bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20bsuir-3595Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSРезисторная модель слоистых пленочных структурResistor Model of Layered Film StructuresВанТунг ФамVanTung Pham

Ван Тунг Фам, аспирант кафедры микро- и наноэлектроники

220013, г. Минск, ул. П. Бровки, 6

Van Tung Pham Postgraduate at the Department of Micro- and Nanoelectronics

220013, Minsk, P. Brovki St., 6

v.tu2103@gmail.comЧубенкоЕ. Б.ChubenkoE. B.

к. т. н., доцент, доцент кафедры микро- и наноэлектроники

Минск

Cand. of Sci., Associate Professor, Associate Professor at the Department of Micro and Nanoelectronics

БорисенкоВ. Е.BorisenkoV. E.

д. ф.-м. н., профессор, профессор кафедры микро- и наноэлектроники

Dr. of Sci. (Phys. and Math.), Professor, Professor at the Department of Micro- and Nanoelectronics

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics2023230420232121420Copyright © Ван Т., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е., 20232023Ван Т., Чубенко Е.Б., Борисенко В.Е.Van T., Chubenko E.B., Borisenko V.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3595

Предлагается электрические свойства пленочных структур, состоящих из двумерных слоев, образованных нанокристаллическими зернами полупроводника, моделировать эквивалентной схемой. В данной схеме соединенные определенным образом резисторы показывают сопротивление токопроводящих каналов в металлических контактах к ним, материала зерен, межзеренных и межслоевых потенциальных барьеров. Численным моделированием установлено, что распределение тока по площади контактов существенно неоднородно. Плотность тока на периферии контактов может в 3–6 раз превышать этот показатель в их центре. Величины же локальных токов и их распределение по объему слоистых пленок зависят от их зернистости, количества слоев и электронных свойств потенциальных барьеров между зернами и слоями. 

Electric properties of film structures consisting of two-dimensional layers, composed by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors indicate electrical resistance of current channels in metallic contacts, grain material, potential barriers between grains and layers. Numerical simulation within the model has shown that there is a nonuniform current distribution over the area of the contacts. Current density at their edges can be 3–6 times higher than in the center. Local currents and their distribution in the film bulk are determined by the grain structure of the film, number of the layers, electronic properties of the barriers between grains and layers. 

моделированиеслоистая пленкаэквивалентная схемарезисторпотенциальный барьернитрид углеродананокристаллmodelinglayered filmequivalent schemeresistorpotential barriercarbon nitridenanocrystalReferencesNovoselov K. S. (2005) Two-Dimensional Atomic Crystals. Proc. Natl. Acad. Sci. 102 (30), 10451–10453. DOI: 10.1073/pnas.0502848102.Novoselov K. S. (2005) Two-Dimensional Atomic Crystals. Proc. Natl. Acad. Sci. 102 (30), 10451–10453. DOI: 10.1073/pnas.0502848102.Wang Y., Wang L., Zhang X., Liang X., Feng Y., Feng W. (2021) Two-Dimensional Nanomaterials with Engineered Bandgap: Synthesis, Properties, Applications. Nano Today. 37 (101059). DOI: 10.1016/j. nantod.2020.101059.Wang Y., Wang L., Zhang X., Liang X., Feng Y., Feng W. (2021) Two-Dimensional Nanomaterials with Engineered Bandgap: Synthesis, Properties, Applications. Nano Today. 37 (101059). DOI: 10.1016/j. nantod.2020.101059.Wang Y., Liu L., Ma T., Zhang Y., Huang H. (2021) 2D Graphitic Carbon Nitride for Energy Conversion and Storage. Adv. Funct. Mater. 31 (34), 2102540 (36 pages). DOI: 10.1002/adfm.202102540.Wang Y., Liu L., Ma T., Zhang Y., Huang H. (2021) 2D Graphitic Carbon Nitride for Energy Conversion and Storage. Adv. Funct. Mater. 31 (34), 2102540 (36 pages). DOI: 10.1002/adfm.202102540.Chubenko E. B., Kovalchuk N. G., Komissarov I. V., Borisenko V. E. (2022) Chemical Vapor Deposition of 2D Crystallized g-C3N4 Layered Films. J. Phys. Chem. C. 126 (9), 4710–4714. DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10561.Chubenko E. B., Kovalchuk N. G., Komissarov I. V., Borisenko V. E. (2022) Chemical Vapor Deposition of 2D Crystallized g-C3N4 Layered Films. J. Phys. Chem. C. 126 (9), 4710–4714. DOI: 10.1021/acs.jpcc.1c10561.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.