bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-577Research ArticleСтатьиКОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВCONSTRUCTION AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICSOF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS SENSORSВолчёкВ. С.VolchekV. S.noemail@neicon.ruДаоД. ХА.DaoD. HA.noemail@neicon.ruЛовшенкоИ. Ю.LovshenkoI. Yu.noemail@neicon.ruСтемпицкийВ. Р.StempitskyV. R.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus2015030620190799105Copyright © Волчёк В.С., Дао Д.Х., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., 20192019Волчёк В.С., Дао Д.Х., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р.Volchek V.S., Dao D.H., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/577

Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga в соединении Alх Gaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора.

The development and research of new constructive solutions, materials and technologies for sensor systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly being used in such systems. The device-technological simulation of the characteristics of HEMT, based on AlGaN / GaN using different substrate materials has implemented. The influence of the percentage of Al and Ga in combination Alх Gaх-1N on the characteristics of considered unit has studied.

сенсорная систематранзистор с высокой подвижностью электроновнитрид галлияприборно-технологическое моделированиеReferencesНаука за рубежом. Ежемесячное обозрение. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.issras.ru/global_science_review. - Дата доступа: 30.10.2015.Наука за рубежом. Ежемесячное обозрение. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.issras.ru/global_science_review. - Дата доступа: 30.10.2015.Мейджера Дж. К. М. Интеллектуальные сенсорные системы. М., 2011.Мейджера Дж. К. М. Интеллектуальные сенсорные системы. М., 2011.Васильев А., Данилин В., Жукова Т. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 68-76.Васильев А., Данилин В., Жукова Т. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 68-76.Колотун О. // CHIP NEWS Украина. 2013. № 2 (122). С. 2-6.Колотун О. // CHIP NEWS Украина. 2013. № 2 (122). С. 2-6.Nariaki Ikeda, Jiang Li, Sadahiro Kato u.a. // Furukawa Review. 2006. № 29. P. 1-6.Nariaki Ikeda, Jiang Li, Sadahiro Kato u.a. // Furukawa Review. 2006. № 29. P. 1-6.Jeong-Sun Moon, Nicholas Prokopuk, Kyung-Ah Son. GaN-based sensor nodes for in situ detection of gase / Patent US 7,403,113 B2.Jeong-Sun Moon, Nicholas Prokopuk, Kyung-Ah Son. GaN-based sensor nodes for in situ detection of gase / Patent US 7,403,113 B2.Vitushinsky R. Electrochemical sensor comprising a 2-dimensional electron gas layer (2DEG) and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor / Patent EP 2 479 563 B1.Vitushinsky R. Electrochemical sensor comprising a 2-dimensional electron gas layer (2DEG) and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor / Patent EP 2 479 563 B1.Vinod Kumar Khanna // Frontiers in Sensors (FS). 2013. N3Vinod Kumar Khanna // Frontiers in Sensors (FS). 2013. N3Taking S., MacFarlane D., Wasige E. // Hindawi Publishing Corporation Active and Passive Electronic Components Volume. 2011. Article ID 821305.Taking S., MacFarlane D., Wasige E. // Hindawi Publishing Corporation Active and Passive Electronic Components Volume. 2011. Article ID 821305.Victory Process User’s Manual User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: victoryprocess_users.pdf. - Дата доступа: 30.10.2015.te materials.Victory Process User’s Manual User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: victoryprocess_users.pdf. - Дата доступа: 30.10.2015.te materials.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.