Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-99-105

Полный текст:

Аннотация

Исследовались закономерности изменения концентрации электрически активной легирующей примеси в пленке наноструктурированного кремния, путем изменения удельного электрического сопротивления в зависимости от условий легирования. Определены зависимости изменения полученных структур, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ), такими как La, Eu, Sm, Dy, Gd (лантаноиды), на наноструктурированных пленках кремния. Установлены закономерности изменения полученных пленок и изменение температурного коэффициента сопротивления (ТКС) в зависимости от условий формирования. Показаны закономерности изменения ТКС в зависимости от выбранных условий легирования или нелегирования различными примесями наноструктурированных пленок кремния. Показано, что основными условиями, при которых показано воздействие и изменение температурного коэффициента сопротивления резисторов на тонких пленках с использованием РЗЭ, таких как кислород, бор и фосфор, в объеме пленки, считается температурное влияние уже после осаждения.

Об авторе

А. С. Строгова
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Строгова А.С., к.т.н., доцент кафедры электроники

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, 6

+375-17-293-21-05



Список литературы

1. Oda S., Ferry D. Silicon nanoelectronics. Taylor & Francis Group, LLC; 2006.

2. Voigtlander B. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth. Surface Science Reports. 2001;43:5-8.

3. Ковалевский А.А., Строгова А.С., Строгова Н.С., Бабушкина Н.В. Исследование электрофизических свойств МДП-структур с пленками нитрида кремния, легированными редкоземельными элементами. Микроэлектроника. 2014;43(4):246-251.

4. Комар О.М., Ковалевский А.А., Строгова А.С. Кремнийгерманиевые наноструктурированные пленки и нанокластеры. Германия: LAP Lambert Academic Publishing; 2016.

5. Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. Москва: Энергия; 1979.

6. Колешко В.М., Ковалевский А.А. Поликристаллические пленки полупроводников в микроэлектронике. Минск: Наука и техника; 1978.

7. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Москва: Логос; 2006.

8. Третьяков Ю.Д., Гудилин Е.А. Основные направления фундаментальных и ориентированных исследований в области наноматериалов. Успехи химии. 2009;78(9):867-888.

9. Чаплыгин Ю.А. Нанотехнологии в электронике. Москва: Техносфера; 2005.

10. Ковалевский А.А., Долбик А.В., Войтех С.Н. Влияние легирующей примеси на ТКС поликристаллических пленок кремния. Микроэлектроника. 2007;36(3):178-184.

11. Ковалевский A.A. Подавление рекристаллизационных процессов в поликристаллических пленках кремния тонкими слоями аморфного кремния. Микроэлектроника. 1998;27(1):16-21.

12. Kovalevskii A.A. Structure and Morphology of Si Films Grown on Porous Si by Reduction of Dichlorosilane. Inorganic Materials. 1999;35(2):102-105.

13. Ковалевский A.А., Борисенко В.Е., Борисевич В.М., Долбик А.В. Влияние легирующих примесей на структуру пленок поликристаллического кремния, полученных пиролизом силана. Неорганические материалы. 2005;41(12):1429-1435.

14. Строгова А.С., Ковалевский А.А., Гранько С.В., Воронец Я.С. Влияние легирования редкоземельными элементами и германием на структуру и свойства наноструктурированных пленок кремния. 10-я Юбилейная международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения». Москва, 15–16 мая 2019 г.: 73-74

15. Ковалевский А.А., Строгова А.С., Комар О.М. Особенности роста нанонитей твердого раствора SiGe. Сборник тезисов VI Всероссийской конференции по наноматериалам. «НАНО-2016». Москва, 22–25 ноября 2016 г.: 255-256.


Для цитирования:


Строгова А.С. Температурный коэффициент сопротивления легированных редкоземельными элементами наноструктурированных пленок кремния. Доклады БГУИР. 2021;19(7):99-105. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-99-105

For citation:


Strogova A.S. Temperature resistance coefficient of doped with rare earth elements nanostructured silicon films. Doklady BGUIR. 2021;19(7):99-105. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-99-105

Просмотров: 29


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)