Для цитирования:
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ. Доклады БГУИР. 2017;(2):53-57.
For citation:
Murav'ev V.V., Mishchenka V.N. Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures. Doklady BGUIR. 2017;(2):53-57. (In Russ.)