СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ
Аннотация
Об авторах
А. Д. СыманБеларусь
А. П. Яблонский
Беларусь
И. А. Кашко
Беларусь
К. В. Гирель
Беларусь
А. В. Бондаренко
Беларусь
Список литературы
1. Labunov V. // Thin Solid Films. 1986. Vol. 137. P. 123-134.
2. Labunov V., Baranov I., Bondarenko V. // Thin Solid Films. 1979. Vol. 64. P. 479-483.
3. Cullis A. G., Canham L. T. // Nature. 1991. Vol. 353. P. 335-338.
4. Bondarenko V.P. // Technical Physics Letters. 1993. Vol. 19, Issue 7. P. 463-464.
5. Canham L.T. //Adv. Mater. 1995. Vol. 7, №12. P. 1033-1036.
6. Low S.P. // Biomaterials. 2009. Vol. 30. P. 2873-2880.
7. Anglin J. // Advanced drug delivery reviews. 2008. Vol. 60. P. 1266-1277.
8. Salonen J. // Journal of controlled release. 2005. Vol. 108. P. 362-374.
9. Batchelor L. // Silicon. 2012. Vol. 4. P. 259-266.
10. Bao Z. // Nature. 2007. Vol. 446, № 8. P. 172-175.
11. An Xing // RSC Advances. 2013. Vol. 3. P. 10145-10149.
12. Koch E. C., Clement D. // Propell. Explos. Pyrotech. 2007. Vol. 32, № 3. P. 205-212.
13. Murray J. P., Flamant G., Roos C. J. / Solar Energy. 2006. Vol. 80, № 10. P. 1349-1354.
14. Voelcker N. // International autumn school; Nanostructured Materials in Biomedical Applications. Turku, 1-6 Sept. 2013. 2013. P. 5.
15. McInnes S.J.P // Appl. Mater. Interfaces. 2012. Vol. 4. P. 3566-3574.
16. Lee M. // Technical memorandum. Intrinsiq Materials. 2009. P. 9.
17. George L. / US Patent Application № 20020012681. 2002.
Рецензия
Для цитирования:
Сыман А.Д., Яблонский А.П., Кашко И.А., Гирель К.В., Бондаренко А.В. СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ. Доклады БГУИР. 2016;(1):19-25.
For citation:
Syman A.D., Yablonski A.P., Kashko I.A., Girel K.V., Bandarenka H.V. STRUCTURAL PROPERTIES OF POROUS SILICON PARTICLES FORMED BY MAGNESIOTHERMAL REDUCTION OF SILICON DIOXIDE PRODUCED FROM SILICON CONTAINING PLANTS. Doklady BGUIR. 2016;(1):19-25. (In Russ.)