Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ

Полный текст:

Аннотация

Представлены результаты, отражающие основные аспекты экспериментальных исследований по выявлению закономерностей формирования и изучению структурных и оптических свойств наноструктурированных пленок меди, получаемых методом химического осаждения на пористый кремний из растворов солей меди и фтористоводородной кислоты для их применения в процессе декорирования поверхности кремниевых структур.

Об авторах

Л. Ю. Рощин
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. В. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Whoriskey P.J. Two chemical stains for marking p-n junctions in silicon // J. Appl. Phys. 1958. Vol. 29. P. 867-868.

2. Morinaga H., Suyama M., Ohmi T. Mechanism of metallic particle growth and metal-induced pitting on Si wafer surface in wet chemical processing // J. Electrochem. Soc. 1994. Vol. 141, № 10. P. 2834-2841.

3. Impact of the electrochemical properties of silicon wafer surfaces on copper outplating from HF solutions / I. Teedinck [et al.] // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol. 143, № 10. P. 3323-3327.

4. Lee M.K., Wang H.D., Wang J.J. A Cu seed layer for Cu deposition on silicon // Solid-State Electron. 1997. Vol. 41, № 5. P. 695-702.

5. Recommendations for the characterization of porous solids (Technical Report) / J. Rouquerol [et al.] // Pure and Applied Chemistry. 1994. № 66 (8).

6. Surface Science: An Introduction / K. Oura [et al.]. Berlin: Springer, 2003.


Для цитирования:


Рощин Л.Ю., Бондаренко А.В. ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ. Доклады БГУИР. 2017;(4):37-42.

For citation:


Roshchin L.Y., Bondarenko A.V. Decoration of silicon structures by chemical deposition of nanostructured copper films on porous silicon. Doklady BGUIR. 2017;(4):37-42. (In Russ.)

Просмотров: 25


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)