Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 1 (2015) | КВАНТОВО-МЕХАНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ФРАГМЕНТА КЛЕТОЧНОЙ СТЕНКИ БАКТЕРИИ С ПОВЕРХНОСТЬЮ КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Бурко, Я. В. Долгая, В. Р. Стемпицкий, Т. В. Романовская | ||
| "... of bacterial cell wall and silicon surface via quantum-mechanical methods. The main attention given ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Д. В. Шестовский | ||
| "... of the obtained wet oxygen (SiO2 d = 100 nm), then the silicon oxide was completely removed in a solution ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... the rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing ..." | ||
| № 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
| "... of refractory metals and semiconductor silicides, one-dimensional structures of silicon, А3В5 semiconductors ..." | ||
| № 2 (2019) | КВАЗИОДНОМЕРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ НА ПОРИСТЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... The use of porous silicon in the field of superconducting nanoelectronics is considered ..." | ||
| № 1 (2016) | СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ЧАСТИЦ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ФОРМИРУЕМЫХ МЕТОДОМ МАГНИЙТЕРМИЧЕСКОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ИЗГОТОВЛЕННОГО ИЗ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ РАСТЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Сыман, А. П. Яблонский, И. А. Кашко, К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... The study results of formation regularities, morphology and composition of porous silicon particles ..." | ||
| Том 19, № 7 (2021) | Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Строгова | ||
| "... in a nanostructured silicon film by changing the electrical resistivity depending on the doping conditions were ..." | ||
| № 6 (2019) | ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЕВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ НА СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ ДЫРОЧНОГО ТИПА ПРОВОДИМОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Гурбо, А. В. Клименко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Porous silicon layers were formed on a p-type silicon wafers by electrochemical anodisation ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН НА МЕХАНИЗМ ИХ АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Л. Гревцов, А. В. Клименко, А. Д. Гурбо, В. П. Бондаренко | ||
| "... The influence of silicon wafer crystallographic orientation on the formation of porous silicon ..." | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Формирование SiC методом вакуумной карбидизации на пористом кремнии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Лобанок, С. Л. Прокопьев, С. А. Завацкий, В. П. Бондаренко, П. И. Гайдук | ||
| "... Planar-view TEM investigation revealed the formation of cubic silicon carbide layers on porous ..." | ||
| № 8 (2015) | ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПРЯМЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш, А. П. Достанко, А. Ю. Вашуров | ||
| "... silicon and oxygen. ..." | ||
| № 4 (2017) | ДЕКОРИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕДИ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко | ||
| "... of nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate ..." | ||
| № 1 (2012) | ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ НИКЕЛЯ В МЕЗОПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Долгий, С. Л. Прищепа, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... Layers of mesoporous Silicon were formed on the surface of monocrystalline silicon wafers ..." | ||
| № 1 (2018) | ФОТОТОК В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ/ТИТАНАТ СТРОНЦИЯ/НИКЕЛЬ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, В. А. Иванов, В. В. Колос, Б. С. Колосницын | ||
| "... silicon using the sol-gel method at the annealing temperature 750 °С. The upper nickel electrodes were ..." | ||
| № 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
| "... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
| № 3 (2015) | ФОРМИРОВАНИЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО АНОДИРОВАНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of porous silicon formation by anodization of single crystalline silicon wafers ..." | ||
| № 6 (2015) | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. И. Левченко, Л. И. Постнова, Е. Л. Труханова, В. П. Бондаренко | ||
| "... with films deposited on the monolithic silicon. ..." | ||
| № 2 (2013) | ГИДРОТЕРМАЛЬНОЕ ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА ЦИНКА НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко | ||
| "... silicon wafers with a hydrogen passivated surface are presented. Hydrothermal deposition of undoped ZnO ..." | ||
| № 6 (2015) | УВЕЛИЧЕНИЕ МЕХАНИЧЕСКОГО ИМПУЛЬСА В МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ, ИСПОЛЬЗУЮЩИХ ЭНЕРГИЮ ГОРЕНИЯ НАНОПОРИСТОГО КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Долбик, А. Ю. Зубов, С. Н. Крисевич, А. С. Сычевич, А. В. Короткевич, С. К. Лазарук, В. А. Лабунов | ||
| "... Nanostructured porous silicon impregnated by solid state oxidants has been studied in order ..." | ||
| № 8 (2017) | ГРАВИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОРИСТОСТИ АНОДНО ОБРАБОТАННОГО КРЕМНИЯ: ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ И ОЦЕНКА ТОЧНОСТИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. А. Завацкий, А. В. Бондаренко | ||
| "... silicon are presented. Porosity of the porous silicon samples was calculated by two gravimetric methods ..." | ||
| № 2 (2018) | РАЗЛОЖЕНИЕ МОНОГИДРИДОВ КРЕМНИЯ И ГЕРМАНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАТИНО-РЕНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ КАТАЛИЗАТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Д. Ф. Кузнецов, Я. С. Воронец | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ВЛИЯНИЕ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДИОКСИД ТИТАНА/КРЕМНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Курапцова, А. Л. Данилюк, А. А. Лешок, В. Е. Борисенко | ||
| "... Electrical characteristics of the heterostructure titanium dioxide/silicon illuminated by the sun ..." | ||
| № 8 (2016) | БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ В ОБЪЕМНОМ КРЕМНИИ И ПО ТЕХНОЛОГИИ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ш. Ибрагим, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... -gate bipolar transistor (IGBT), formed in bulk silicon and using «Silicon on Insulator» (SOI ..." | ||
| № 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Лавинные светодиоды на основе наноструктурированного кремния для оптических межсоединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ле Динь Ви, А. А. Лешок, А. В. Долбик, С. Л. Перко, С. К. Лазарук | ||
| "... The paper analyzes the parameters of silicon avalanche LEDs and their use for electron-optical ..." | ||
| № 2 (2013) | РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Углов, Н. Т. Квасов, В. М. Асташинский, Ю. А. Петухов, А. М. Кузьмицкий, И. Л. Дорошевич, С. В. Ластовский | ||
| "... Photovoltaic effect in silicon doped by the action of compression plasma pulses is investigated ..." | ||
| № 1 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКОМПОЗИТНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ И ОКСИДА ЦИНКА ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Шерстнёв, Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, В. А. Петрович, В. А. Пилипенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The results of electrochemical deposition of zinc oxide into ordered porous silicon matrix, formed ..." | ||
| № 8 (2014) | ФОРМИРОВАНИЕ НАНОСТРУКТУР СЕРЕБРА МЕТОДОМ ИММЕРСИОННОГО ОСАЖДЕНИЯ НА ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. В. Гирель, А. В. Бондаренко | ||
| "... Nanostructures formed by immersion deposition of silver on porous silicon at different regimes ..." | ||
| № 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
| "... a graphene layer and a region of a 4H-SiC silicon carbide material are obtained. ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | МОДЕЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНЫХ ФИЛЬТРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. С. Хорошко, А. В. Баглов, А. А. Гнитько | ||
| "... from ultrathin alternating layers of titanium and silicon oxides with different order of alternating ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Конструкция и характеристики неохлаждаемых болометрических инфракрасных решеток на основе аморфного кремния | Аннотация похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко, К. В. Корсак, Динь Ха Дао | ||
| "... with the silicon CMOS technology, and high detecting performance; therefore recently it became a hot spot ..." | ||
| Том 18, № 1 (2020) | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК НИКЕЛЯ НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко | ||
| "... and Schottky barrier height of nickel films on n-type silicon (111) at their rapid thermal treatment ..." | ||
| № 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Е. Борисенко | ||
| "... silicon, quantum films and wires of silicon and germanium, nanodiamonds, nanostructured oxides of metals ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ХРОМА НА КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьев, В. А. Пилипенко | ||
| "... of rapid thermal treatment of chromium films on n-type conductivity silicon on their resistivity ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... The possibility of pyrolytic synthesis of composite heterosystems based on macroporous silicon ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, А. А. Омельченко | ||
| "... Solid-state recrystallization of the surface silicon layer after chemical and mechanical polishing ..." | ||
| Том 21, № 4 (2023) | Температурная зависимость роста 3C-SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Лобанок, П. И. Гайдук | ||
| "... of silicon carbide epitaxial layers on silicon substrates during their rapid vacuum thermal treatment ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
| "... We have studied residual mechanical stresses of SiNx films deposited on silicon substrates from ..." | ||
| № 7-8 (2019) | ВЛИЯНИЕ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, ИСПОЛЬЗУЕМОГО В КАЧЕСТВЕ РАЗДЕЛИТЕЛЬНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КРЕМНИЕВЫХ ЛАВИННЫХ СВЕТОДИОДОВ, НА ИХ ХАРАКТЕРИСТИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ви Ле Динь, А. Ю. Клюцкий, А. А. Долбик, А. А. Лешок, С. К. Лазарук | ||
| "... silicon on the parameters of the formed devices, such as the light emission voltage and the stability ..." | ||
| № 2 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ КРЕМНИЕВЫХ НАНОНИТЕЙ МЕТОДОМ МЕТАЛЛ-СТИМУЛИРОВАННОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. В. Бондаренко, К. В. Гирель, С. А. Невзоров, К. А. Гончар, В. Ю. Тимошенко | ||
| "... The results of study and development of silicon nanowires (SiNWs) formation by metal-assisted ..." | ||
| № 8 (2016) | MODEL OF BORON CLUSTERING IN SILICON | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| "... The model of formation and dissolution of neutral boron clusters in silicon has been developed ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Формирование отверстий в кремниевой подложке 3D-электронного модуля лазерным излучением | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Л. Ланин, В. Т. Фам, А. И. Лаппо | ||
| "... Laser heating is a promising method for through-silicon-via (TSV) formation ..." | ||
| № 8 (2012) | КОНТРОЛЬ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ SI-SIO2 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зеленин | ||
| "... in structures such as silicon dioxide-monocrystal silicon substrate. The results concerning the determination ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
| "... of a silicon wafer using rapid heat treatment (1000 °C, 20 s) on the electrical parameters of complementary ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Моделирование нагрева кремниевых пластин при быстрой термической обработке на установке «УБТО 1801» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... of the silicon wafer on the lamps power and the heating time during rapid thermal processing using “UBTO 1801 ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Energy levels of an electron in a circular quantum dot in the presence of spin-orbit interactions | Аннотация похожие документы |
| А. V. Baran, V. V. Kudryashov | ||
| "... The two-dimensional circular quantum dot in a double semiconductor heterostructure is simulated ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Charge properties and currents in the silicon/nanoparticles of zinc oxide heterostructure irradiated by the solar light | Аннотация похожие документы |
| A. A. Kuraptsova, A. L. Danilyuk | ||
| "... Silicon/zinc oxide heterostructures have shown themselves to be promising for use in photovoltaics ..." | ||
| № 7 (2017) | ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ TiO2 И SrTiO3 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Руденко, Л. С. Хорошко, Н. В. Гапоненко, А. В. Мудрый, Т. Ф. Райчёнок | ||
| "... on the quartz glass, monocrystalline silicon and porous anodic alumina/silicon structures. Morphology ..." | ||
| № 4 (2014) | ПАССИВНО-МАТРИЧНЫЕ МИКРОДИСПЛЕИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. Г. Смирнов | ||
| "... on reverse biesed Schottki diodes with the structure of nanoporous Silicon-Aluminium are described. ..." | ||
| № 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| , | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | MANAGING THE SURFACE PROPERTIES OF MATERIALS OF DISPLAY TECHNOLOGY BY MEANS OF TREATMENT IN ATMOSPHERIC DISCHARGE PLASMA | Аннотация похожие документы |
| Y. V. Zaporozhchenko, D. A. Kotov, А. V. Aksyuchits, A. N. Osipov, S. V. Paceev | ||
| "... The results of research the surface of single-crystal silicon, glass, and stainless steel after ..." | ||
| № 8 (2018) | РЕЖИМЫ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ СИСТЕМЫ Рt-Si ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... in it, resultant in the plastic melting or silicon disruption. It was shown, that formation of platinum silicide ..." | ||
| № 7 (2016) | УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ДЛИТЕЛЬНОЙ КИСЛОРОДНОЙ ТЕРАПИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. Б. Зельманский, Е. И. Давидовская | ||
| "... An apparatus for the automatic delivery of oxygen to the patient is proposed. Oxygen flow rate, its ..." | ||
| № 2 (2018) | ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. А. Асаёнок, О. Ю. Горбадей, А. О. Зеневич | ||
| "... of the dark current and photocurrent for silicon photoelectric multipliers are presented. It is shown to what ..." | ||
| Том 18, № 4 (2020) | Структура и морфология слоев CrSi2, сформированных при быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв, В. А. Пилипенко, Пётр Иванович Гайдук | ||
| "... The formation of chromium disilicide layers on n-type single crystal silicon substrates (111 ..." | ||
| № 1 (2014) | ПРОПУСКНАЯ СПОСОБНОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ВОЛОКНА КВАНТОВОЙ СИСТЕМЫ СВЯЗИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев | ||
| № 1 (2015) | ОБНАРУЖЕНИЕ НЕСАНКЦИОНИРОВАННЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ КВАНТОВОГО КАНАЛА СВЯЗИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев, А. Г. Косари | ||
| "... A mathematical model of the quantum communication channel has been built that contains a photon ..." | ||
| № 3 (2019) | ПЕРСПЕКТИВЫ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ НАНОФОТОНИКИ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... with lanthanides in matrices with macro- and mesoporous silicon, porous anodic alumina and synthetic opals ..." | ||
| № 8 (2013) | ЗОЛЬ-ГЕЛЬ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИХ ПРИМЕНЕНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, Б. С. Колосницын, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method ..." | ||
| № 7 (2014) | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КОНДЕНСАТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СТРОНЦИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Х. Сохраби, Н. В. Гапоненко, М. В. Руденко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. Ф. Гук, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий, А. С. Турцевич | ||
| "... The thin film capacitors were formed on silicon. The capacitor is based on the strontium titanate ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ВЛИЯНИЕ ВРЕМЕННЫХ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ НА МИКРОСТРУКТУРУ СИСТЕМЫ Pt-Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. А. Горушко | ||
| "... -crystal silicon KEF 0.5 with orientation (111) by means of the magnetron platinum target sputtering ..." | ||
| № 5 (2013) | ФОТО-, КАТОДО- И РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В АЛЮМОИТТРИЕВЫХ КОМПОЗИТАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... of anodic alumina film grown on silicon wafer. The possibility of application both of the method for high ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронно-микроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработке | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, Ф. Ф. Комаров, В. A. Горушко | ||
| "... silicon by means of the magnetronic sputtering of platinum with the purity of 99.95 % on the МРС 603 set ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
| "... parameters and reliability of integrated circuits. The resistance values of contact chains aluminum-silicon ..." | ||
| № 6 (2014) | КВАНТОВО-КИНЕТИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ СОСТОЯНИЯ СМЕШАННОЙ ВАЛЕНТНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЦЕНТРОВ ПЕРОВСКИТОВЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Г. В. Крылова | ||
| "... Quantum-statistical description of coherent dipole-active states and quantum kinetic theory ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Основы теории атома водорода для задач синтеза квантово-электронных схем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. П. Кобяк | ||
| "... of the performed calculations for the problems of synthesis and analysis of quantum-electronic circuits. ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Пассивация токопроводящей системы интегральных схем слоем нитрида алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Емельянов | ||
| "... on silicon dioxide on a silicon substrate with active regions, etch contact windows to active elements ..." | ||
| Том 22, № 2 (2024) | Перспективные оптические и электронные межсоединения элементов интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. К. Лазарук, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко, Н. В. Гапоненко, Г. Г. Горох, А. А. Лешок, Д. Б. Мигас, Е. Б. Чубенко | ||
| "... interconnections of silicon integrated circuits are summarized. Examples of the use of nanostructured materials ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... into account the accumulation of the main carriers in silicon near the walls of the trenches at a forward bias ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
| V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
| № 4 (2016) | ФОРМИРОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА КОМБИНИРОВАННЫМ МЕТОДОМ ГИДРОТЕРМАЛЬНОГО И ПОСЛОЙНОГО АТОМНОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, В. А. Пилипенко, К. .. Топалли, А. К. Окяй | ||
| "... silicon substrates with zinc oxide seed layer formed by atomic layer deposition are studied. Obtained ..." | ||
| № 3 (2014) | МЕТОДИКА И ПРОГРАММНО-АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ФУНКЦИОНАЛЬНОГО КОНТРОЛЯ МИКРОДИСПЛЕЙНОГО МОДУЛЯ ВИДЕОПРОЕКЦИОННОГО УСТРОЙСТВА ПЕРСОНАЛЬНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. С. Мохаммед, Е. В. Муха, А. А. Степанов, А. В. Пасынков, А. Г. Смирнов | ||
| "... or a LED microdisplay based on Schottky diodes nanoporous silicon- nanostructured aluminium, a Video ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... , silicon and silicon carbide substrates. The subject of the research is the electrical, frequency ..." | ||
| № 4 (2019) | РОБОТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА БЫСТРОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. П. Яковлев | ||
| "... The design specific features of the rapid thermal treatment automated unit for silicon wafers ..." | ||
| Том 19, № 5 (2021) | Статические радиационные поля малых размеров и детекторы для относительной дозиметрии малых полей в дистанционной лучевой терапии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Пискунов, И. Г. Тарутин | ||
| "... for the character. The analysis revealed that liquid ionization chambers, silicon diodes, diamond detectors, organic ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, Я. Д. Галкин, А. В. Кунц, В. Р. Стемпицкий, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... on the master slice array MN2XA030 for silicon photomultiplier tubes. The amplifier is called ADPreampl3 ..." | ||
| Том 19, № 2 (2021) | Сравнительный анализ изменения кислородной нестехиометрии и сверхструктурного упорядочения катионов Fe/Mo в ферромолибдате стронция | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, А. В. Петров, Д. А Голосов, М. В. Киросирова, О. В. Игнатенко, А. Л. Желудкевич | ||
| "... rate is several times lower than the change of the oxygen index 6–δ. It was found that with increasing ..." | ||
| № 7 (2014) | ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ОДНОКВАНТОВОЙ РЕГИСТРАЦИИ ДЛЯ СИСТЕМ ПЕРЕДАЧИ КОНФИДЕНЦИАЛЬНОЙ ИНФОРМАЦИИ ПО ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИМ ЛИНИЯМ СВЯЗИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев, А. Г. Косари | ||
| "... communication line on the basis of created single-quantum registration system of optical radiation has 43 been ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Эксплуатационные характеристики инфракрасного фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе нитрида галлия | Аннотация похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... фотодетектора, использующего межподзонные переходы в квантовых ямах на основе гетероструктуры AlGaN/GaN ..." | ||
| Том 21, № 2 (2023) | Дисперсия волн пространства-времени. Волновая и корпускулярная формы элементарной частицы | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Кураев, В. В. Матвеенко | ||
| "... The article studies space-time dispersion of waves describing the behavior of quantum particles ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Схема поляризационного разнесения для масштабирования сети WDM/TDM GPON до 60 км с использованием полупроводниковых оптических усилителей на квантовых точках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Тусупов, А. Т. Тохметов, Н. И. Листопад | ||
| "... , the suburbs and the countryside. To solve this problem, it is proposed to use quantum dot semiconductor ..." | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Ап-конверсионная люминесценция в ксерогеле титаната бария, легированном эрбием и иттербием, в пористом анодном оксиде алюминия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. И. Лашковская, А. В. Гога, А. Н. Плиговка, Е. Б. Чубенко, В. Д. Живулько, Э. В. Монайко, Н. В. Гапоненко | ||
| "... anodic alumina was fabricated either on silicon wafer or aluminum foil. The sol corresponding to xerogel ..." | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Формирование и электрохимические свойства пленок оксидов никеля и кобальта | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. А. Греков, К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... Films of cobalt oxide and nickel oxide on monocrystalline silicon substrates were obtained ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры микросхем временных устройств | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко | ||
| "... of the gate dielectric is ensured by its rapid thermal treatment when missing the silicon dioxide on the non ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Исследование влияния условий подачи озоно-воздушной смеси на процесс удаления фоторезиста с поверхности кремниевой пластины | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. И. Тихон, С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, А. Л. Барахоев, П. В. Камлач | ||
| "... films on the silicon wafers surface in an ozone environment on the conditions and parameters ..." | ||
| № 1 (2017) | СТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ю. П. Снитовский, Л. П. Ходарина | ||
| № 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
| "... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Стабильность характеристик физических генераторов случайных чисел | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. О. Пикуза, С. Ю. Михневич, А. Ю. Сенкевич | ||
| "... of photons is estimated. The oscillator under study consists of an LED and a compact silicon photomultiplier ..." | ||
| № 8 (2017) | ВЗАИМОСВЯЗЬ МЕЖДУ КИСЛОРОДНОЙ НЕСТЕХИОМЕТРИЕЙ И СВЕРХСТРУКТУРНЫМ УПОРЯДОЧЕНИЕМ Fe/Mo В Sr2FeMoO6-d | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, В. А. Турченко, Д. В. Карпинский, В. А. Чумак, А. В. Петров, А. Л. Желудкевич | ||
| "... and oxygen index d were obtained by solid-phase synthesis. With the help of X-ray phase analysis and neutron ..." | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Дыхательная недостаточность: техническое обеспечение диагностики и респираторной поддержки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. И. Давидовская, А. С. Дубровский, О. Б. Зельманский | ||
| "... detection, as this infection is also accompanied by respiratory failure. The use of oxygen concentrators ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | МАЛОУГЛОВОЕ РАССЕЯНИЕ НЕЙТРОНОВ НА ОБРАЗЦАХ Sr2FeMoO6–δ С РАЗНОЙ СТЕПЕНЬЮ CВЕРХСТРУКТУРНОГО УПОРЯДОЧЕНИЯ КАТИОНОВ Fe/Mo | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич, И. А. Бобриков, А. Л. Желудкевич, П. Н. Киреев, Д. А. Кривченя | ||
| "... of samples with different oxygen content, which demonstrates a different microstructure of inhomogeneities ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The article presents the results of quantum-mechanical computer simulation. The purpose ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Очистка воздуха в закрытых помещениях от высокодисперсных частиц и аэрозолей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. П. Пилиневич, М. В. Тумилович, Д. М. Румянцев, К. В. Гриб, А. Г. Бунас | ||
| "... – pneumoconiosis. For example, when working in the environment containing silicon dioxide dust, workers develop one ..." | ||
| Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... silicon substrates from aqueous solutions of zinc and nickel nitrates. The deposition was conducted from ..." | ||
| Том 18, № 5 (2020) | Формирование электрохимическим методом композитных материалов на основе оксида цинка и меди | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. М. Ткачёнок, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
| "... photoluminescence band in the long wavelength range of 500–700 nm, related with vacancies and interstitial oxygen ..." | ||
| № 8 (2012) | ПРОЦЕССЫ ДЕСОРБЦИИ КИСЛОРОДА В ВЫСОКОПЛОТНОМ ЛАНТАН СТРОНЦИЕВОМ МАНГАНИТЕ La0.6Sr0.4MnO3-d | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, Н. А. Каланда, А. Н. Чобот, Ю. В. Суходолов, Г. М. Чобот, П. Н. Киреев | ||
| "... on the heating rate and the partial pressure of oxygen (pO2) exist at different temperatures, heating rates ..." | ||
| № 8 (2013) | ВЛИЯНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИНВЕРТИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЯЧЕЕК | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Филиппов, Б. Г. Шулицкий | ||
| "... An expression and the analysis of the external quantum efficiency (EQE) for for inverted flat ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Geometrization of the theory of electromagnetic and spinor fields on the background of the Schwarzschild spacetime | Аннотация похожие документы |
| N. G. Krylova, V. M. Red’kov | ||
| "... of differential equations which arise in quantum-mechanical problems of a particle on the background of non ..." | ||
| Том 19, № 8 (2021) | Atom species energy dependence on magnetic configurations in the perovskite yttrium orthoferrite | Аннотация похожие документы |
| A. V. Baglov, L. S. Khoroshko | ||
| "... in magnetic properties goes to iron and oxygen. In the ground state, magnetic properties relate ..." | ||
| № 6 (2015) | ОЦЕНКА КОЭФФИЦИЕНТА ШУМА ЛАВИННЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ В РЕЖИМЕ СЧЕТА ФОТОНОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. К. Барановский, А. О. Зеневич, А. М. Тимофеев, О. Ю. Горбадей | ||
| "... . The silicon avalanche photodetectors noise factor depending on the supply voltage, ambient temperature ..." | ||
| № 2 (2014) | НОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ СВЕРХПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Л. Прищепа | ||
| "... . The fundamental aspects of original achievements in the region of the superconducting nanoelectronics, quantum ..." | ||
| № 7 (2014) | ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, А. А. Кулешов | ||
| "... , as well as the unsuitability methods of direct quantum description for studies requiring a large number ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Влияние проникающей радиации на параметры аналоговых компонентов базового матричного кристалла МН2ХА030 | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, Я. Д. Галкин, Н. Н. Прокопенко | ||
| "... аналоговых компонентов после воздействия гамма-квантов 60Co с поглощенной дозой до 700 крад и флюенса быстрых ..." | ||
| № 7 (2018) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ МОНИТОРИГА СИСТЕМ ОСВЕЩЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. П. Василевич, В. З. Нгуен, Е. К. Дятлов | ||
| "... преобразователь с двухсторонней светочувствительностью на основе монокристаллического кремния р -типа с ..." | ||
| № 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
| "... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
| № 2 (2014) | ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Сокол, С. А. Костюченко | ||
| "... and transistors, based on single-electron transport quantum effect are presented. ..." | ||
| № 8 (2014) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Ч. Чан, А. М. Боровик, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... effectively take into account the quantum-mechanical transport mechanisms is proposed. Modified direct search ..." | ||
| № 8 (2014) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ И МАГНИТНЫХ СВОЙСТВ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЕРВОПРИНЦИПНЫХ МЕТОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Зеленина, О. А. Козлова | ||
| "... -dimensional structures of TiS2 and TiSe2 were presented. Quantum-mechanical approach in software package VASP ..." | ||
| № 4 (2013) | ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ CuIn13S20 И СТРУКТУРЫ НА ИХ ОСНОВЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Шаталова | ||
| "... of the grown crystals the photo electrochemical cells were created and spectral dependence of the quantum ..." | ||
| № 8 (2015) | ГРУППОВАЯ КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕМЕНТОВ И ПЕРИОДИЧЕСКИЙ ЗАКОН Д.И. МЕНДЕЛЕЕВА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Л. Гурский, Л. И. Гурский | ||
| "... as the methods of representation of atomic and electron states in quantum mechanics based on the regularities ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш | ||
| "... ), which generated a stream of accelerated argon and oxygen ions with an energy of 400–1200 eV. The target ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Кроссовер слабая локализация – слабая антилокализация в двумерных материалах со спин-орбитальным взаимодействием | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа | ||
| "... , antilocalization and crossover between them are established. Quantum corrections to the conductivity of graphene ..." | ||
| № 4 (2018) | ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ХОЛЛА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. ХА. Дао, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... The results of device-technological and schematic simulation of the silicon Hall sensor ..." | ||
| № 7 (2014) | ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТКИ НА СТРУКТУРУ И СОСТАВ ПОРИСТЫХ ПЛЕНОК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ ФОРМОВКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Д. А. Сасинович, В. Б. Высоцкий, С. К. Лазарук | ||
| "... and aluminium films deposited on silicon wafers is presented. Anodization process was held in the 2 % sulphuric ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Электрофизические свойства пленок оксида ванадия, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Д. Нгуен, А. И. Занько, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, В. В. Колос | ||
| "... films on the oxygen concentration in the gas mixture are obtained. It was found that amorphous films ..." | ||
| № 3 (2012) | РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 160-180 нм, выращенной на кремнии ..." | ||
| Том 21, № 6 (2023) | Композиционные материалы системы эпоксидная смола–W для радиационной защиты от гамма-излучения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Роткович, Д. И. Тишкевич, С. А. Герман, А. А. Бондарук, С. В. Леончик, Е. С. Дашкевич, В. М. Федосюк, А. В. Труханов | ||
| "... гамма-квантов 1,25 МэВ. Полученные результаты демонстрируют высокую эффективность предложенных ..." | ||
| Том 22, № 3 (2024) | Красное смещение и постоянная затухания энергии фотона в вакууме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Кураев, В. В. Матвеенко | ||
| "... in vacuum α: α = 8 · 10–19 m–1 based on quantum concepts of the structure of vacuum and data on the red ..." | ||
| № 2 (2016) | ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОДЛОЖЕК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ КАК ОСНОВЫ ПОРОГОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. В. Гасенкова, Н. И. Мухуров, М. В. Ясин | ||
| "... that the photoluminescence properties of anodic alumina determined by the oxygen vacancies with different values ..." | ||
| № 1 (2015) | МЕМБРАНЫ ПОРИСТОГО АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ КСЕРОГЕЛЬ, ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ФОТОКАТАЛИЗА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. В. Гапоненко | ||
| "... with or without xerogel. Possible influence of oxygen vacancies in the structures membrane/xerogel ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| "... is analyzed using the Hall method. The effect of annealing in vacuum, an oxygen atmosphere, and a nitrogen ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова | ||
| "... were calculated at the atomic level in the framework of quantum mechanical simulation. The exchange ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... of transistors provide development of low-noise, high-speed CSAs with better parameters than silicon CSAs ..." | ||
| Том 18, № 6 (2020) | Синтез и свойства композитных материалов на основе наночастиц оксида цинка в диэлектрической матрице | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ю. Коренькова, И. А. Тихонов, Е. Б. Чубенко | ||
| "... on a silicon substrate by centrifugation. Using scanning electron microscopy, we studied the structure ..." | ||
| № 5 (2019) | Формирование пленок оксида титана методом реактивного магнетронного распыления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. Вилья, Д. А. Голосов, Т. Д. Нгуен | ||
| "... of dielectric constant, dielectric loss tangent, band gap, leakage current density on oxygen content in Ar/O2 ..." | ||
| № 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
| "... and in case of placing a various number of silicon wafers in the microwave discharge have been analyzed ..." | ||
| Том 20, № 6 (2022) | Обнаружение канала утечки информации из многомодового оптического волокна при помощи кремниевого фотоумножителя | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| И. Р. Гулаков, А. О. Зеневич, О. В. Кочергина, Т. А. Матковская | ||
| "... optical fibers for which silicon photomultipliers to detect information leakage channels can be used ..." | ||
| Том 21, № 5 (2023) | Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Ван Чиеу Чан, К. В. Корсак, П. Э. Новиков, И. Ю. Ловшенко, С. М. Завадский, Д. А. Голосов, А. А. Степанов, А. А. Губаревич, В. В. Колос, Я. А. Соловьев, Д. С. Левчук, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... with silicon CMOS technology, and operation at room temperature. The performance of such detectors depends ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
| "... compounds with nanostructured magnetism. The research was carried out using quantum mechanical simulation ..." | ||
| Том 21, № 3 (2023) | Модель процесса реактивного магнетронного распыления двухкомпонентной составной мишени | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Х. Т. Доан, Д. А. Голосов, Дж. Джанг, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, Т. Д. Нгуен | ||
| "... adequately describes the change in the content of metals in the deposited films with a change in the oxygen ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Исследовательский стенд для микроплазменной поверхностной обработки материалов в условиях атмосферного давления | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. В. Бордусов, С. И. Мадвейко, А. Л. Барахоев, О. И. Тихон, А. А. Моисеев | ||
| "... with feeding of various gases such as air, nitrogen, oxygen, etc. into the discharge zone. The research bench ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Стабилизация шумовых параметров при отжиге высоколегированных структур диодов – генераторов шума | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. В. Буслюк, В. А. Емельянов, В. В. Баранов, С. С. Дереченник, В. С. Просолович | ||
| "... the content of impurities of secondary metals, oxygen and nitrogen is proposed. It has been established ..." | ||
| Том 18, № 7 (2020) | Механизмы деградации структуры сегнетоэлектрика Pb1−хBaхZr0,53Ti0,47O3−δ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Л. И. Гурский, А. В. Петров, Д. А. Голосов, П. Н. Киреев, Н. А. Каланда, М. В. Ярмолич | ||
| "... is determined both by the emergence of the oxygen (VО) and lead (VPb) vacancies, as well as of the associates ..." | ||
| Том 19, № 4 (2021) | Формирование и исследование характеристик терморезистивных структур на основе пленок оксида ванадия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Д. Нгуен, А. И. Занько, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, В. В. Колос, Н. К. Толочко | ||
| "... , the intensities of the emission lines of vanadium at 437.922 nm, argon at 750.386 nm, and oxygen at 777.417 nm ..." | ||
| Том 19, № 3 (2021) | Влияние отжига на структурно-фазовые и электрофизические свойства пленок оксида ванадия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Т. Д. Нгуен, А. И. Занько, Д. А. Голосов, С. М. Завадский, С. Н. Мельников, В. В. Колос, Т. К. То | ||
| "... , temperature coefficient of resistance (TCR), resistivity p, band gap Egof the films on the oxygen ..." | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | СТРУКТУРЫ МИКРОДИСПЛЕЕВ НА ОСНОВЕ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОДИОДОВ ЗЕЛЕНОГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МАТЕРИАЛОВ ТЕРМИЧЕСКИ АКТИВИРОВАННОЙ ЗАМЕДЛЕННОЙ ФЛУОРЕСЦЕНЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. А. Грачёв, Е. Ф. Кудряшова, Н. Н. Усов | ||
| "... of phosphorescent materials. A structure with high light (external quantum yield up to 26.2 %) and electrical ..." | ||
| Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
| "... in an oxygen atmosphere, the third - in nitrogen or a forming gas. It was found that for dielectrics obtained ..." | ||
| 1 - 137 из 137 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
