Резисторная модель слоистых пленочных структур
https://doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20
Аннотация
Предлагается электрические свойства пленочных структур, состоящих из двумерных слоев, образованных нанокристаллическими зернами полупроводника, моделировать эквивалентной схемой. В данной схеме соединенные определенным образом резисторы показывают сопротивление токопроводящих каналов в металлических контактах к ним, материала зерен, межзеренных и межслоевых потенциальных барьеров. Численным моделированием установлено, что распределение тока по площади контактов существенно неоднородно. Плотность тока на периферии контактов может в 3–6 раз превышать этот показатель в их центре. Величины же локальных токов и их распределение по объему слоистых пленок зависят от их зернистости, количества слоев и электронных свойств потенциальных барьеров между зернами и слоями.
Ключевые слова
моделирование,
слоистая пленка,
эквивалентная схема,
резистор,
потенциальный барьер,
нитрид углерода,
нанокристалл
Об авторах
Тунг Фам Ван
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Ван Тунг Фам, аспирант кафедры микро- и наноэлектроники
220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6
Е. Б. Чубенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
к. т. н., доцент, доцент кафедры микро- и наноэлектроники
Минск
В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
д. ф.-м. н., профессор, профессор кафедры микро- и наноэлектроники
Список литературы
1. Novoselov K. S. (2005) Two-Dimensional Atomic Crystals. Proc. Natl. Acad. Sci. 102 (30), 10451–10453. DOI: 10.1073/pnas.0502848102.
2. Wang Y., Wang L., Zhang X., Liang X., Feng Y., Feng W. (2021) Two-Dimensional Nanomaterials with Engineered Bandgap: Synthesis, Properties, Applications. Nano Today. 37 (101059). DOI: 10.1016/j. nantod.2020.101059.
3. Wang Y., Liu L., Ma T., Zhang Y., Huang H. (2021) 2D Graphitic Carbon Nitride for Energy Conversion and Storage. Adv. Funct. Mater. 31 (34), 2102540 (36 pages). DOI: 10.1002/adfm.202102540.
4. Chubenko E. B., Kovalchuk N. G., Komissarov I. V., Borisenko V. E. (2022) Chemical Vapor Deposition of 2D Crystallized g-C3N4 Layered Films. J. Phys. Chem. C. 126 (9), 4710–4714. DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10561.
Рецензия
Для цитирования:
Ван Т., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е. Резисторная модель слоистых пленочных структур. Доклады БГУИР. 2023;21(2):14-20. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20
For citation:
Van T., Chubenko E.B., Borisenko V.E. Resistor Model of Layered Film Structures. Doklady BGUIR. 2023;21(2):14-20. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20
Просмотров: 303
Послать статью по эл. почте 