bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1137Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSРЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫRapid thermal treatment modes of the Рt-Si system for formation of platinum silicideСолодухаВ. А.SolodukhaV. A.

к.т.н.,  генеральный  директор

PhD,  general  manager

ПилипенкоВ. А.PilipenkoV. A.

Пилипенко Владимир Александрович - д.т.н., профессор, член-корреспондент НАН Беларуси, заместитель директора по научному развитию ГЦ «Белмик-роанализ»

220108, г. Минск, ул. Казинца, 121А

тел. +375-17-212-37-41

Pilipenka Uladzimir Aleksandrovich - D.Sci, professor, corresponding member of the National academy of sciences of Belarus, deputy director of science development of state center «Belmicroanalysis»

220108, Republic of Belarus, Minsk, Kazintsa st., 121A

tel. +375-17-212-37-41

office@bms.byГорушкоВ. А.GorushkoV. A.

ведущий инженер ГЦ «Белмикро-анализ»  филиала  НТЦ «Белмикросистемы»

leading engineer of state center «Belmicroanalysis»

ОАО «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»JSC «INTEGRAL» – holding managing company «INTEGRAL»201806062019088892Copyright © Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А., 20192019Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А.Solodukha V.A., Pilipenko V.A., Gorushko V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1137

Проведена оценка допустимой неравномерности облучения и разброса температуры по площади пластины при быстрой термической обработке, не вызывающих в ней возникновения термических напряжений, приводящих к пластическому течению или разрушению кремния. Показано, что формирование силицида платины при Т ≤ 810 °С не вызывает отрицательных явлений в кремнии и его необходимо проводить в среде азота, напуск которого в герметичную камеру осуществляется после создания в ней вакуума 10 –2 мм рт. ст.

Assessment is performed of the permissible nonuniformity of irradiation and temperature scatter as per the wafer area during the rapid thermal treatment, not causing the thermal stresses in it, resultant in the plastic melting or silicon disruption. It was shown, that formation of platinum silicide at Т≤ 810 °С does not cause the negative phenomena in silicon, and it should be performed in the nitrogen environment, whose flooding into the the sealed chamber is done after creation in it of vacuum of 10 –2 mm, mercury column.

интегральная микросхемабыстрая термообработкасилицид платинытермические напряженияintergrated circuitrapid thermal treatmentplatinum silicidethermal stressesReferencesМьюрарка Ш.П. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986. 176 с.M'jurarka Sh.P. Silicidy dlja SBIS. M.: Mir, 1986. 176 s. (in Russ.)Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 сKoncevoj Ju.A., Litvinov Ju.M., Fattahov Je.A. Plastichnost' i prochnost' poluprovodnikovyh materialov I struktur. M.: Radio i svjaz', 1982. 240 s. (in Russ.)Пилипенко В.А. Быстрые термообработки в технологии СБИС. Минск: Изд. центр БГУ, 2004. 531 с.Pilipenko V.A. Bystrye termoobrabotki v tehnologii SBIS. Minsk: Izd. centr BGU, 2004. 531 s. (in Russ.)Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТО / В.А. Пилипенко [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. 2015. № 1. С. 34–37.Ocenka ravnomernosti obluchenija poluprovodnikovyh plastin v kamere ustanovki BTO / V.A. Pilipenko [i dr.] // Vestn. BGU. Ser. 1. 2015. № 1. S. 34–37. (in Russ.)Структурно-морфологические особенности границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силивой микроэлектроники / А.С. Турцевич [и др.] // Вакуумная техника и технология. Т.16, № 4. С. 271–275.Strukturno-morfologicheskie osobennosti granicy razdela Si/PtSi v diodah Shottki dlja silivoj mikrojelektroniki / A.S. Turcevich [i dr.] // Vakuumnaja tehnika i tehnologija. T.16, № 4. S. 271–275. (in Russ.)Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработке / В.А. Пилипенко [и др.] // Вестн. БГУ. Сер. 1. 2006. № 2. С. 35–39.Model' termicheskogo okislenija kremnija pri bystroj termicheskoj obrabotke / V.A. Pilipenko [i dr.] // Vestn. BGU. Ser. 1. 2006. № 2. S. 35–39. (in Russ.)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.