Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ

Полный текст:

Аннотация

Проведен расчет светотеневых изображений поверхностей полупроводниковых пластин кремния, полученных методом оптической топографии. Установлена количественная зависимость между интенсивностью светотеневых пятен на топограмме и микрогеометрическими параметрами пластин. Предложено программное обеспечение и критерии количественного 3D-контроля поверхностей пластин.

Об авторах

С. Ф. Сенько
ведущий инженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Беларусь


А. С. Сенько
инженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Беларусь


В. А. Зеленин
д.т.н., профессор, заведующий сектором Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Беларусь


Список литературы

1. Pei Z.J. A study of surface grinding of 300 mm silicon wafers // Int. J. of Mashine Tools & Manufacture. 2002. Vol. 42 (3) P. 385-393.

2. Makyoh-topography study of the swirl defects in Si wafers / R. Ferenc [et al.] // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, iss. 22. Р. 8087-8091.

3. Characterization of mirror-like wafer surfaces using magic mirror method / S. Hahn [et al.] // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 423-432.

4. Kugimiya K. «MAKYOH»: The 2000 year old technology still alive // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 420-422.

5. Riesz F. Makyoh Topography for the Study of Large-Area Extended Defects in Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 171, № 1. Р. 403-409.

6. Riesz F. Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. № 33. P. 3033-3040.

7. Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Оценка размеров топографических дефектов полупроводниковых кремниевых структур. Приборы и методы измерений. 2018. Т. 9, № 1. С. 74-84.

8. Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение. 1988. 191 с.

9. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.

10. Сенько А.С., Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Количественный контроль микрогеометрии поверхности полупроводниковых пластин // Материалы VII Междунар. науч.-техн. конф. «Высокие технологии в промышленности России», Москва, 29-30 июня 2001 г. С. 269-271.

11. Прэтт У. Цифровая обработка изображений. М.: Мир. 1982. 708 с.


Для цитирования:


Сенько С.Ф., Сенько А.С., Зеленин В.А. КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ. Доклады БГУИР. 2018;(5):12-18.

For citation:


Sianko S.F., Sianko A.S., Zelenin V.A. Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers. Doklady BGUIR. 2018;(5):12-18. (In Russ.)

Просмотров: 40


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)