Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 20, № 4 (2022) Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич
"... the conditions for conducting accelerated forced tests in relation to high-power bipolar transistors of the KT872 ..."
 
Том 21, № 4 (2023) Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко
"... containing complementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed ..."
 
Том 20, № 3 (2022) Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский
"... with such a field-effect transistor are possible only if there are models that adequately describe the features ..."
 
Том 19, № 7 (2021) Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Н. Н. Прокопенко
"... considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor ..."
 
Том 21, № 6 (2023) Проектирование BJT-JFET операционных усилителей на базовом матричном кристалле Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. В. Кунц, О. В. Дворников, В. А. Чеховский
"... amplifier on complementary bipolar transistors; input differential stage on p-JFET with a “current mirror ..."
 
Том 20, № 7 (2022) Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. Д. Юник, А. Г. Шидловский
 
Том 20, № 1 (2022) Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System Аннотация  похожие документы
V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky
"... transistor lead to the formation of a hot spot near the conductive channel and result in the degradation ..."
 
Том 19, № 6 (2021) Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий
"... temperature inside the gallium nitride heterostructure field-effect transistor lead to the formation of a hot ..."
 
Том 22, № 3 (2024) Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский
"... -channel transistors were selected: drain current from the gate voltage when diode-connected; output ..."
 
1 - 9 из 9 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)