Сортировать по:
Выпуск | Название | |
Том 18, № 7 (2020) | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... -dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte ..." | ||
№ 7-8 (2019) | ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... on a substrate of hexagonal boron nitride are presented. Graphene is considered a promising material ..." | ||
Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
"... Investigation the effects of electron scattering in boron hexogonal nitride (h-BN) was performed ..." | ||
№ 8 (2016) | MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
"... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..." | ||
Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Емельянов | ||
"... the rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing ..." | ||
Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
"... electronic and optoelectronic devices based on gallium nitride. An extremely non-uniform distribution ..." | ||
Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Емельянов | ||
"... -chemical nitriding of the surface of the obtained current-carrying tracks until the aluminum nitride ..." | ||
Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... , graphitic carbon nitride and wide band semiconductors zinc oxide and zinc sulfide (g-C3N4/ZnO/ZnS) from ..." | ||
Том 21, № 2 (2023) | Резисторная модель слоистых пленочных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Тунг Фам Ван, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
Том 21, № 3 (2023) | Влияние алюминия на синтез графитоподобного нитрида углерода из тиомочевины | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Е. Максимов, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко, А. И. Кулак | ||
"... The synthesis of a composite material based on graphitic carbon nitride by pyrolytic decomposition ..." | ||
Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
"... is a gallium nitride high electron mobility transistor device structure. The subject of the research ..." | ||
Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
"... that for nitride films with residual stresses initially close to zero, an increase in the level of compressive ..." | ||
Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
"... based on gallium nitride. A non-uniform distribution of the dissipated power and a rise of the average ..." | ||
Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
1 - 17 из 17 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)