bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-484Research ArticleСтатьиФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯFORMATION OF POROUS SILICON IN THE PULSED GALVANOSTATIC MODEЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.noemail@neicon.ruРедькоС. В.RedkoS. V.noemail@neicon.ruШерстневА. И.SherstnyovA. I.noemail@neicon.ruПетровичВ. А.PetrovichV. A.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019031117Copyright © Чубенко Е.Б., Редько С.В., Шерстнев А.И., Петрович В.А., Бондаренко В.П., 20192019Чубенко Е.Б., Редько С.В., Шерстнев А.И., Петрович В.А., Бондаренко В.П.Chubenko E.B., Redko S.V., Sherstnyov A.I., Petrovich V.A., Bondarenko V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/484

Приведены результаты формирования слоев пористого кремния в пластинах монокристаллического кремния методом электрохимического анодирования с использованием импульсного гальваностатического режима. Установлены закономерности изменения структурных свойств пористого кремния в зависимости от параметров режимов формирования. Показано, что полученные данным методом слои пористого кремния характеризуются более однородной структурой, чем полученные в стационарном гальваностатическом режиме анодирования. В разработанных импульсных режимах сформированы матрицы пористого кремния с аспектным соотношением пор до 1:500.

The results of porous silicon formation by anodization of single crystalline silicon wafers in the pulsed galvanostatic mode are presented. Correlations between pore structure and anodization process parameters were determined. It was shown, that porous silicon layers formed in pulsed mode have more uniform structure than porous silicon layers obtained in linear galvanostatic mode. Porous silicon templates with aspect ratio up to 1:500 were formed with the developed approach.

пористый кремнийимпульсное электрохимическое анодированиеполупроводниковая пористая матрицаReferencesMasuda H., Yotsuya M., Ishida M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. L1090-L1092.Masuda H., Yotsuya M., Ishida M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. Vol. 37. P. L1090-L1092.Grom G.F., Lockwood D.J., McCaffrey J.P. et al. // Nature. 2000. Vol. 407. P. 358-361.Grom G.F., Lockwood D.J., McCaffrey J.P. et al. // Nature. 2000. Vol. 407. P. 358-361.Granitzer P., Rumpf K. // Materials. 2010. Vol. 3. P. 943-998.Granitzer P., Rumpf K. // Materials. 2010. Vol. 3. P. 943-998.Carstensen J., Christophersen M., Föll H. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 23-28.Carstensen J., Christophersen M., Föll H. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 23-28.Lehmann V., Stengl R., Luigart A. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 11-22.Lehmann V., Stengl R., Luigart A. // Mater. Sci. Eng., B. 2000. Vol. 69-70. P. 11-22.Föll H., Christophersen M., Carstensen J. et al. // Mater. Sci. Eng., R. 2002. Vol. 280. P. 1-49.Föll H., Christophersen M., Carstensen J. et al. // Mater. Sci. Eng., R. 2002. Vol. 280. P. 1-49.Cheng X., Feng Z.D., Luo G.F. //Electrochim. acta. 2003. Vol. 48. P. 497-501.Cheng X., Feng Z.D., Luo G.F. //Electrochim. acta. 2003. Vol. 48. P. 497-501.Halimaoli A. // EMIS datareview series. 1997. Vol. 18. P. 12-22.Halimaoli A. // EMIS datareview series. 1997. Vol. 18. P. 12-22.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.