Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| "... contact of Ti/Al/Ni metallization with layer thicknesses of 20/120/40 nm to the GaN/AlGaN heterostructure ..." | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| "... of Ti/Al/Ni/Au metallization with layer thicknesses of 20/120/40/40 nm to the GaN/AlGaN heterostructure ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| "... in real time in AlGaN/GaN and p-GaN/AlGaN/GaN heterostructures with two-dimensional electron gas ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... In order to develop a technology for the growth of Al(Ga)N-based heterostructures, the effect ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Многослойные системы металлизации субмикронных интегральных схем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... -carrying tracks of a multilayer metallization system in the form of an isosceles trapezoid with angles ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..." | ||
| № 2 (2019) | АКАДЕМИК В.А. ЛАБУНОВ - С ЮБИЛЕЕМ! | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, Л. М. Лыньков | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... at the application of heterostructure field-effect transistors – high electron mobility transistors–as a base ..." | ||
| № 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА СТРУКТУР ИЗ СЛОИСТЫХ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев | ||
| "... Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two ..." | ||
| № 2 (2014) | НОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СВЕРХПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... on the base of porous templates and superconductor - ferromagnet heterostructures are presented shortly ..." | ||
| № 5 (2016) | THE EFFECT OF SURFACTANTS ON SUPERCONFORMAL DEPOSITION OF ELECTROLESS COMPOSITES IN NANOSCALE PATTERNS | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| "... Electroless plating of metal composites has been proposed as a promising method for metallization ..." | ||
| № 1 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА КОМПОЗИТОВ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА БАРИЯ, СОДЕРЖАЩИХ АТОМЫ МЕТАЛЛОВ, И ИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Я. .. Мацуткевич, М. Н. Сарасеко, О. Г. Поддубская, А. В. Петров, Н. А. Каланда, А. А. Климза, О. В. Игнатенко, П. Н. Киреев | ||
| "... and Ni are prepared by a complex ceramic technology. This technology includes metallization procedures ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... A simulation procedure for analyzing the electrical and optical characteristics of an AlGaN/GaN ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Charge properties and currents in the silicon/nanoparticles of zinc oxide heterostructure irradiated by the solar light | Аннотация похожие документы |
| A. A. Kuraptsova, A. L. Danilyuk | ||
| "... Silicon/zinc oxide heterostructures have shown themselves to be promising for use in photovoltaics ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... of the dissipated power and a rise in the average temperature in the gallium nitride heterostructure field-effect ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... (450 °C, 7 s) to form an ohmic contact between two layers of aluminum metallization on the electrical ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Структура и морфология слоев CrSi2, сформированных при быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, Пётр Иванович Гайдук | ||
| "... in microelectronics for forming rectifying contacts and interconnects metallization for integrated circuits, as well ..." | ||
| Том 22, № 5 (2024) | Влияние быстрой термообработки при формировании контактов алюминий-поликремний на электрические параметры КМОП микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... circuits during the formation of ohmic contact between aluminum metallization and polysilicon is considered ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | COLOR AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND THEIR VARIATION DURING AGING | Аннотация похожие документы |
| A. L. Gurskii, M. V. Masheda | ||
| "... the semiconductor heterostructure, and the broad “yellow” band from luminophor, the last band is nonelementary ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Energy levels of an electron in a circular quantum dot in the presence of spin-orbit interactions | Аннотация похожие документы |
| А. V. Baran, V. V. Kudryashov | ||
| "... The two-dimensional circular quantum dot in a double semiconductor heterostructure is simulated ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... on AlGaN / GaN using different substrate materials has implemented. The influence of the percentage of Al ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... to determine the characteristics of electron transfer in heterostructure semiconductor devices. A research ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... heterostructure devices containing layers of graphene and other semiconductor materials. ..." | ||
| Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... the characteristics of electron transfer in the heterostructure of a semiconductor devices containing layers ..." | ||
| 1 - 27 из 27 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
