплавких металлов / А.Ю. Алексеев [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. 2017. Т. 84 (4). С. 554-560.

13. Electronic properties of bulk and monolayer TMDs: theoretical study within DFT framework GVJ-2e method / J. Gusakova [et al.] // Phys. Status Solidi A. 2017. Vol. 214 (12). P. 1700218 (1-7).

14. Lattice thermal conductivity of transition metal dichalcogenides / A. Alexeev [et al.] // Materials Physics and Mechanics. 2018. Vol. 39 (1). P. 1-7.

15. Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Borisenko V.E. Impact of Defects on Electronic Properties of Heterostructures Constructed From Monolayers of Transition Metal Dichalcogenides // Phys. Stat. Sol. B. 2019. DOI: 10.1002/pssb.201800355.

16. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Борисенко В.Е. Влияние вакансионных дефектов и примесей на электронную структуру двумерных кристаллов MoS2, MoSе2, WS2 и WSe2 // Докл. НАН Беларуси. 2016. Т. 60, № 6. С. 48-53.

17. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л. Магнитное упорядочение в гетероструктурах на основе двумерных кристаллов дихалькогенидов тугоплавких металлов, легированных марганцем // Вестн. фонда фундаментальных исследований. 2017. Т. 80, № 2 (17). С. 106-112.

18. Кривошеева А.В., Шапошников В.Л., Алексеев А.Ю. Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов // Докл. БГУИР. 2016. № 8 (102). С. 76-81.

19. Кривошеева А.В. Перспективные полупроводниковые соединения и наноструктуры для оптоэлектроники, фотовольтаики и спинтроники // Докл. БГУИР. 2016. № 3 (97). С. 12-17.

20. Semiconducting Silicides / Ed. by V.E. Borisenko. Berlin: Springer, 2000. 348 p.

21. Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films / D.B. Migas [et al.] // Surface Science. 2018. Vol. 670, № 1. P. 51-57.

22. Electronic properties of thin BaSi2 films with different orientations / D.B. Migas [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 2017. Vol. 56, № 3. P. 05DA03.

23. Transport properties of n- and p-type polycrystalline BaSi2 / V.E. Borisenko [et al.] // Thin Solid Films. 2018. Vol. 661, № 4. P. 7-15.

24. Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range / V.E. Borisenko [et al.] // J. of Alloys and Compounds. 2019. Vol. 770, № 2. P. 710-720.

25. Role of edge facets on stability and electronic properties of III-V nanowires / / D.B. Migas [et al.] // Nano Convergence. 2015. Vol. 2. P. 14.

26. Revising morphology of №111>-oriented silicon and germanium nanowires / D.B. Migas [et al.] // Nano Convergence. 2015. Vol. 2. P. 16.

27. Orientation effects in morphology and electronic properties of anatase TiO2 one-dimensional nanostructures. I. Nanowires / D.B. Migas [et al.] // Phys. Chem. Chem. Phys. 2014. Vol. 16, № 3. P. 9479-9489.

28. Orientation effects in morphology and electronic properties of anatase TiO2 one-dimensional nanostructures. II. Nanotubes / D.B. Migas [et al.] // Phys. Chem. Chem. Phys. 2014. Vol. 16, № 3. P. 9490-9498.

29. Electronic properties of semiconducting Ca2Si silicide: From bulk to nanostructures by means of first principles calculations / D.B. Migas [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 2015. Vol. 54, № 2. P. 07JA03.

30. Theoretical study of hyperfine interactions and optically detected magnetic resonance spectra by simulation of the C291[NV]-H172 diamond cluster hosting nitrogen-vacancy center / A.P. Nizovtsev [et al.] // New Journal of Physics. 2014. Vol. 16. P. 083014(1-21).

31. Сверхтонкое взаимодействие NV центра в алмазе с атомом 13С, расположенным на оси центра: моделирование методом DFT / А.Л. Пушкарчук [и др.] // Сб. науч. ст. VIII Междунар. конф. «Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах». Минск, 2014. C. 164-169.

32. Non-flipping 13C spins near an NV center in diamond: Hyperfine and Spatial Characteristics by DFT Simulation of the C510[NV]H252 Cluster / A.P. Nizovtsev [et al.] // New Journal of Physics. 2018. Vol. 20. P. 023022 (1-15).

33. DFT simulation of hyperfine interactions in the NV hosting carbon cluster C510[NV]- H252: predictions for the «on-NV-axis» 13C sites / A.P. Nizovtsev [et al.] // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore: World Scientific, 2015. P. 24-27.

34. Non-flipping 13C nuclear spins in NV diamond: Hyperfine and spatial characteristics from DFT simulation of the NV hosting H-terminated cluster C510[NV]H252 / A.P. Nizovtsev [et al.] // Book of Abstracts of XIV International Conference on Quantum Optics and Quantum Information, Minsk, Belarus. 2015. P. 47.

35. A semiempirical description of functionalized nanodiamonds with NV color centers / A.V. Luzanov [et al.] // Funct. Mater. 2016. Vol. 23 (2). P. 268-273.

36. Стабильные ядерные спины 13C в комплексах «NV-аксиальный 13C» в алмазе: Предсказание характеристик сверхтонкого взаимодействия моделированием кластера C510[NV]H252./ А.П. Низовцев [и др.] // Материалы V Междунар. конф. «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина». Минск, 2016. С. 175-178.

37. Квантово-химическое моделирование электронных свойств функционализованных наноалмазов с центром окраски типа NV- / А.В. Лузанов [и др.] // Материалы V Междунар. конф. «Наноструктурные материалы-2016: Беларусь-Россия-Украина». Минск, 2016. С. 517-520.

38. Стабильные электронно-ядерные спиновые системы NV-13C в алмазе для квантовых технологий / А.П. Низовцев [и др.] // Изв. НАН Беларуси. 2017. № 1. С. 98-110.

39. Stable Electron-Nuclear Spin Systems NV-13C in Diamond for Quantum Technologies / A.L. Pushkarchuk [et al.] // Nonlinear Dynamics and Application: Proceeding of the 23 Annual Seminar NPCS'2017. 2017. Vol. 23. P. 150-158.

40. Robust electron-nuclear spin systems NV-13C in diamond for quantum technologies / A.P. Nizovtsev [et al.] // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore: World Scientific, 2017. P. 69-73.

41. Non-flipping 13C spins in NV diamond: Hyperfine and Spatial Characteristics by DFT Simulation of the C510[NV]H252 Cluster A.P. Nizovtsev [et al.] // Book of Abstracts and Program of XV International Conference on Quantum Optics and Quantum Information, Minsk, Belarus. 2017. P. 43.

42. Новые парамагнитные центры окраски SiV, GeV и SnV в алмазе для квантовых технологий: характеризация методами квантовой химии / А.П. Низовцев [и др.] // Сб. науч. ст. X Междунар. конф. «Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах». Минск, 2018. C. 11-14.

43. Nanojelektronika: Teorija i praktika / V.E. Borisenko [i dr.]. M.: Binom, 2013. 366 s. (in Russ.)

44. Borisenko V.E., Daniljuk A.L., Migas D.B. Spintronika. M.: Laboratorija znanij, 2017. 229 s. (in Russ.)

45. Borisenko V.E., Ossicini S. What is What in the Nanoworld. Third, Revised and Enlarged Edition. Weinheim: Wiley-VCH, 2012. 601 p.

46. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Metodika modelirovanija jelektronnyh svojstv ob'emnyh poluprovodnikovyh soedinenij // Dokl. BGUIR. 2017. № 4 (106). S. 70-76. (in Russ.)

47. Electronic and optical properties of two-dimensional MoS2, WS2, and Mo0.5W0.5S2 from first-principles. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures / A.V. Krivosheeva [et al.]. Singapore: World Scientific, 2013. P. 32-35.

48. Electronic and dynamical properties of bulk and layered MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Dokl. BGUIR. 2014. № 5 (83). S. 34-37. (in Russ.)

49. Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // Int. J. Nanotechnol. 2015. Vol. 12 (8/9). P. 654-662.

50. Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2 / A.V. Krivosheeva [et al.] // J. of Semiconductors. 2015. Vol. 36 (12). P. 122002.

51. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Modifikacija shiriny zapreshhennoj zony MoS2 pri zameshhenii atomov sery atomami tellura // Dokl. BGUIR. 2016. № 4 (98). S. 98-101. (in Russ.)

52. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Zonnaja struktura i opticheskie svojstva dihal'kogenidov molibdena i vol'frama // Vestnik Fonda fundamental'nyh issledovanij. 2016. T. 3. S. 41-48. (in Russ.)

53. Raschet fononnyh spektrov dvumernyh kristallov disul'fida i ditellurida molibdena / A.Ju. Alekseev [i dr.] // Zhurnal prikladnoj spektroskopii. 2016. T. 83 (6). S. 989-992. (in Russ.)

54. Modelirovanie spektra fononov v trehkomponentnyh dvumernyh kristallah dihal'kogenidov tugoplavkih metallov / A.Ju. Alekseev [i dr.] // Zhurnal prikladnoj spektroskopii. 2017. T. 84 (4). S. 554-560. (in Russ.)

55. Electronic properties of bulk and monolayer TMDs: theoretical study within DFT framework GVJ-2e method / J. Gusakova [et al.] // Phys. Status Solidi A. 2017. Vol. 214 (12). P. 1700218 (1-7).

56. Lattice thermal conductivity of transition metal dichalcogenides / A. Alexeev [et al.] // Materials Physics and Mechanics. 2018. Vol. 39 (1). P. 1-7.

57. Shaposhnikov V.L., Krivosheeva A.V., Borisenko V.E. Impact of Defects on Electronic Properties of Heterostructures Constructed From Monolayers of Transition Metal Dichalcogenides // Phys. Stat. Sol. B. 2019. DOI: 10.1002/pssb.201800355.

58. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. Vlijanie vakansionnyh defektov i primesej na jelektronnuju strukturu dvumernyh kristallov MoS2, MoSe2, WS2 i WSe2 // Dokl. NAN Belarusi. 2016. T. 60, № 6. S. 48-53. (in Russ.)

59. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L. Magnitnoe uporjadochenie v geterostrukturah na osnove dvumernyh kristallov dihal'kogenidov tugoplavkih metallov, legirovannyh margancem // Vestn. fonda fundamental'nyh issledovanij. 2017. T. 80, № 2 (17). S. 106-112. (in Russ.)

60. Krivosheeva A.V., Shaposhnikov V.L., Alekseev A.Ju. Vlijanie defektov na jelektronnye svojstva struktur iz sloistyh dihal'kogenidov tugoplavkih metallov // Dokl. BGUIR. 2016. № 8 (102). S. 76-81. (in Russ.)

61. Krivosheeva A.V. Perspektivnye poluprovodnikovye soedinenija i nanostruktury dlja optojelektroniki, fotovol'taiki i spintroniki // Dokl. BGUIR. 2016. № 3 (97). S. 12-17. (in Russ.)

62. Semiconducting Silicides / Ed. by V.E. Borisenko. Berlin: Springer, 2000. 348 p.

63. Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films / D.B. Migas [et al.] // Surface Science. 2018. Vol. 670, № 1. P. 51-57.

64. Electronic properties of thin BaSi2 films with different orientations / D.B. Migas [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 2017. Vol. 56, № 3. P. 05DA03.

65. Transport properties of n- and p-type polycrystalline BaSi2 / V.E. Borisenko [et al.] // Thin Solid Films. 2018. Vol. 661, № 4. P. 7-15.

66. Conductive CaSi2 transparent in the near infra-red range / V.E. Borisenko [et al.] // J. of Alloys and Compounds. 2019. Vol. 770, № 2. P. 710-720.

67. Role of edge facets on stability and electronic properties of III-V nanowires / / D.B. Migas [et al.] // Nano Convergence. 2015. Vol. 2. P. 14.

68. Revising morphology of №111>-oriented silicon and germanium nanowires / D.B. Migas [et al.] // Nano Convergence. 2015. Vol. 2. P. 16.

69. Orientation effects in morphology and electronic properties of anatase TiO2 one-dimensional nanostructures. I. Nanowires / D.B. Migas [et al.] // Phys. Chem. Chem. Phys. 2014. Vol. 16, № 3. P. 9479-9489.

70. Orientation effects in morphology and electronic properties of anatase TiO2 one-dimensional nanostructures. II. Nanotubes / D.B. Migas [et al.] // Phys. Chem. Chem. Phys. 2014. Vol. 16, № 3. P. 9490-9498.

71. Electronic properties of semiconducting Ca2Si silicide: From bulk to nanostructures by means of first principles calculations / D.B. Migas [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. 2015. Vol. 54, № 2. P. 07JA03.

72. Theoretical study of hyperfine interactions and optically detected magnetic resonance spectra by simulation of the C291[NV]-H172 diamond cluster hosting nitrogen-vacancy center / A.P. Nizovtsev [et al.] // New Journal of Physics. 2014. Vol. 16. P. 083014(1-21).

73. Sverhtonkoe vzaimodejstvie NV centra v almaze s atomom 13S, raspolozhennym na osi centra: modelirovanie metodom DFT / A.L. Pushkarchuk [i dr.] // Sb. nauch. st. VIII Mezhdunar. konf. «Fullereny i nanostruktury v kondensirovannyh sredah». Minsk, 2014. S. 164-169. (in Russ.)

74. Non-flipping 13C spins near an NV center in diamond: Hyperfine and Spatial Characteristics by DFT Simulation of the C510[NV]H252 Cluster / A.P. Nizovtsev [et al.] // New Journal of Physics. 2018. Vol. 20. P. 023022 (1-15).

75. DFT simulation of hyperfine interactions in the NV hosting carbon cluster C510[NV]- H252: predictions for the «on-NV-axis» 13C sites / A.P. Nizovtsev [et al.] // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore: World Scientific, 2015. P. 24-27.

76. Non-flipping 13C nuclear spins in NV diamond: Hyperfine and spatial characteristics from DFT simulation of the NV hosting H-terminated cluster C510[NV]H252 / A.P. Nizovtsev [et al.] // Book of Abstracts of XIV International Conference on Quantum Optics and Quantum Information, Minsk, Belarus. 2015. P. 47.

77. A semiempirical description of functionalized nanodiamonds with NV color centers / A.V. Luzanov [et al.] // Funct. Mater. 2016. Vol. 23 (2). P. 268-273.

78. Stabil'nye jadernye spiny 13C v kompleksah «NV-aksial'nyj 13C» v almaze: Predskazanie harakteristik sverhtonkogo vzaimodejstvija modelirovaniem klastera C510[NV]H252./ A.P. Nizovcev [i dr.] // Materialy V Mezhdunar. konf. «Nanostrukturnye materialy-2016: Belarus'-Rossija-Ukraina». Minsk, 2016. S. 175-178. (in Russ.)

79. Kvantovo-himicheskoe modelirovanie jelektronnyh svojstv funkcionalizovannyh nanoalmazov s centrom okraski tipa NV- / A.V. Luzanov [i dr.] // Materialy V Mezhdunar. konf. «Nanostrukturnye materialy-2016: Belarus'-Rossija-Ukraina». Minsk, 2016. S. 517-520. (in Russ.)

80. Stabil'nye jelektronno-jadernye spinovye sistemy NV-13C v almaze dlja kvantovyh tehnologij / A.P. Nizovcev [i dr.] // Izv. NAN Belarusi. 2017. № 1. S. 98-110. (in Russ.)

81. Stable Electron-Nuclear Spin Systems NV-13C in Diamond for Quantum Technologies / A.L. Pushkarchuk [et al.] // Nonlinear Dynamics and Application: Proceeding of the 23 Annual Seminar NPCS'2017. 2017. Vol. 23. P. 150-158.

82. Robust electron-nuclear spin systems NV-13C in diamond for quantum technologies / A.P. Nizovtsev [et al.] // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Singapore: World Scientific, 2017. P. 69-73.

83. Non-flipping 13C spins in NV diamond: Hyperfine and Spatial Characteristics by DFT Simulation of the C510[NV]H252 Cluster A.P. Nizovtsev [et al.] // Book of Abstracts and Program of XV International Conference on Quantum Optics and Quantum Information, Minsk, Belarus. 2017. P. 43.

84. Novye paramagnitnye centry okraski SiV, GeV i SnV v almaze dlja kvantovyh tehnologij: harakterizacija metodami kvantovoj himii / A.P. Nizovcev [i dr.] // Sb. nauch. st. X Mezhdunar. konf. «Fullereny I nanostruktury v kondensirovannyh sredah». Minsk, 2018. S. 11-14.


Для цитирования:


Борисенко В.Е., Кривошеева А.В., Мигас Д.Б., Пушкарчук В.А., Филонов А.Б., Шапошников В.Л. АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Доклады БГУИР. 2019;(2):73-84.

For citation:


Borisenko V.E., Krivosheeva A.V., Migas D.B., Pushkarchuk V.A., Filonov A.B., Shaposhnikov V.L. Atomic structure, fundamental electronic, optical and magnetic properties of low-dimensional structures of semiconductors. Doklady BGUIR. 2019;(2):73-84. (In Russ.)

Просмотров: 30


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)