Для цитирования:

Демидович С.А., Юник А.Д., Ковальчук Н.С., Соловьёв Я.А. Влияние технологических параметров осаждения диэлектрических слоев методом ICP CVD на поверхностные токи утечки в AlGaN/GaN HEMT. Доклады БГУИР. 2026;24(1):5-12. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-1-5-12

For citation:

Demidovich S., Yunik A., Kovalchuk N., Solovjov J. The Influence of Technological Parameters of Deposition of Dielectric Layers by the ICP CVD Method on Surface Leakage Currents in AlGaN/GaN HEMT. Doklady BGUIR. 2026;24(1):5-12. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-1-5-12