Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Полный текст:

Аннотация

Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga в соединении Alх Gaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора.

Об авторах

В. С. Волчёк
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Д. ХА. Дао
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Наука за рубежом. Ежемесячное обозрение. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.issras.ru/global_science_review. - Дата доступа: 30.10.2015.

2. Мейджера Дж. К. М. Интеллектуальные сенсорные системы. М., 2011.

3. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 68-76.

4. Колотун О. // CHIP NEWS Украина. 2013. № 2 (122). С. 2-6.

5. Nariaki Ikeda, Jiang Li, Sadahiro Kato u.a. // Furukawa Review. 2006. № 29. P. 1-6.

6. Jeong-Sun Moon, Nicholas Prokopuk, Kyung-Ah Son. GaN-based sensor nodes for in situ detection of gase / Patent US 7,403,113 B2.

7. Vitushinsky R. Electrochemical sensor comprising a 2-dimensional electron gas layer (2DEG) and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor / Patent EP 2 479 563 B1.

8. Vinod Kumar Khanna // Frontiers in Sensors (FS). 2013. N3

9. Taking S., MacFarlane D., Wasige E. // Hindawi Publishing Corporation Active and Passive Electronic Components Volume. 2011. Article ID 821305.

10. Victory Process User’s Manual User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: victoryprocess_users.pdf. - Дата доступа: 30.10.2015.te materials.


Для цитирования:


Волчёк В.С., Дао Д.Х., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ. Доклады БГУИР. 2015;(7):99-105.

For citation:


Volchek V.S., Dao D.H., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R. CONSTRUCTION AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICSOF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS SENSORS. Doklady BGUIR. 2015;(7):99-105. (In Russ.)

Просмотров: 63


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)