КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация
Об авторах
В. С. ВолчёкБеларусь
Д. ХА. Дао
Беларусь
И. Ю. Ловшенко
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Беларусь
Список литературы
1. Наука за рубежом. Ежемесячное обозрение. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.issras.ru/global_science_review. - Дата доступа: 30.10.2015.
2. Мейджера Дж. К. М. Интеллектуальные сенсорные системы. М., 2011.
3. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 68-76.
4. Колотун О. // CHIP NEWS Украина. 2013. № 2 (122). С. 2-6.
5. Nariaki Ikeda, Jiang Li, Sadahiro Kato u.a. // Furukawa Review. 2006. № 29. P. 1-6.
6. Jeong-Sun Moon, Nicholas Prokopuk, Kyung-Ah Son. GaN-based sensor nodes for in situ detection of gase / Patent US 7,403,113 B2.
7. Vitushinsky R. Electrochemical sensor comprising a 2-dimensional electron gas layer (2DEG) and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor / Patent EP 2 479 563 B1.
8. Vinod Kumar Khanna // Frontiers in Sensors (FS). 2013. N3
9. Taking S., MacFarlane D., Wasige E. // Hindawi Publishing Corporation Active and Passive Electronic Components Volume. 2011. Article ID 821305.
10. Victory Process User’s Manual User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: victoryprocess_users.pdf. - Дата доступа: 30.10.2015.te materials.
Рецензия
Для цитирования:
Волчёк В.С., Дао Д.Х., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Доклады БГУИР. 2015;(7):99-105.
For citation:
Volchek V.S., Dao D.H., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R. CONSTRUCTION AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICSOF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS SENSORS. Doklady BGUIR. 2015;(7):99-105. (In Russ.)