bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2022-20-1-48-54bsuir-3284Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSФормирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлениемFormation of Functional Silicon Nitride Layers by Selective Plasmochemical EtchingЕмельяновВ. В.EmelyanovV. V.

Емельянов Виктор Викторович - аспирант кафедры электронной техники и технологии.

220013, Минск, ул. П. Бровки, 6, тел. +375-29-688-75-76

Emelyanov Viкtor Viktorovich - Ph.D. student at the Department of Electronic Engineering and Technology.

220013, Minsk, P. Brovki st., 6, tel. +375-29-688-75-76

emeljnov@bk.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics2022010320222014854Copyright © Емельянов В.В., 20222022Емельянов В.В.Emelyanov V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3284

В настоящее время с развитием нанотехнологий плазмохимическое травление остается практически единственным инструментом для переноса рисунка интегральной схемы в маскирующем слое в материал подложки благодаря тому, что точность переноса рисунка соизмерима с размером ионов травящих газов. Требования к плазменной технологии: допустимые дефекты, селективность (избирательность к материалу), управление шириной линии, однородность травления становятся все более жесткими и, как следствие, более сложными в реализации. Для повышения скорости и селективности плазмохимического травления пленок нитрида кремния при обработке в плазме газовой смеси, состоящей и фторсодержащего газа и кислорода, в качестве фторсодержащего газа использован гексафторид серы с концентрацией 70–91 об.% при концентрации кислорода 9–30 об.%.

At present, with the development of nanotechnology, plasma-chemical etching remains practically the only tool for transferring an integrated circuit pattern in a masking layer to a substrate material due to the fact that the pattern transfer accuracy is comparable to the size of etching gas ions. Requirements for plasma technology: permissible defects, selectivity (material selectivity), line width control, etching uniformity are becoming more stringent and, as a consequence, more difficult to implement. To increase the rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing of a gas mixture consisting of both a fluorine-containing gas and oxygen, sulfur hexafluoride with a concentration of 70–91 vol.% was used as a fluorine-containing gas with an oxygen concentration of 9–30 vol.%.

нитрид кремнияплазмохимическое травлениегазовая смесьsilicon nitrideplasma-chemical etchinggas mixtureReferencesОбижаев Д.Ю. Структура и свойства функциональных слоев нитрида кремния на различных стадиях их формирования в технологии устройств нано- и микросистемной техники. Москва: МАТИ; 2008.Obizhaev D.Yu. [The structure and properties of functional layers of silicon nitride at different stages of their formation in the technology of devices of nano- and microsystem technology]. Moscow: MATI; 2008. (In Russ.)Бордусов С.В. Плазменные СВЧ-технологии в производстве изделий электронной техники. Под. ред. А.П. Достанко. Минск: Бестпринт; 2002.Bordusov S.V [Plasma microwave technologies in the production of electronic products]. Ed. by. A.P. Dostanko. Minsk: Bestprint; 2002. (In Russ.)Григорьев Ф.И. Плазмохимическое и ионное химическое травление в технологии микроэлектроники. Москва: МГИЭиМ; 2003.Grigoriev F.I. [Plasma-chemical and ion-chemical etching in microelectronic technology]. Moscow: MGIEiM; 2003. (In Russ.)Абдуллаев Д.А., Зайцев А.А., Кельм Е.А. Селективное плазмохимическое травление нитрида кремния относительно оксида кремния. Нано- и микросистемная техника. 2014;2:17-19.Abdullaev D.A., Zaitsev, A.A., Kelm, E.A. [Selective plasma-chemical etching of silicon nitride relative to silicon oxide]. Nano- and microsystem techniques. 2014;2:17-19. (In Russ.)Неустроев С.А. Плазмохимические процессы микроэлектроники. Электронная промышленность. 1995;(4-5):89-91.Neustroev S.A. [Plasma chemical processes of microelectronics]. Electronic industry.1995;(4-5):89-91. (In Russ.)Достанко А.П., Бордусов С.В., Голосов Д.А., Завадский С.М., Колос В.В., Купо А.Н., Ланин В.Л., Лушакова М.С., Мадвейко С.И., Мельников С.Н., Петлицкий А.Н., Петухов И.Б., Солодуха В.А., Телеш Е.В. Технологии субмикронных структур микроэлектроники. Минск: Беларуская навука; 2018.Dostanko A.P., Bordusov S.V., Golosov D.A., Zavadskij S.M., Kolos V.V., Kupo A.N., Lanin V.L., Lushakova M.S., Madvejko S.I., Mel'nikov S.N., Petlickij A.N., Petuhov I.B., Soloduha V.A., Telesh E.V. Technologies of submicron structures of microelectronics. Minsk: Belarusian Science; 2018. (In Russ.)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.