ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯ
Аннотация
Приведены результаты формирования слоев пористого кремния в пластинах монокристаллического кремния методом электрохимического анодирования с использованием импульсного гальваностатического режима. Установлены закономерности изменения структурных свойств пористого кремния в зависимости от параметров режимов формирования. Показано, что полученные данным методом слои пористого кремния характеризуются более однородной структурой, чем полученные в стационарном гальваностатическом режиме анодирования. В разработанных импульсных режимах сформированы матрицы пористого кремния с аспектным соотношением пор до 1:500.
Об авторах
Е. Б. Чубенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
С. В. Редько
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. И. Шерстнев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. А. Петрович
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Masuda H., Yotsuya M., Ishida M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. L1090-L1092.
2. Grom G.F., Lockwood D.J., McCaffrey J.P. et al. // Nature. 2000. Vol. 407. P. 358-361.
3. Granitzer P., Rumpf K. // Materials. 2010. Vol. 3. P. 943-998.
4. Carstensen J., Christophersen M., Föll H. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 23-28.
5. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 11-22.
6. Föll H., Christophersen M., Carstensen J. et al. // Mater. Sci. Eng., R. 2002. Vol. 280. P. 1-49.
7. Cheng X., Feng Z.D., Luo G.F. //Electrochim. acta. 2003. Vol. 48. P. 497-501.
8. Halimaoli A. // EMIS datareview series. 1997. Vol. 18. P. 12-22.
Рецензия
Для цитирования:
Чубенко Е.Б., Редько С.В., Шерстнев А.И., Петрович В.А., Бондаренко В.П. ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯ. Доклады БГУИР. 2015;(3):11-17.
For citation:
Chubenko E.B., Redko S.V., Sherstnyov A.I., Petrovich V.A., Bondarenko V.P. FORMATION OF POROUS SILICON IN THE PULSED GALVANOSTATIC MODE. Doklady BGUIR. 2015;(3):11-17. (In Russ.)
Просмотров: 4639
Послать статью по эл. почте 