bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-888Research ArticleСтатьиДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙDecoration of silicon structures by chemical deposition of nanostructured copper films on porous siliconРощинЛ. Ю.RoshchinL. Yu.leonid-13-99@mail.ruБондаренкоА. В.BondarenkoA. V.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиБеларусьBelarusian state university of informatics and radioelectronicsBelarus201703062019043742Copyright © Рощин Л.Ю., Бондаренко А.В., 20192019Рощин Л.Ю., Бондаренко А.В.Roshchin L.Y., Bondarenko A.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/888

Представлены результаты, отражающие основные аспекты экспериментальных исследований по выявлению закономерностей формирования и изучению структурных и оптических свойств наноструктурированных пленок меди, получаемых методом химического осаждения на пористый кремний из растворов солей меди и фтористоводородной кислоты для их применения в процессе декорирования поверхности кремниевых структур.

The results of experimental study of formation regularities, structural and optical properties of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate and hydrofluoric acid are presented. Application of the developed solution for the copper deposition on porous silicon in the decoration process of silicon structures are demonstrated.

мезопористый кремнийнаноструктурированные пленки медихимическое осаждениеporous siliconnanostructured copper filmschemical depositionReferencesWhoriskey P.J. Two chemical stains for marking p-n junctions in silicon // J. Appl. Phys. 1958. Vol. 29. P. 867-868.Whoriskey P.J. Two chemical stains for marking p-n junctions in silicon // J. Appl. Phys. 1958. Vol. 29. P. 867-868.Morinaga H., Suyama M., Ohmi T. Mechanism of metallic particle growth and metal-induced pitting on Si wafer surface in wet chemical processing // J. Electrochem. Soc. 1994. Vol. 141, № 10. P. 2834-2841.Morinaga H., Suyama M., Ohmi T. Mechanism of metallic particle growth and metal-induced pitting on Si wafer surface in wet chemical processing // J. Electrochem. Soc. 1994. Vol. 141, № 10. P. 2834-2841.Impact of the electrochemical properties of silicon wafer surfaces on copper outplating from HF solutions / I. Teedinck [et al.] // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol. 143, № 10. P. 3323-3327.Impact of the electrochemical properties of silicon wafer surfaces on copper outplating from HF solutions / I. Teedinck [et al.] // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol. 143, № 10. P. 3323-3327.Lee M.K., Wang H.D., Wang J.J. A Cu seed layer for Cu deposition on silicon // Solid-State Electron. 1997. Vol. 41, № 5. P. 695-702.Lee M.K., Wang H.D., Wang J.J. A Cu seed layer for Cu deposition on silicon // Solid-State Electron. 1997. Vol. 41, № 5. P. 695-702.Recommendations for the characterization of porous solids (Technical Report) / J. Rouquerol [et al.] // Pure and Applied Chemistry. 1994. № 66 (8).Recommendations for the characterization of porous solids (Technical Report) / J. Rouquerol [et al.] // Pure and Applied Chemistry. 1994. № 66 (8).Surface Science: An Introduction / K. Oura [et al.]. Berlin: Springer, 2003.Surface Science: An Introduction / K. Oura [et al.]. Berlin: Springer, 2003.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.