bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-607Research ArticleСтатьиСТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙSTRUCTURAL PROPERTIES OF POROUS SILICON PARTICLES FORMED BY MAGNESIOTHERMAL REDUCTION OF SILICON DIOXIDE PRODUCED FROM SILICON CONTAINING PLANTSСыманА. Д.SymanA. D.noemail@neicon.ruЯблонскийА. П.YablonskiA. P.noemail@neicon.ruКашкоИ. А.KashkoI. A.noemail@neicon.ruГирельК. В.GirelK. V.noemail@neicon.ruБондаренкоА. В.BandarenkaH. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019011925Copyright © Сыман А.Д., Яблонский А.П., Кашко И.А., Гирель К.В., Бондаренко А.В., 20192019Сыман А.Д., Яблонский А.П., Кашко И.А., Гирель К.В., Бондаренко А.В.Syman A.D., Yablonski A.P., Kashko I.A., Girel K.V., Bandarenka H.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/607

Приведены результаты исследования закономерностей формирования и изучения морфологии и состава частиц пористого кремния полученных методом магнийтермического восстановления диоксида кремния, изготовленного из образцов различных видов кремнийсодержащего растительного сырья, при температуре 650 °С в атмосфере аргона.

The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles fabricated by the magnesiothermal reduction of different samples of biogenic silicon dioxide at 650 °С under an argon atmosphere are presented.

магнийтермическое восстановлениедиоксид кремнияпористый кремнийmagnesiothermal reductionsilicon dioxideporous siliconReferencesLabunov V. // Thin Solid Films. 1986. Vol. 137. P. 123-134.Labunov V. // Thin Solid Films. 1986. Vol. 137. P. 123-134.Labunov V., Baranov I., Bondarenko V. // Thin Solid Films. 1979. Vol. 64. P. 479-483.Labunov V., Baranov I., Bondarenko V. // Thin Solid Films. 1979. Vol. 64. P. 479-483.Cullis A. G., Canham L. T. // Nature. 1991. Vol. 353. P. 335-338.Cullis A. G., Canham L. T. // Nature. 1991. Vol. 353. P. 335-338.Bondarenko V.P. // Technical Physics Letters. 1993. Vol. 19, Issue 7. P. 463-464.Bondarenko V.P. // Technical Physics Letters. 1993. Vol. 19, Issue 7. P. 463-464.Canham L.T. //Adv. Mater. 1995. Vol. 7, №12. P. 1033-1036.Canham L.T. //Adv. Mater. 1995. Vol. 7, №12. P. 1033-1036.Low S.P. // Biomaterials. 2009. Vol. 30. P. 2873-2880.Low S.P. // Biomaterials. 2009. Vol. 30. P. 2873-2880.Anglin J. // Advanced drug delivery reviews. 2008. Vol. 60. P. 1266-1277.Anglin J. // Advanced drug delivery reviews. 2008. Vol. 60. P. 1266-1277.Salonen J. // Journal of controlled release. 2005. Vol. 108. P. 362-374.Salonen J. // Journal of controlled release. 2005. Vol. 108. P. 362-374.Batchelor L. // Silicon. 2012. Vol. 4. P. 259-266.Batchelor L. // Silicon. 2012. Vol. 4. P. 259-266.Bao Z. // Nature. 2007. Vol. 446, № 8. P. 172-175.Bao Z. // Nature. 2007. Vol. 446, № 8. P. 172-175.An Xing // RSC Advances. 2013. Vol. 3. P. 10145-10149.An Xing // RSC Advances. 2013. Vol. 3. P. 10145-10149.Koch E. C., Clement D. // Propell. Explos. Pyrotech. 2007. Vol. 32, № 3. P. 205-212.Koch E. C., Clement D. // Propell. Explos. Pyrotech. 2007. Vol. 32, № 3. P. 205-212.Murray J. P., Flamant G., Roos C. J. / Solar Energy. 2006. Vol. 80, № 10. P. 1349-1354.Murray J. P., Flamant G., Roos C. J. / Solar Energy. 2006. Vol. 80, № 10. P. 1349-1354.Voelcker N. // International autumn school; Nanostructured Materials in Biomedical Applications. Turku, 1-6 Sept. 2013. 2013. P. 5.Voelcker N. // International autumn school; Nanostructured Materials in Biomedical Applications. Turku, 1-6 Sept. 2013. 2013. P. 5.McInnes S.J.P // Appl. Mater. Interfaces. 2012. Vol. 4. P. 3566-3574.McInnes S.J.P // Appl. Mater. Interfaces. 2012. Vol. 4. P. 3566-3574.Lee M. // Technical memorandum. Intrinsiq Materials. 2009. P. 9.Lee M. // Technical memorandum. Intrinsiq Materials. 2009. P. 9.George L. / US Patent Application № 20020012681. 2002.George L. / US Patent Application № 20020012681. 2002.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.