Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
| "... The influence of silicon wafer crystallographic orientation on the formation of porous silicon ..." | ||
| № 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
| № 4 (2019) | РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Исследование влияния условий подачи озоно-воздушной смеси на процесс удаления фоторезиста с поверхности кремниевой пластины | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Тихон, С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, А. Л. Барахоев, П. В. Камлач | ||
| "... films on the silicon wafers surface in an ozone environment on the conditions and parameters ..." | ||
| Том 23, № 2 (2025) | Синтез пленочных сплавов кремний-германий на основе химически формируемых слоев пористого кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов | ||
| "... Formation of silicon-germanium alloy films by electrochemically filling a porous silicon matrix ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| У. П. Лопато, Д. Д. Лапутько, Н. Л. Гревцов, В. П. Бондаренко | ||
| "... channels passing from the surface into the depth of the silicon wafer. The equivalent diameters of light ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Выбор траектории движения лазерного луча для формирования переходных отверстий в кремниевой подложке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Лаппо | ||
| "... technology. To implement the latter, it is necessary to form vias in the silicon wafer. When creating vias ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование нагрева кремниевых пластин при быстрой термической обработке на установке «УБТО 1801» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... of the silicon wafer on the lamps power and the heating time during rapid thermal processing using “UBTO 1801 ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... of a silicon wafer using rapid heat treatment (1000 °C, 20 s) on the electrical parameters of complementary ..." | ||
| № 2 (2013) | ГИДРОТЕРМАЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко | ||
| "... silicon wafers with a hydrogen passivated surface are presented. Hydrothermal deposition of undoped ZnO ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Д. В. Шестовский | ||
| "... ) silicon wafers were used as initial samples. The samples were preliminarily oxidized at 1000 °C ..." | ||
| № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of porous silicon formation by anodization of single crystalline silicon wafers ..." | ||
| № 1 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НИКЕЛЯ В МЕЗОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Долгий, С. Л. Прищепа, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... Layers of mesoporous Silicon were formed on the surface of monocrystalline silicon wafers ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ле Динь Ви, А. А. Лешок, А. В. Долбик, С. Л. Перко, С. К. Лазарук | ||
| "... and a microchannel silicon wafer used to transmit a light signal. The study of various operating modes ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко | ||
| "... treatment was determined. It has been ascertained that fast thermal treatment on silicon wafers KEF 4 ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... , silicon and silicon carbide substrates. The subject of the research is the electrical, frequency ..." | ||
| № 6 (2019) | ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Гурбо, А. В. Клименко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of refractory metals and semiconductor silicides, one-dimensional structures of silicon, А3В5 semiconductors ..." | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| № 8 (2018) | РЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... as per the wafer area during the rapid thermal treatment, not causing the thermal stresses ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко | ||
| "... silicon, quantum films and wires of silicon and germanium, nanodiamonds, nanostructured oxides of metals ..." | ||
| № 7 (2014) | ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ И СОСТАВ ПОРИСТЫХ ПЛЕНОК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ ФОРМОВКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Сасинович, В. Б. Высоцкий, С. К. Лазарук | ||
| "... and aluminium films deposited on silicon wafers is presented. Anodization process was held in the 2 % sulphuric ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... and in case of placing a various number of silicon wafers in the microwave discharge have been analyzed ..." | ||
| № 8 (2016) | MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| "... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Ап-конверсионная люминесценция в ксерогеле титаната бария, легированном эрбием и иттербием, в пористом анодном оксиде алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. И. Лашковская, А. В. Гога, А. Н. Плиговка, Е. Б. Чубенко, В. Д. Живулько, Э. В. Монайко, Н. В. Гапоненко | ||
| "... anodic alumina was fabricated either on silicon wafer or aluminum foil. The sol corresponding to xerogel ..." | ||
| № 8 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Хмыль, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Богуш, М. М. Борисик, С. М. Завадский | ||
| "... characteristics of the product, increase the number of devices produced on a semiconductor wafer, and thereby ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
| "... the wafers to a maximum temperature of 1250 °C. The first two stages of the process were carried out ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ВЛИЯНИЕ ВРЕМЕННЫХ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ НА МИКРОСТРУКТУРУ СИСТЕМЫ Pt-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. А. Горушко | ||
| "... -crystal silicon KEF 0.5 with orientation (111) by means of the magnetron platinum target sputtering ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The possibility of pyrolytic synthesis of composite heterosystems based on macroporous silicon ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронно-микроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. A. Горушко | ||
| "... silicon by means of the magnetronic sputtering of platinum with the purity of 99.95 % on the МРС 603 set ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... of the gate dielectric is ensured by its rapid thermal treatment when missing the silicon dioxide on the non ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Charge properties and currents in the silicon/nanoparticles of zinc oxide heterostructure irradiated by the solar light | Аннотация похожие документы |
| A. A. Kuraptsova, A. L. Danilyuk | ||
| "... Silicon/zinc oxide heterostructures have shown themselves to be promising for use in photovoltaics ..." | ||
| № 5 (2013) | ФОТО-, КАТОДО- И РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В АЛЮМОИТТРИЕВЫХ КОМПОЗИТАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... of anodic alumina film grown on silicon wafer. The possibility of application both of the method for high ..." | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | MANAGING THE SURFACE PROPERTIES OF MATERIALS OF DISPLAY TECHNOLOGY BY MEANS OF TREATMENT IN ATMOSPHERIC DISCHARGE PLASMA | Аннотация похожие документы |
| Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, А. V. Aksyuchits, A. N. Osipov, S. V. Paceev | ||
| "... The results of research the surface of single-crystal silicon, glass, and stainless steel after ..." | ||
| № 2 (2017) | ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| № 1 (2016) | СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Сыман, А. П. Яблонский, И. А. Кашко, К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... into account the accumulation of the main carriers in silicon near the walls of the trenches at a forward bias ..." | ||
| № 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
| № 4 (2017) | ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко | ||
| "... of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate ..." | ||
| № 2 (2018) | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич | ||
| "... of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what ..." | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Формирование SiC методом вакуумной карбидизации на пористом кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Лобанок, С. Л. Прокопьев, С. А. Завацкий, В. П. Бондаренко, П. И. Гайдук | ||
| "... Planar-view TEM investigation revealed the formation of cubic silicon carbide layers on porous ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... свидетельствует о наличии соединений с полупроводниковым (запрещенная зона от 1,65 до 2,99 эВ) и металлическим ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
| "... полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны материала канала, толщины подзатворного диэлектрика, емкости ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... parameters and reliability of integrated circuits. The resistance values of contact chains aluminum-silicon ..." | ||
| № 1 (2018) | ФОТОТОК В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ/ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ/НИКЕЛЬ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, В. А. Иванов, В. В. Колос, Б. С. Колосницын | ||
| "... silicon using the sol-gel method at the annealing temperature 750 °С. The upper nickel electrodes were ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... The use of porous silicon in the field of superconducting nanoelectronics is considered ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average ..." | ||
| № 6 (2015) | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Левченко, Л. И. Постнова, Е. Л. Труханова, В. П. Бондаренко | ||
| "... with films deposited on the monolithic silicon. ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Фототок структур кремний/титанат бария/никель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. Д. Корнилова, Е. Б. Чубенко, Н. В. Гапоненко | ||
| "... Photosensitive silicon/barium titanate/nickel structures with undoped barium titanate and doped ..." | ||
| № 1 (2016) | ВЛИЯНИЕ ПОВЕРХНОСТНОЙ СТРУКТУРЫ ТИТАНОВЫХ ИМПЛАНТАТОВ НА РЕАКЦИЮ СО СТОРОНЫ КОСТНОЙ ТКАНИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, О. В. Купреева, Д. В. Исаев, Ф. А. Горбачев, А. С. Ластовка | ||
| "... Исследовано влияние состояния поверхности крепежных накостных титановых пластин и шурупов на рост ..." | ||
| № 8 (2017) | ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Завацкий, А. В. Бондаренко | ||
| "... silicon are presented. Porosity of the porous silicon samples was calculated by two gravimetric methods ..." | ||
| № 2 (2018) | РАЗЛОЖЕНИЕ МОНОГИДРИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАТИНО-РЕНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ КАТАЛИЗАТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Д. Ф. Кузнецов, Я. С. Воронец | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... the rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова | ||
| "... порядка. Обоснован выбор кристалла ZnO в качестве полупроводниковой немагнитной матрицы для формирования ..." | ||
| № 1 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Шерстнёв, Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, В. А. Петрович, В. А. Пилипенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed ..." | ||
| № 2 (2013) | РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Углов, Н. Т. Квасов, В. М. Асташинский, Ю. А. Петухов, А. М. Кузьмицкий, И. Л. Дорошевич, С. В. Ластовский | ||
| "... Photovoltaic effect in silicon doped by the action of compression plasma pulses is investigated ..." | ||
| № 6 (2015) | УВЕЛИЧЕНИЕ МЕХАНИЧЕСКОГО ИМПУЛЬСА В МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭНЕРГИЮ ГОРЕНИЯ НАНОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Долбик, А. Ю. Зубов, С. Н. Крисевич, А. С. Сычевич, А. В. Короткевич, С. К. Лазарук, В. А. Лабунов | ||
| "... Nanostructured porous silicon impregnated by solid state oxidants has been studied in order ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Строгова | ||
| "... in a nanostructured silicon film by changing the electrical resistivity depending on the doping conditions were ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Формирование отверстий в кремниевой подложке 3D-электронного модуля лазерным излучением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Ланин, В. Т. Фам, А. И. Лаппо | ||
| "... Laser heating is a promising method for through-silicon-via (TSV) formation ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИКЕЛЯ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко | ||
| "... and Schottky barrier height of nickel films on n-type silicon (111) at their rapid thermal treatment ..." | ||
| Том 23, № 2 (2025) | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для СВЧ-диапазона частот | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, А. А. Лешок, А. В. Долбик, Л. П. Томашевич, А. Ю. Клюцкий, В. В. Дудич, В. А. Лабунов, С. А. Ефименко, Н. С. Ковальчук, Е. П. Кицюк, Р. М. Рязанов, А. С. Басаев, В. В. Светухин | ||
| "... of silicon photonics. Avalanche silicon light emitting diodes (LEDs) can serve as such a source. The article ..." | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько | ||
| "... from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук | ||
| "... silicon on the parameters of the formed devices, such as the light emission voltage and the stability ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Конструкция и характеристики неохлаждаемых болометрических инфракрасных решеток на основе аморфного кремния | Аннотация похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко, К. В. Корсак, Динь Ха Дао | ||
| "... with the silicon CMOS technology, and high detecting performance; therefore recently it became a hot spot ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Статические радиационные поля малых размеров и детекторы для относительной дозиметрии малых полей в дистанционной лучевой терапии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Пискунов, И. Г. Тарутин | ||
| "... for the character. The analysis revealed that liquid ionization chambers, silicon diodes, diamond detectors, organic ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Я. Д. Галкин, А. В. Кунц, В. Р. Стемпицкий, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... on the master slice array MN2XA030 for silicon photomultiplier tubes. The amplifier is called ADPreampl3 ..." | ||
| Том 22, № 6 (2024) | Емкостные свойства пленочных структур из графитоподобного нитрида углерода | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Т. Фам, С. Е. Максимов, Е. А. Уткина, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... fabricated by rapid chemical vapor deposition of graphitic carbon nitride (g-C3N4) from melamine onto silicon ..." | ||
| № 1 (2015) | КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ФРАГМЕНТА КЛЕТОЧНОЙ СТЕНКИ БАКТЕРИИ С ПОВЕРХНОСТЬЮ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Бурко, Я. В. Долгая, В. Р. Стемпицкий, Т. В. Романовская | ||
| "... of bacterial cell wall and silicon surface via quantum-mechanical methods. The main attention given ..." | ||
| № 2 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко | ||
| "... The results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal-assisted ..." | ||
| № 8 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР СЕРЕБРА МЕТОДОМ ИММЕРСИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... Nanostructures formed by immersion deposition of silver on porous silicon at different regimes ..." | ||
| № 8 (2015) | ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПРЯМЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш, А. П. Достанко, А. Ю. Вашуров | ||
| "... on optical performances of thin-film coatings from the silicon dioxide, received by direct deposition from ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХРОМА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьев, В. А. Пилипенко | ||
| "... of rapid thermal treatment of chromium films on n-type conductivity silicon on their resistivity ..." | ||
| Том 22, № 4 (2024) | Особенности структурно-фазовых превращений в слоях сплава Ni–Pt–V на кремнии при быстрой термической обработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, П. И. Гайдук | ||
| "... is accompanied by a redistribution of nickel and silicon atoms to the composition ∼Ni3Si at the film-substrate ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Лобанок, П. И. Гайдук | ||
| "... of silicon carbide epitaxial layers on silicon substrates during their rapid vacuum thermal treatment ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon substrates from aqueous solutions of zinc and nickel nitrates. The deposition was conducted from ..." | ||
| № 1 (2017) | СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Стабильность характеристик физических генераторов случайных чисел | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. О. Пикуза, С. Ю. Михневич, А. Ю. Сенкевич | ||
| "... of photons is estimated. The oscillator under study consists of an LED and a compact silicon photomultiplier ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
| "... We have studied residual mechanical stresses of SiNx films deposited on silicon substrates from ..." | ||
| № 8 (2012) | КОНТРОЛЬ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ SI-SIO2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зеленин | ||
| "... in structures such as silicon dioxide-monocrystal silicon substrate. The results concerning the determination ..." | ||
| № 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
| "... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
| № 4 (2014) | ПАССИВНО-МАТРИЧНЫЕ МИКРОДИСПЛЕИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. Г. Смирнов | ||
| "... on reverse biesed Schottki diodes with the structure of nanoporous Silicon-Aluminium are described. ..." | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных ..." | ||
| № 4 (2015) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА 3D И 2D РАЗМЕРНОГО Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас | ||
| "... 2Si(010) и (100) являются прямозонными полупроводниками, а поверхностные состояния приводят к ..." | ||
| № 6 (2015) | ОЦЕНКА КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА ЛАВИННЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ В РЕЖИМЕ СЧЕТА ФОТОНОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. К. Барановский, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев, О. Ю. Горбадей | ||
| "... . The silicon avalanche photodetectors noise factor depending on the supply voltage, ambient temperature ..." | ||
| № 7 (2017) | ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ TiO2 И SrTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Руденко, Л. С. Хорошко, Н. В. Гапоненко, А. В. Мудрый, Т. Ф. Райчёнок | ||
| "... on the quartz glass, monocrystalline silicon and porous anodic alumina/silicon structures. Morphology ..." | ||
| № 4 (2017) | МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... полупроводников на основе теории функционала электронной плотности и предложена методика, учитывающая особенности ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Анодная композиционная наноструктура: формирование, морфология, оптические и фотолюминесцентные свойства | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Гога, А. А. Позняк, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. Н. Плиговка | ||
| "... Two-layer Al/Nb (1000/200 nm) was deposited by sputtering using a DC magnetron method on Si wafers ..." | ||
| № 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... MoTe2. Как MoTe2, так и MoS2 в объемном состоянии являются непрямозонными полупроводниками, в то время ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Резисторная модель слоистых пленочных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Тунг Фам Ван, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... нанокристаллическими зернами полупроводника, моделировать эквивалентной схемой. В данной схеме соединенные определенным ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
| "... ферромагнетиком является CrGeTe3. Кроме того, данное соединение является полупроводником с шириной запрещенной ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Структура и морфология слоев CrSi2, сформированных при быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, Пётр Иванович Гайдук | ||
| "... The formation of chromium disilicide layers on n-type single crystal silicon substrates (111 ..." | ||
| Том 23, № 1 (2025) | Ускорение остеоинтеграции дентальных имплантатов слабым постоянным током | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Остапович, С. В. Ивашенко, И. И. Шпак | ||
| "... устройства при силе тока 15–20 мкА. В контрольной группе титановые пластины помещали в кровь без ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... on silicon dioxide on a silicon substrate with active regions, etch contact windows to active elements ..." | ||
| Том 22, № 2 (2024) | Перспективные оптические и электронные межсоединения элементов интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, Н. В. Гапоненко, Г. Г. Горох, А. А. Лешок, Д. Б. Мигас, Е. Б. Чубенко | ||
| "... interconnections of silicon integrated circuits are summarized. Examples of the use of nanostructured materials ..." | ||
| № 4 (2018) | ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. ХА. Дао, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor ..." | ||
| № 3 (2019) | ПЕРСПЕКТИВЫ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ НАНОФОТОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... with lanthanides in matrices with macro- and mesoporous silicon, porous anodic alumina and synthetic opals ..." | ||
| № 8 (2013) | ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, Б. С. Колосницын, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method ..." | ||
| № 7 (2014) | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОНДЕНСАТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. Ф. Гук, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The thin film capacitors were formed on silicon. The capacitor is based on the strontium titanate ..." | ||
| Том 23, № 2 (2025) | Проактивное мультисенсорное решение для снижения риска перегрева литий-ионных аккумуляторов | Аннотация похожие документы |
| В. С. Федосенко, Линкси Донг, Ценкси Юэ, Г. Г. Горох | ||
| "... основе металлооксидного полупроводника и платиновый датчик температуры. Причем все датчики располагаются ..." | ||
| № 3 (2014) | СТРУКТУРА И ЭЛЕМЕНТНЫЙ СОСТАВ АНОДНЫХ АЛЮМООКСИДНЫХ ПЛЕНОК, СФОРМИРОВАННЫХ В СЕРНОКИСЛОМ ЭЛЕКТРОЛИТЕ ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, О. В. Купреева, В. Б. Высоцкий, А. И. Чевычелов, А. С. Летохо | ||
| "... алюминиевых пленок, осажденных на кремниевые пластины, в сернокислом электролите высокой концентрации при ..." | ||
| № 7 (2014) | ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ДИСПЛЕЙНЫХ И ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. В. Тимошков, В. И. Курмашев, А. А. Сакова, В. Ю. Тимошков | ||
| "... , поляризаторы, оптические функциональные слои, фазовые пластины (Optical Retarders ..." | ||
| № 4 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА КОМБИНИРОВАННЫМ МЕТОДОМ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО И ПОСЛОЙНОГО АТОМНОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, В. А. Пилипенко, К. .. Топалли, А. К. Окяй | ||
| "... silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained ..." | ||
| № 3 (2014) | МЕТОДИКА И ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ФУНКЦИОНАЛЬНОГО КОНТРОЛЯ МИКРОДИСПЛЕЙНОГО МОДУЛЯ ВИДЕОПРОЕКЦИОННОГО УСТРОЙСТВА ПЕРСОНАЛЬНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. В. Пасынков, А. Г. Смирнов | ||
| "... or a LED microdisplay based on Schottky diodes nanoporous silicon- nanostructured aluminium, a Video ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
| "... зависимости таких параметров, описывающих электрический транспорт в полупроводниках, как энергия активации ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Формирование и электрохимические свойства пленок оксидов никеля и кобальта | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. А. Греков, К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Films of cobalt oxide and nickel oxide on monocrystalline silicon substrates were obtained ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... of transistors provide development of low-noise, high-speed CSAs with better parameters than silicon CSAs ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Синтез и свойства композитных материалов на основе наночастиц оксида цинка в диэлектрической матрице | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Коренькова, И. А. Тихонов, Е. Б. Чубенко | ||
| "... on a silicon substrate by centrifugation. Using scanning electron microscopy, we studied the structure ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... , significantly reducing the epitaxial recrystallization of silicon doped with aluminum on the silicon surface ..." | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Обнаружение канала утечки информации из многомодового оптического волокна при помощи кремниевого фотоумножителя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина, Т. А. Матковская | ||
| "... optical fibers for which silicon photomultipliers to detect information leakage channels can be used ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Очистка воздуха в закрытых помещениях от высокодисперсных частиц и аэрозолей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. П. Пилиневич, М. В. Тумилович, Д. М. Румянцев, К. В. Гриб, А. Г. Бунас | ||
| "... – pneumoconiosis. For example, when working in the environment containing silicon dioxide dust, workers develop one ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, К. В. Корсак, П. Э. Новиков, И. Ю. Ловшенко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. А. Степанов, А. А. Губаревич, В. В. Колос, Я. А. Соловьев, Д. С. Левчук, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... with silicon CMOS technology, and operation at room temperature. The performance of such detectors depends ..." | ||
| 1 - 116 из 116 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
