Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО

Полный текст:

Аннотация

Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов в одномерной полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Предложен новый набор значений параметров констант моделирования для арсенида галлия, необходимый для реализации метода Монте-Карло, который обеспечивает более высокую точность расчета средней дрейфовой скорости электронов. Результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов с использованием предложенной модели показали хорошее соответствие экспериментальным данным, полученным разными авторами.

Об авторе

В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


Список литературы

1. Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson T.H. Velocity-field characteristics of GaAs with G6c-L6c-X6c conduction-band ordering // J. of Applied Physics. 1977. Vol. 48, № 1. P. 4587-4590.

2. Pozela J., Reklaitis A. Electron transport properties in GaAs at high electric fields // Sol. St. Comm. 1980. Vol. 23, № 9. P. 927-933.

3. Brennan K.F., Hess K. High field transport in GaAs, InP and InAs // Solid -State Electronics. 1984. Vol. 27, № 4. P. 347-356.

4. Fischetti M. Monte Carlo simulation of transport in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures - part I: homogeneous transport // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. Vol. ED-38, № 3. P. 634-649.

5. Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimension / K. Kalna [et al.] // Solid-State Electronics. 2002. Vol. 46. P. 631-638.

6. David J.K., Register L.F., Banerjee S.K. 3D-Monte Carlo study of short channel tri-gate nanowire MOSFETs // Solid-State Electronics. 2011. Vol. 61. P. 7-12.

7. Shur M. Sovremennye pribory na osnove arsenida gallija. M.: Mir, 1991. 632 s. (in Russ.)

8. Ruch J.G., Kino G.S. Transport Properties of GaAs // Physical Review. 1968. Vol. 174, № 3. P. 921-931.

9. Braslau N., Hauge P. S. Microwave Measurement of the Velocity-Field Characteristic of GaAs // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. Vol. ED-17, № 8. P. 616-622.

10. Masselink W.T., Kuech T.F. Velocity-field characteristics of electron in doped GaAs // J. of Electronic Materials. 1989. Vol. 18, № 5. P. 579-584.

11. Fischetti M., Laux S. E. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band-structure and space-charge effects // Physical Review B. 1988. Vol. 38, № 14. P. 9721-9745.

12. Houston P.A., Evans A.G. Electron drift velocity in n-GaAs at high electric fields // Solid-State Electronics. 1977. Vol. 20. P. 197-204.

13. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // J. of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.

14. Hokni R., Istvud Dzh. Chislennoe modelirovanie metodom chastic. M.: Mir,1987. 640 s. (in Russ.)


Для цитирования:


Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО. Доклады БГУИР. 2018;(5):5-11.

For citation:


Mishchenka V.N. Simulation of the mean drift speed of electrons in arsenide gallium by the Monte-Carlo method. Doklady BGUIR. 2018;(5):5-11. (In Russ.)

Просмотров: 73


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)