РЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ
Аннотация
Проведена оценка допустимой неравномерности облучения и разброса температуры по площади пластины при быстрой термической обработке, не вызывающих в ней возникновения термических напряжений, приводящих к пластическому течению или разрушению кремния. Показано, что формирование силицида платины при Т ≤ 810 °С не вызывает отрицательных явлений в кремнии и его необходимо проводить в среде азота, напуск которого в герметичную камеру осуществляется после создания в ней вакуума 10 –2 мм рт. ст.
Ключевые слова
Об авторах
В. А. СолодухаБеларусь
к.т.н., генеральный директор
В. А. Пилипенко
Беларусь
Пилипенко Владимир Александрович - д.т.н., профессор, член-корреспондент НАН Беларуси, заместитель директора по научному развитию ГЦ «Белмик-роанализ»
220108, г. Минск, ул. Казинца, 121А
тел. +375-17-212-37-41
В. А. Горушко
Беларусь
ведущий инженер ГЦ «Белмикро-анализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы»
Список литературы
1. Мьюрарка Ш.П. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с.
2. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с
3. Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. Минск: Изд. центр БГУ, 2004. 531 с.
4. Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТО / В.А. Пилипенко [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. 2015. № 1. С. 34–37.
5. Структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силивой микроэлектроники / А.С. Турцевич [и др.] // Вакуумная техника и технология. Т.16, № 4. С. 271–275.
6. Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработке / В.А. Пилипенко [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. 2006. № 2. С. 35–39.
Рецензия
Для цитирования:
Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А. РЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ. Доклады БГУИР. 2018;(8):88-92.
For citation:
Solodukha V.A., Pilipenko V.A., Gorushko V.A. Rapid thermal treatment modes of the Рt-Si system for formation of platinum silicide. Doklady BGUIR. 2018;(8):88-92. (In Russ.)