ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ
Аннотация
Представлены результаты, отражающие основные аспекты экспериментальных исследований по выявлению закономерностей формирования и изучению структурных и оптических свойств наноструктурированных пленок меди, получаемых методом химического осаждения на пористый кремний из растворов солей меди и фтористоводородной кислоты для их применения в процессе декорирования поверхности кремниевых структур.
Об авторах
Л. Ю. Рощин
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. В. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Whoriskey P.J. Two chemical stains for marking p-n junctions in silicon // J. Appl. Phys. 1958. Vol. 29. P. 867-868.
2. Morinaga H., Suyama M., Ohmi T. Mechanism of metallic particle growth and metal-induced pitting on Si wafer surface in wet chemical processing // J. Electrochem. Soc. 1994. Vol. 141, № 10. P. 2834-2841.
3. Impact of the electrochemical properties of silicon wafer surfaces on copper outplating from HF solutions / I. Teedinck [et al.] // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol. 143, № 10. P. 3323-3327.
4. Lee M.K., Wang H.D., Wang J.J. A Cu seed layer for Cu deposition on silicon // Solid-State Electron. 1997. Vol. 41, № 5. P. 695-702.
5. Recommendations for the characterization of porous solids (Technical Report) / J. Rouquerol [et al.] // Pure and Applied Chemistry. 1994. № 66 (8).
6. Surface Science: An Introduction / K. Oura [et al.]. Berlin: Springer, 2003.
Рецензия
Для цитирования:
Рощин Л.Ю., Бондаренко А.В. ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ. Доклады БГУИР. 2017;(4):37-42.
For citation:
Roshchin L.Yu., Bondarenko A.V. Decoration of silicon structures by chemical deposition of nanostructured copper films on porous silicon. Doklady BGUIR. 2017;(4):37-42. (In Russ.)
Просмотров: 352
Послать статью по эл. почте 