Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Муравьев В.В., Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ. Доклады БГУИР. 2017;(2):53-57.

For citation:


Murav'ev V.V., Mishchenka V.N. Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures. Doklady BGUIR. 2017;(2):53-57. (In Russ.)

Просмотров: 14


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)