Сортировать по:
| Выпуск | Название | |
| № 5 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Предложен новый набор значений ..." | ||
| № 8 (2015) | МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДНОМЕРНОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... gallium arsenide. Recommendations about a choice of sizes of a temporary step and length of a spatial cell ..." | ||
| № 6 (2016) | ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. Н. Мищенко | ||
| "... Modeling results of output static characteristics of gallium arsenide transistors for extreme high ..." | ||
| Том 19, № 1 (2021) | Исследование процесса реактивного ионно-лучевого распыления арсенида галлия с использованием оптической эмиссионной спектроскопии | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Е. В. Телеш | ||
| "... The aim of this work was to study the process of reactive ion-beam sputtering of gallium arsenide ..." | ||
| Том 20, № 5 (2022) | Особенности проектирования зарядочувствительных усилителей на арсенид-галлиевом базовом кристалле | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| О. В. Дворников, В. А. Чеховский, A. B. Кунц, А. А. Павлючик | ||
| "... Mrad, a gallium arsenide master slice has been created. The following types of active elements are used ..." | ||
| № 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
| № 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
| Том 20, № 7 (2022) | Использование лазерной интерферометрии для определения времени окончания плазмохимического травления слоев p-GaN и AlGaN гетероструктуры p-GaN/AlGaN/GaN с двумерным электронным газом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, А. Г. Шидловский | ||
| Том 20, № 3 (2022) | Влияние температуры быстрого термического отжига на электрофизические свойства омического контакта металлизации Ti/Al/Ni к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьев, Д. В. Жигулин | ||
| Том 20, № 8 (2022) | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв | ||
| Том 18, № 8 (2020) | Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... is a gallium nitride high electron mobility transistor device structure. The subject of the research ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностью | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, В. Р. Стемпицкий | ||
| "... based on gallium nitride. A non-uniform distribution of the dissipated power and a rise of the average ..." | ||
| Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
| "... The self-heating effect is a major problem for gallium nitride electronic, optoelectronic ..." | ||
| Том 20, № 1 (2022) | Large Signal Performance of the Gallium Nitride Heterostructure Field-Effect Transistor With a Graphene Heat-Removal System | Аннотация похожие документы |
| V. S. Volcheck, V. R. Stempitsky | ||
| "... electronic and optoelectronic devices based on gallium nitride. An extremely non-uniform distribution ..." | ||
| № 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
| № 6 (2019) | ДВИЖЕНИЕ РЕЛЯТИВИСТСКОГО ЭЛЕКТРОНА В СКРЕЩЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. А. Кураев, В. В. Матвеенко | ||
| "... наложение дрейфа со скоростью u = E0/B0 и вращения с частотой = eB0/m (e, m – заряд и релятивистская масса ..." | ||
| № 6 (2018) | СТЕНД ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИНАМИКИ ИЗМЕНЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПОЛЕЙ В ИНФОРМАЦИОННО-КОММУНИКАЦИОННОЙ АППАРАТУРЕ ПРИ ОЦЕНКЕ ЗАЩИЩЕННОСТИ ИНФОРМАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| А. И. Кухаренко, Г. В. Давыдов | ||
| "... объектов, дрейфа температуры окружающей среды, высоких шумов изображения, а также инерционности тепловых ..." | ||
| Том 22, № 1 (2024) | Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко | ||
| "... напряжениями. Оценен дрейф напряжений в течение четырех недель после осаждения пленок. Отмечено, что для ..." | ||
| Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
| Я. А. Соловьёв | ||
| "... модель учитывает снижение последовательного сопротивления области дрейфа диода Шоттки при увеличении ..." | ||
| 1 - 19 из 19 результатов | ||
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)
