bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1004Research ArticleСтатьиМОДЕЛИРОВАНИЕ СРЕДНЕЙ ДРЕЙФОВОЙ СКОРОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛОSimulation of the mean drift speed of electrons in arsenide gallium by the Monte-Carlo methodМищенкоВ. Н.MishchenkaV. N.mishchenko@bsuir.byБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика БеларусьBelarus20180306201905511Copyright © Мищенко В.Н., 20192019Мищенко В.Н.Mishchenka V.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1004

Приведены результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов в одномерной полупроводниковой структуре из арсенида галлия с использованием метода Монте-Карло. Предложен новый набор значений параметров констант моделирования для арсенида галлия, необходимый для реализации метода Монте-Карло, который обеспечивает более высокую точность расчета средней дрейфовой скорости электронов. Результаты моделирования средней дрейфовой скорости электронов с использованием предложенной модели показали хорошее соответствие экспериментальным данным, полученным разными авторами.

арсенид галлияполупроводниковая структурапроцессы переноса электроновметод Монте-КарлоReferencesLittlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson T.H. Velocity-field characteristics of GaAs with G6c-L6c-X6c conduction-band ordering // J. of Applied Physics. 1977. Vol. 48, № 1. P. 4587-4590.Littlejohn M.A., Hauser J.R., Glisson T.H. Velocity-field characteristics of GaAs with G6c-L6c-X6c conduction-band ordering // J. of Applied Physics. 1977. Vol. 48, № 1. P. 4587-4590.Pozela J., Reklaitis A. Electron transport properties in GaAs at high electric fields // Sol. St. Comm. 1980. Vol. 23, № 9. P. 927-933.Pozela J., Reklaitis A. Electron transport properties in GaAs at high electric fields // Sol. St. Comm. 1980. Vol. 23, № 9. P. 927-933.Brennan K.F., Hess K. High field transport in GaAs, InP and InAs // Solid -State Electronics. 1984. Vol. 27, № 4. P. 347-356.Brennan K.F., Hess K. High field transport in GaAs, InP and InAs // Solid -State Electronics. 1984. Vol. 27, № 4. P. 347-356.Fischetti M. Monte Carlo simulation of transport in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures - part I: homogeneous transport // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. Vol. ED-38, № 3. P. 634-649.Fischetti M. Monte Carlo simulation of transport in technologically significant semiconductors of the diamond and zinc-blende structures - part I: homogeneous transport // IEEE Transactions on Electron Devices. 1991. Vol. ED-38, № 3. P. 634-649.Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimension / K. Kalna [et al.] // Solid-State Electronics. 2002. Vol. 46. P. 631-638.Scaling of pseudomorphic high electron mobility transistors to decanano dimension / K. Kalna [et al.] // Solid-State Electronics. 2002. Vol. 46. P. 631-638.David J.K., Register L.F., Banerjee S.K. 3D-Monte Carlo study of short channel tri-gate nanowire MOSFETs // Solid-State Electronics. 2011. Vol. 61. P. 7-12.David J.K., Register L.F., Banerjee S.K. 3D-Monte Carlo study of short channel tri-gate nanowire MOSFETs // Solid-State Electronics. 2011. Vol. 61. P. 7-12.Shur M. Sovremennye pribory na osnove arsenida gallija. M.: Mir, 1991. 632 s. (in Russ.)Shur M. Sovremennye pribory na osnove arsenida gallija. M.: Mir, 1991. 632 s. (in Russ.)Ruch J.G., Kino G.S. Transport Properties of GaAs // Physical Review. 1968. Vol. 174, № 3. P. 921-931.Ruch J.G., Kino G.S. Transport Properties of GaAs // Physical Review. 1968. Vol. 174, № 3. P. 921-931.Braslau N., Hauge P. S. Microwave Measurement of the Velocity-Field Characteristic of GaAs // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. Vol. ED-17, № 8. P. 616-622.Braslau N., Hauge P. S. Microwave Measurement of the Velocity-Field Characteristic of GaAs // IEEE Transactions on Electron Devices. 1980. Vol. ED-17, № 8. P. 616-622.Masselink W.T., Kuech T.F. Velocity-field characteristics of electron in doped GaAs // J. of Electronic Materials. 1989. Vol. 18, № 5. P. 579-584.Masselink W.T., Kuech T.F. Velocity-field characteristics of electron in doped GaAs // J. of Electronic Materials. 1989. Vol. 18, № 5. P. 579-584.Fischetti M., Laux S. E. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band-structure and space-charge effects // Physical Review B. 1988. Vol. 38, № 14. P. 9721-9745.Fischetti M., Laux S. E. Monte Carlo analysis of electron transport in small semiconductor devices including band-structure and space-charge effects // Physical Review B. 1988. Vol. 38, № 14. P. 9721-9745.Houston P.A., Evans A.G. Electron drift velocity in n-GaAs at high electric fields // Solid-State Electronics. 1977. Vol. 20. P. 197-204.Houston P.A., Evans A.G. Electron drift velocity in n-GaAs at high electric fields // Solid-State Electronics. 1977. Vol. 20. P. 197-204.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // J. of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // J. of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.Hokni R., Istvud Dzh. Chislennoe modelirovanie metodom chastic. M.: Mir,1987. 640 s. (in Russ.)Hokni R., Istvud Dzh. Chislennoe modelirovanie metodom chastic. M.: Mir,1987. 640 s. (in Russ.)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.