Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| "... Ti/Al/Ni с толщинами слоев 20/120/40 нм к гетероструктуре GaN/AlGaN с двумерным электронным газом на сапфировой ..." | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| "... /40/40 нм к гетероструктуре GaN/AlGaN с двумерным электронным газом на сапфировой подложке. Быстрый термический отжиг образцов ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| "... Cl2/N2/O2 слоев GaN, p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типов AlGaN/GaN и p-GaN/AlGaN/GaN, обусловленные изменениями ..." | ||
| Том 23, № 6 (2025) | Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв | ||
| "... подвижностью электронов на основе AlGaN/AlN/GaN с полевыми обкладками, подключенными к истоку или затвору ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... В работе с целью разработки технологии роста гетероструктур на основе Al(Ga)N исследовалось влияние ..." | ||
| Том 24, № 1 (2026) | Влияние технологических параметров осаждения диэлектрических слоев методом ICP CVD на поверхностные токи утечки в AlGaN/GaN HEMT | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Демидович, А. Д. Юник, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв | ||
| "... ) и степенью плазменного повреждения AlGaN/GaN-гетероструктур. Для минимизации деградации предложен композитный ..." | ||
| 1 - 6 из 6 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
