Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 23, № 6 (2025) Влияние пассивационных слоев на основе нитрида кремния и диоксида кремния на характеристики AlGaN/GaN-ТВПЭ с полевой обкладкой в закрытом состоянии Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, А. Д. Юник, Е. А. Гуликова, Я. А. Соловьёв
"... подвижностью электронов на основе AlGaN/AlN/GaN с полевыми обкладками, подключенными к истоку или затвору ..."
 
№ 7 (2015) КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий
"... транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных ..."
 
Том 20, № 7 (2022) Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Д. Юник, А. Г. Шидловский
"... Cl2/N2/O2 слоев GaN, p-GaN и AlGaN в гетероструктурах типов AlGaN/GaN и p-GaN/AlGaN/GaN, обусловленные изменениями ..."
 
Том 20, № 5 (2022) Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик
"... один тип активного элемента – DpHEMT. При этом правильный выбор рабочей точки транзисторов обеспечивает ..."
 
Том 24, № 1 (2026) Влияние технологических параметров осаждения диэлектрических слоев методом ICP CVD на поверхностные токи утечки в AlGaN/GaN HEMT Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
С. А. Демидович, А. Д. Юник, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв
"... ) и степенью плазменного повреждения AlGaN/GaN-гетероструктур. Для минимизации деградации предложен композитный ..."
 
1 - 5 из 5 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)