Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... the thermal phenomena that occur in the gallium nitride high-electron mobility transistor with a graphene ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... -dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte ..." | ||
| Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... . At present, material h-BN, together with graphene, is considered to be one of the most promising materials ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... transfer in semiconductor devices containing layers of graphene and hexagonal boron. ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
| "... heterostructure devices containing layers of graphene and other semiconductor materials. ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... . The creation of modern semiconductor devices requires the introduction of new materials. Graphene is one ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor ..." | ||
| № 6 (2017) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ РАССЕИВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДИНОЧНОМ СЛОЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... , makes graphene a promising material for the creation of new semiconductor devices with good output ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... structures formed on sapphire, each of whom features both a graphene heat-eliminating element on its top ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| "... Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties was performed. At present, graphene ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... , graphitic carbon nitride and wide band semiconductors zinc oxide and zinc sulfide (g-C3N4/ZnO/ZnS) from ..." | ||
| № 2 (2017) | ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян | ||
| № 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко | ||
| "... and semiconductors, nanostructures with the effect of tunneling magnetoresistance, nanodimensional HfO2 films ..." | ||
| № 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Резисторная модель слоистых пленочных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Тунг Фам Ван, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
| "... by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors ..." | ||
| Том 21, № 1 (2023) | Электромагнитная активизация салициловой кислоты в комплексе с оксидированной цинк-графеновой структурой | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Ю. Калискаров, Е. А. Зелковский, Д. В. Радюк | ||
| "... molecules per se (SA) through the ultrasonic (20 kHz) complexation with oxidized zinc-graphene structure ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of promising low-dimensional structures from semiconductors, performed for the past five years at the Center ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Воздействие ультразвука на нестероидные противовоспалительные лекарства в комплексных соединениях нанокомпозитов на основе оскидов меди, железа, цинка и графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. А. Михновец, А. Н. Ткач, В. С. Федосенко, Д. В. Радюк | ||
| "... This work aims at the formation of nanocomposites based on graphene and metal oxides (copper-iron ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Кроссовер слабая локализация – слабая антилокализация в двумерных материалах со спин-орбитальным взаимодействием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа | ||
| "... In this paper, the patterns of manifestation of weak localization and antilocalization in graphene ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... of compounds with a semiconductor (band gap from 1.65 to 2.99 eV) and metallic type of conductivity. The direct ..." | ||
| № 4 (2017) | МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... semiconductors based on the electron density functional theory is performed and a technique taking into account ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова | ||
| "... systems are presented. It has been shown that ZnO crystal may be used as a semiconductor non-magnetic ..." | ||
| № 7 (2012) | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк | ||
| "... The structural scheme, band diagram, working principle and electrical properties of semiconductor ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... nitride heterostructure field-effect transistor with an effective graphene heat-removal system ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... characteristic of Schottky diodes with a metal – oxide – semiconductor (MOS) trench structure, which takes ..." | ||
| № 8 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Хмыль, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Богуш, М. М. Борисик, С. М. Завадский | ||
| "... Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump semiconductor ..." | ||
| № 4 (2015) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА 3D И 2D РАЗМЕРНОГО Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас | ||
| "... ) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties because of surface ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | NEW WAY TO CREATE HIGH-SPEED LCD’S BASED ON THE USE OF MODIFIED NANOMATERIALS | Аннотация похожие документы |
| V. I, Lapanik, A. P. Lugovsky, S. N. Timofeev | ||
| "... modified nanoparticles of detonation diamonds, partially reduced graphene and nanoclay. The purpose ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... реализации. Для повышения скорости и селективности плазмохимического травления пленок нитрида кремния при ..." | ||
| № 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... азотирование поверхности полученных токоведущих дорожек до достижения толщины нитрида алюминия 10–50 нм. Данная ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Влияние алюминия на синтез графитоподобного нитрида углерода из тиомочевины | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Е. Максимов, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко, А. И. Кулак | ||
| "... Исследован процесс формирования композитного материала на основе графитоподобного нитрида углерода ..." | ||
| № 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
| "... and MoS2 compounds in a bulk phase are indirect-gap semiconductors while one monomolecular layer of MoS2 ..." | ||
| Том 21, № 1 (2023) | Разработка электродов нового поколения для регистрации биоэлектрических потенциалов сердца | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Лемешко, С. Н. Васюкевич, С. В. Губкин | ||
| "... (reduced graphene oxide or a diamond-like coating) on a plastic (film) substrate. The emphasis of modern ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
| "... under study, CrGeTe3 is a semiconductor nanosized ferromagnet. In addition, one is a semiconductor ..." | ||
| № 2 (2016) | СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА АЛЬТЕРНАТИВНЫХ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И ДИАГНОСТИКИ МОНТАЖНЫХ КОНСТРУКЦИЙ «П/П КРИСТАЛЛ - ПОДЛОЖКА» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. С. Волкенштейн, И. В. Дайняк, А. А. Хмыль | ||
| "... been earlier expanded concerning to study “semiconductor chip - substrate” assemblies peculiarity, has ..." | ||
| № 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... For semiconductor devices of high power, the authors experimentally obtained of models ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... semiconductor compound (IGZO) for active-matrix displays addressing formed by magnetron plasma-chemical ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab initio calculations of electronic band structure of CdMnS semimagnetic semiconductors | Аннотация похожие документы |
| М. А. Mehrabova, N. T. Panahov, N H. Hasanov | ||
| "... This work is devoted to theoretical investigations of Cd1-xMnxS semimagnetic semiconductors (SMSC ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Модель прогнозирования времени тестирования компьютерной программы автоматизированной оценки надежности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
| "... products, including semiconductor devices. At the stage of work planning on the creation of the KLASS ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
| "... reliable semiconductor devices in electronic equipment. Experimental studies and the example of high-power ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... of the semiconductor. The ideal behavior of the base current versus the emitter-based voltage is maintained by applying ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| Том 20, № 2 (2022) | Косвенное обменное взаимодействие в углеродных нанотрубках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. В. Кухарев, В. А. Зайцев, С. Л. Прищепа | ||
| "... to graphene, as well as possible defects and the presence of FNP. IEC is realized by means of p-electrons ..." | ||
| № 5 (2015) | ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СЛОЕВ AlN, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДАМИ РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО И ИОННО-ЛУЧЕВОГО РАСПЫЛЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Ермоленко, А. П. Достанко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский | ||
| "... Исследованы оптические характеристики тонких пленок нитрида алюминия, нанесенных методами ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... транзистора. Объект исследования – приборная структура нитрид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| "... The boundary-value problem on impurity and point defect diffusion in the 2-layer semiconductor ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Влияние ориентации каналов в кулерах воздушного охлаждения на эффективность отведения тепла от процессоров | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, А. Н. Беликов, Д. Г. Рыбаков | ||
| "... such powerful semiconductor devices as processors are presented. Experiments were performed in the SOLIDWORKS ..." | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Схема поляризационного разнесения для масштабирования сети WDM/TDM GPON до 60 км с использованием полупроводниковых оптических усилителей на квантовых точках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Тусупов, А. Т. Тохметов, Н. И. Листопад | ||
| "... , the suburbs and the countryside. To solve this problem, it is proposed to use quantum dot semiconductor ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
| "... Individual forecasting of the reliability of semiconductor devices, taking into account gradual ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
| "... photonic treatment. Passivation by nitrogen atoms of deformations at the dielectric/semiconductor interface ..." | ||
| № 8 (2013) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Цырельчук, В. В. Хорошко, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
| "... of the parameters describing the electric transport in semiconductors, such as activation energy, non-equilibrium ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... and dopant atoms in the doped semiconductor, which in turn changes the position of the corresponding levels ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... metal-oxide-semiconductor microcircuits has been established. The analyzed characteristics of n- and p ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
| "... are important for creating of nitride-based UV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high ..." | ||
| № 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
| "... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
| № 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА НА НАДЕЖНОСТЬ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. .. Атаев | ||
| "... The cooling systems for semiconductor integrated circuits with high degree of integration ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Energy levels of an electron in a circular quantum dot in the presence of spin-orbit interactions | Аннотация похожие документы |
| А. V. Baran, V. V. Kudryashov | ||
| "... The two-dimensional circular quantum dot in a double semiconductor heterostructure is simulated ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Modeling AlGaN p-i-n photodiodes | Аннотация похожие документы |
| N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov, M. V. Borushko | ||
| "... of interaction of a semiconductor with EM radiation, we used a model based on the use of an element ..." | ||
| № 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency ..." | ||
| № 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
| "... -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных ..." | ||
| № 7 (2017) | ФЛУОРЕСЦЕНТНАЯ ДИАГНОСТИКА КАРИЕСА ЗУБОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Ляшенко, М. П. Самцов, Е. С. Воропай, А. В. Бутвиловский, В. Р. Гайфуллина, М. В. Бобкова | ||
| "... of the specially designed spectrometric system with excitation by a semiconductor laser source with a wavelength ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | COLOR AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND THEIR VARIATION DURING AGING | Аннотация похожие документы |
| A. L. Gurskii, M. V. Masheda | ||
| "... the semiconductor heterostructure, and the broad “yellow” band from luminophor, the last band is nonelementary ..." | ||
| № 5 (2016) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Богородь, С. А. Волчёк, Д. Б. Мигас | ||
| "... and different morphologies are presented. It's found that Ca2Si<001> nanowires are direct bandgap semiconductors ..." | ||
| № 6 (2013) | КАЛИБРОВКА СИСТЕМЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОВОДНИКОВ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Н. Губчик | ||
| "... of estimation position of the conductor connecting the semiconductor chip and the substrate. A nonlinear model ..." | ||
| Том 22, № 2 (2024) | Ионно-плазменные системы в технологии тонких пленок | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. П. Достанко, С. И. Мадвейко, Е. В. Телеш, С. Н. Мельников, С. М. Завадский, Д. А. Голосов | ||
| "... углерода (α-С) и нитрида углерода (СNх). Показаны преимущества непрерывного режима электропитания ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
| "... When evaluating the individual reliability of semiconductor devices by gradual failures ..." | ||
| № 6 (2012) | КОНТРОЛЬ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев | ||
| "... in the consideration of functional units, and allows to define the scope of preserving the integrity of semiconductor ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... for the loss of OAmp3 performance is an increase of the resistance of semiconductor resistors by almost 5 ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... change caused by its partial loading with semiconductor wafers leads to the decrease of resonator’s total ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | First-principles study of stability and electronic properties of single-element 2D materials | Аннотация похожие документы |
| D. C Hvazdouski | ||
| "... indicates the presence of insulators (N2), semiconductors (P2, As2, Bi2, Sb2), semimetals, and metals among ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | КОНДЕНСАТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА БАРИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, К. В. Шейдакова, В. И. Крымский, В. А. Филипеня, Т. В. Петлицкая, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий | ||
| "... monochromatic CuKα radiation. Capacitance-voltage characteristics were obtained using a B1500A semiconductor ..." | ||
| 1 - 81 из 81 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
