Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-1-48-54
Аннотация
В настоящее время с развитием нанотехнологий плазмохимическое травление остается практически единственным инструментом для переноса рисунка интегральной схемы в маскирующем слое в материал подложки благодаря тому, что точность переноса рисунка соизмерима с размером ионов травящих газов. Требования к плазменной технологии: допустимые дефекты, селективность (избирательность к материалу), управление шириной линии, однородность травления становятся все более жесткими и, как следствие, более сложными в реализации. Для повышения скорости и селективности плазмохимического травления пленок нитрида кремния при обработке в плазме газовой смеси, состоящей и фторсодержащего газа и кислорода, в качестве фторсодержащего газа использован гексафторид серы с концентрацией 70–91 об.% при концентрации кислорода 9–30 об.%.
Об авторе
В. В. Емельянов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Россия
Россия
Емельянов Виктор Викторович - аспирант кафедры электронной техники и технологии.
220013, Минск, ул. П. Бровки, 6, тел. +375-29-688-75-76
Список литературы
1. Обижаев Д.Ю. Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано- и микросистемной техники. Москва: МАТИ; 2008.
2. Бордусов С.В. Плазменные СВЧ-технологии в производстве изделий электронной техники. Под. ред. А.П. Достанко. Минск: Бестпринт; 2002.
3. Григорьев Ф.И. Плазмохимическое и ионное химическое травление в технологии микроэлектроники. Москва: МГИЭиМ; 2003.
4. Абдуллаев Д.А., Зайцев А.А., Кельм Е.А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния. Нано- и микросистемная техника. 2014;2:17-19.
5. Неустроев С.А. Плазмохимические процессы микроэлектроники. Электронная промышленность. 1995;(4-5):89-91.
6. Достанко А.П., Бордусов С.В., Голосов Д.А., Завадский С.М., Колос В.В., Купо А.Н., Ланин В.Л., Лушакова М.С., Мадвейко С.И., Мельников С.Н., Петлицкий А.Н., Петухов И.Б., Солодуха В.А., Телеш Е.В. Технологии субмикронных структур микроэлектроники. Минск: Беларуская навука; 2018.
Рецензия
Для цитирования:
Емельянов В.В. Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением. Доклады БГУИР. 2022;20(1):48-54. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-1-48-54
For citation:
Emelyanov V.V. Formation of Functional Silicon Nitride Layers by Selective Plasmochemical Etching. Doklady BGUIR. 2022;20(1):48-54. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-1-48-54
Просмотров: 1436
Послать статью по эл. почте 