bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1005Research ArticleСтатьиКОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯQuantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafersСенькоС. Ф.SiankoS. F.senkosf@tut.byСенькоА. С.SiankoA. S.noemail@neicon.ruЗеленинВ. А.ZeleninV. A.noemail@neicon.ruведущий инженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»Belarusинженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»Belarusд.т.н., профессор, заведующий сектором Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»Belarus201803062019051218Copyright © Сенько С.Ф., Сенько А.С., Зеленин В.А., 20192019Сенько С.Ф., Сенько А.С., Зеленин В.А.Sianko S.F., Sianko A.S., Zelenin V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1005

Проведен расчет светотеневых изображений поверхностей полупроводниковых пластин кремния, полученных методом оптической топографии. Установлена количественная зависимость между интенсивностью светотеневых пятен на топограмме и микрогеометрическими параметрами пластин. Предложено программное обеспечение и критерии количественного 3D-контроля поверхностей пластин.

The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh topography is carried out. A quantitative relationship between the intensity of the shadow spots on the topogram and the micro geometric parameters of the silicon wafers has been established. The software for quantitative 3D-control and control criteria of the silicon wafer surfaces is proposed.

полупроводниковые пластиныоптическая топографияколичественный контрольрасчет изображенийпрограммное обеспечение контроляsemiconductor wafersoptical topographyquantitative characterizationimage calculationcontrol softwareReferencesPei Z.J. A study of surface grinding of 300 mm silicon wafers // Int. J. of Mashine Tools & Manufacture. 2002. Vol. 42 (3) P. 385-393.Pei Z.J. A study of surface grinding of 300 mm silicon wafers // Int. J. of Mashine Tools & Manufacture. 2002. Vol. 42 (3) P. 385-393.Makyoh-topography study of the swirl defects in Si wafers / R. Ferenc [et al.] // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, iss. 22. Р. 8087-8091.Makyoh-topography study of the swirl defects in Si wafers / R. Ferenc [et al.] // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, iss. 22. Р. 8087-8091.Characterization of mirror-like wafer surfaces using magic mirror method / S. Hahn [et al.] // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 423-432.Characterization of mirror-like wafer surfaces using magic mirror method / S. Hahn [et al.] // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 423-432.Kugimiya K. «MAKYOH»: The 2000 year old technology still alive // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 420-422.Kugimiya K. «MAKYOH»: The 2000 year old technology still alive // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 420-422.Riesz F. Makyoh Topography for the Study of Large-Area Extended Defects in Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 171, № 1. Р. 403-409.Riesz F. Makyoh Topography for the Study of Large-Area Extended Defects in Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 171, № 1. Р. 403-409.Riesz F. Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. № 33. P. 3033-3040.Riesz F. Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. № 33. P. 3033-3040.Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Оценка размеров топографических дефектов полупроводниковых кремниевых структур. Приборы и методы измерений. 2018. Т. 9, № 1. С. 74-84.Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Оценка размеров топографических дефектов полупроводниковых кремниевых структур. Приборы и методы измерений. 2018. Т. 9, № 1. С. 74-84.Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение. 1988. 191 с.Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение. 1988. 191 с.ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.Сенько А.С., Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Количественный контроль микрогеометрии поверхности полупроводниковых пластин // Материалы VII Междунар. науч.-техн. конф. «Высокие технологии в промышленности России», Москва, 29-30 июня 2001 г. С. 269-271.Сенько А.С., Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Количественный контроль микрогеометрии поверхности полупроводниковых пластин // Материалы VII Междунар. науч.-техн. конф. «Высокие технологии в промышленности России», Москва, 29-30 июня 2001 г. С. 269-271.Прэтт У. Цифровая обработка изображений. М.: Мир. 1982. 708 с.Прэтт У. Цифровая обработка изображений. М.: Мир. 1982. 708 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.