Выпуск | Название | |
№ 7 (2012) | ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк | ||
"... image converter made with a p-n Si-ZnSe matrix structure are reviewed. It’s shown that the p-n Si-ZnSe ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Волчёк, И. Ю. Ловшенко, В. Т. Шандарович, Дао Динь Ха | ||
№ 7 (2015) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СЕНСОРНЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Волчёк, Д. ХА. Дао, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий | ||
Том 22, № 1 (2024) | Прецизионный преобразователь переменного напряжения в постоянное по уровню среднеквадратического значения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Я. Д. Галкин, О. В. Дворников, В. А. Чеховский | ||
"... The developed model of a resistive-transistor thermoelectric converter, the technique ..." | ||
№ 7 (2018) | ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЛЯ МОНИТОРИГА СИСТЕМ ОСВЕЩЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. П. Василевич, В. З. Нгуен, Е. К. Дятлов | ||
"... В данной статье рассмотрены применения фотоэлектрического преобразователя для контроля и ..." | ||
№ 2 (2017) | ЭФФЕКТЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян | ||
№ 2 (2014) | НАНОРАЗМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ДИЭЛЕКТРИКИ: ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕНТРА НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ БГУИР | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Е. Борисенко | ||
"... and semiconductors, nanostructures with the effect of tunneling magnetoresistance, nanodimensional HfO2 films ..." | ||
№ 5 (2016) | СИНТЕЗ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ЭВТЕКТИЧЕСКОГО СОСТАВА СИСТЕМЫ GaSb-MnSb | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ф. Маренкин, О. А. Новодворский, В. В. Баранов, В. М. Трухан, Т. В. Шёлковая, А. М. Струц | ||
№ 8 (2018) | ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИК ИЗЛУЧЕНИЯ НА БАЗЕ МИКРОРЕЗОНАТОРОВ ФАБРИ–ПЕРО | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Б. Залесский, А. И. Конойко, В. М. Кравченко, К. А. Рещиков | ||
№ 8 (2013) | ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (CuInSe2)x-(2ZnSe)1-x | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Н. Цырельчук, В. В. Хорошко, В. Ф. Гременок, В. А. Иванов | ||
№ 2 (2013) | МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАБОТАЮЩЕГО В СКОЛЬЗЯЩЕМ РЕЖИМЕ ИМПУЛЬСНОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. М. Трещ | ||
"... Simulation model of sliding-mode controller for DC/DC boost converter has been developed. Dynamic ..." | ||
№ 2 (2019) | АТОМАРНАЯ СТРУКТУРА, ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Е. Борисенко, А. В. Кривошеева, Д. Б. Мигас, В. А. Пушкарчук, А. Б. Филонов, В. Л. Шапошников | ||
"... of promising low-dimensional structures from semiconductors, performed for the past five years at the Center ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Электронные и магнитные свойства перовскитов АВО3 (A - Ca, Ce, Y, Na; B - Ti, Nb, Fe, Mn, Ta; O) | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. А. Проскурова, Д. Ч. Гвоздовский, М. С. Баранова, В. Р. Стемпицкий | ||
"... of compounds with a semiconductor (band gap from 1.65 to 2.99 eV) and metallic type of conductivity. The direct ..." | ||
Том 22, № 4 (2024) | Взаимовлияние электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом в условиях зарядовой неустойчивости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Зайцев, Д. А. Подрябинкин, В. В. Мельникова, А. Л. Данилюк | ||
"... of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel of the band gap of the channel material ..." | ||
№ 4 (2017) | МЕТОДИКА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ОБЪЕМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
"... semiconductors based on the electron density functional theory is performed and a technique taking into account ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Низкоразмерный магнетизм в соединениях с различной размерностью магнитного взаимодействия | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Баранова | ||
"... systems are presented. It has been shown that ZnO crystal may be used as a semiconductor non-magnetic ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. П. Гребнев, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... , graphitic carbon nitride and wide band semiconductors zinc oxide and zinc sulfide (g-C3N4/ZnO/ZnS) from ..." | ||
№ 2 (2014) | ПРЕЦИЗИОННЫЕ СИСТЕМЫ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ ДЛЯ ОБОРУДОВАНИЯ ПРОИЗВОДСТВА ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Е. Карпович, В. В. Жарский, И. В. Дайняк | ||
"... »were briefly presented. The module concept of building of electromechanical converters for precision ..." | ||
Том 19, № 6 (2021) | Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавками | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Я. А. Соловьёв | ||
"... characteristic of Schottky diodes with a metal – oxide – semiconductor (MOS) trench structure, which takes ..." | ||
№ 8 (2013) | ФОРМИРОВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ МЕТОДОМ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. А. Хмыль, И. И. Кузьмар, Л. К. Кушнер, Н. В. Богуш, М. М. Борисик, С. М. Завадский | ||
"... Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump semiconductor ..." | ||
№ 4 (2015) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА 3D И 2D РАЗМЕРНОГО Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Богородь, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов, Б. С. Колосницын, Д. Б. Мигас | ||
"... ) are direct bandgap semiconductors while Ca2Si(001) thin films show the metallic properties because of surface ..." | ||
№ 5 (2018) | КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ КОНТРОЛЬ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. Ф. Сенько, А. С. Сенько, В. А. Зеленин | ||
"... The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh ..." | ||
№ 2 (2017) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
Том 20, № 1 (2022) | Эвристическая модель прогнозирования работоспособности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
Том 21, № 2 (2023) | Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
"... semiconductor devices for various frequency ranges. The influence of an external electric field ..." | ||
Том 21, № 4 (2023) | Моделирование из первых принципов свойств графена, модифицированного атомами фтора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Н. Мищенко | ||
"... . The creation of modern semiconductor devices requires the introduction of new materials. Graphene is one ..." | ||
№ 6 (2014) | ПРЯМОЙ ЦИФРОВОЙ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЙ СИНТЕЗАТОР ЧАСТОТЫ С ДЕЛЬТА-СИГМА ФАЗОВОЙ ИНТЕРПОЛЯЦИЕЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. И. Поликаровских | ||
"... . The phase interpolation is performed using a single capacitor integrator and digital-to-analog converters ..." | ||
№ 4 (2016) | МОДИФИКАЦИЯ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ MoS2 ПРИ ЗАМЕЩЕНИИ АТОМОВ СЕРЫ АТОМАМИ ТЕЛЛУРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко | ||
"... and MoS2 compounds in a bulk phase are indirect-gap semiconductors while one monomolecular layer of MoS2 ..." | ||
Том 21, № 2 (2023) | Резисторная модель слоистых пленочных структур | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Тунг Фам Ван, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко | ||
"... by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors ..." | ||
Том 18, № 7 (2020) | Электронные свойства квазидвумерных халькогенидов переходных металлов с низкоразмерным магнетизмом | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. С. Баранова, П. А. Проскурова | ||
"... under study, CrGeTe3 is a semiconductor nanosized ferromagnet. In addition, one is a semiconductor ..." | ||
№ 2 (2016) | СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА АЛЬТЕРНАТИВНЫХ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И ДИАГНОСТИКИ МОНТАЖНЫХ КОНСТРУКЦИЙ «П/П КРИСТАЛЛ - ПОДЛОЖКА» | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. С. Волкенштейн, И. В. Дайняк, А. А. Хмыль | ||
"... been earlier expanded concerning to study “semiconductor chip - substrate” assemblies peculiarity, has ..." | ||
№ 5 (2018) | ЭФФЕКТИВНОСТЬ МОДЕЛЕЙ ДЕГРАДАЦИИ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ПРИ ПРОГНОЗИРОВАНИИ ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ НАДЕЖНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Боровиков, Н. И. Цырельчук, С. С. Дик, Е. Н. Шнейдеров | ||
"... For semiconductor devices of high power, the authors experimentally obtained of models ..." | ||
№ 8 (2018) | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... The results of modeling of electron transfer processes in a three-dimensional semiconductor ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С InGaZnO-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СЛОЕМ ДЛЯ АКТИВНО-МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Б. А. Казаркин, А. А. Степанов, Е. В. Муха, И. И. Захарченя, Е. А. Хохлов, А. Г. Смирнов | ||
"... semiconductor compound (IGZO) for active-matrix displays addressing formed by magnetron plasma-chemical ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Ab initio calculations of electronic band structure of CdMnS semimagnetic semiconductors | Аннотация похожие документы |
М. А. Mehrabova, N. T. Panahov, N H. Hasanov | ||
"... This work is devoted to theoretical investigations of Cd1-xMnxS semimagnetic semiconductors (SMSC ..." | ||
Том 18, № 7 (2020) | Моделирование процессов переноса электронов в полупроводниковой структуре с использованием графена и нитрида бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... -dimensional semiconductor structure containing graphene and layers of boron hexagonal nitride using the Monte ..." | ||
Том 20, № 7 (2022) | Модель прогнозирования времени тестирования компьютерной программы автоматизированной оценки надежности полупроводниковых приборов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров | ||
"... products, including semiconductor devices. At the stage of work planning on the creation of the KLASS ..." | ||
Том 19, № 1 (2021) | Индивидуальное прогнозирование надежности транзисторов большой мощности для электронных устройств медицинского назначения | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Боровиков, В. О. Казючиц | ||
"... reliable semiconductor devices in electronic equipment. Experimental studies and the example of high-power ..." | ||
Том 20, № 7 (2022) | Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремний | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, Н. С. Ковальчук, Я. А. Соловьёв, Д. В. Шестовский, Д. В. Жигулин | ||
"... of the semiconductor. The ideal behavior of the base current versus the emitter-based voltage is maintained by applying ..." | ||
№ 6 (2015) | ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. И. Левченко, Л. И. Постнова, Е. Л. Труханова, В. П. Бондаренко | ||
"... ZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer ..." | ||
№ 7 (2017) | ANALYTICAL SOLUTION OF EQUATIONS SET DESCRIBING DIFFUSION OF POINT DEFECTS IN THE 2-LAYER SEMICONDUCTOR STRUCTURE | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
, | ||
"... The boundary-value problem on impurity and point defect diffusion in the 2-layer semiconductor ..." | ||
Том 21, № 5 (2023) | Влияние ориентации каналов в кулерах воздушного охлаждения на эффективность отведения тепла от процессоров | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев, А. Н. Беликов, Д. Г. Рыбаков | ||
"... such powerful semiconductor devices as processors are presented. Experiments were performed in the SOLIDWORKS ..." | ||
№ 6 (2017) | ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ РАССЕИВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В ОДИНОЧНОМ СЛОЕ ГРАФЕНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... , makes graphene a promising material for the creation of new semiconductor devices with good output ..." | ||
№ 2 (2017) | ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА САМОРАСПРОСТРАНЯЮЩЕГОСЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СИНТЕЗА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТЫХ ВАКУУМНЫХ ВСТАВОК ПЛАНШАЙБ ОБОРУДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
М. В. Тумилович, Л. П. Пилиневич, А. М. Тарайкович, В. Е. Толстик, Г. А. Шеко | ||
"... -temperature synthesis of porous vacuum inserts of the faceplates used by production of semiconductor silicon ..." | ||
№ 7-8 (2019) | ИНТЕНСИВНОСТИ РАССЕИВАНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАФЕНЕ, РАСПОЛОЖЕННОМ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ ГЕКСОГОНАЛЬНОГО НИТРИДА БОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко | ||
"... for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the microwave and HF bands. Formulas ..." | ||
Том 19, № 4 (2021) | Схема поляризационного разнесения для масштабирования сети WDM/TDM GPON до 60 км с использованием полупроводниковых оптических усилителей на квантовых точках | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Д. Тусупов, А. Т. Тохметов, Н. И. Листопад | ||
"... , the suburbs and the countryside. To solve this problem, it is proposed to use quantum dot semiconductor ..." | ||
Том 18, № 5 (2020) | Индивидуальное прогнозирование надежности биполярных транзисторов с использованием электрического напряжения в качестве имитационного фактора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров, А. И. Бересневич, В. О. Казючиц | ||
"... Individual forecasting of the reliability of semiconductor devices, taking into account gradual ..." | ||
Том 20, № 2 (2022) | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко | ||
"... for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the ranges of ultrahigh and extreme ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. С. Ковальчук, А. А. Омельченко, В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, С. А. Демидович, В. В. Колос, В. А. Филипеня, Д. В. Шестовский | ||
"... photonic treatment. Passivation by nitrogen atoms of deformations at the dielectric/semiconductor interface ..." | ||
№ 8 (2014) | ОЦЕНКА ЭФФЕКТИВНОСТИ НАПРАВЛЕННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВСТРЕЧНО-ШТЫРЕВОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА НЕОДНОРОДНО ПОЛЯРИЗОВАННОМ ЗВУКОПРОВОДЕ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Г. Басов | ||
"... -штыревого преобразователя, выполненного с неоднородной поляризацией пьезозвукопровода и возбуждающего ..." | ||
Том 21, № 3 (2023) | Архитектура аппаратно-программного средства однонаправленной передачи данных в компьютерных сетях | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Ю. И. Воротницкий, Р. А. Румас | ||
"... isolation, media converters and proxy servers, excluding bidirectional data transmission at the hardware ..." | ||
Том 19, № 3 (2021) | Повышение точности и метрологическое обеспечение измерителей мощности в диапазоне частот от 37,5 до 178,6 ГГц. | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Гусинский, М. М. Касперович, В. А. Богуш | ||
"... of the device. A description of the structure of isothermal calorimetric converters of autocompensation type ..." | ||
Том 22, № 3 (2024) | Влияние рекристаллизации механически нарушенного слоя с рабочей стороны кремниевой пластины на электрические параметры КМОП интегральных микросхем | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. А. Пилипенко, В. А. Солодуха, А. А. Сергейчик, Д. В. Шестовский | ||
"... metal-oxide-semiconductor microcircuits has been established. The analyzed characteristics of n- and p ..." | ||
Том 18, № 3 (2020) | Делокализация электронных состояний В n-Si при низких температурах | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Л. Данилюк, А. Г. Трафименко, А. К. Федотов, С. Л. Прищепа | ||
"... of the parameters describing the electric transport in semiconductors, such as activation energy, non-equilibrium ..." | ||
Том 18, № 2 (2020) | ФОРМИРОВАНИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОСАЖДЕННОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ОКСИДА ЦИНКА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. О. Янушкевич, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко | ||
"... and dopant atoms in the doped semiconductor, which in turn changes the position of the corresponding levels ..." | ||
Том 22, № 5 (2024) | Особенности структуры пористого кремния, сформированного на сильнолегированных пластинах монокристаллического кремния электронного типа проводимости | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
У. П. Лопато, Д. Д. Лапутько, Н. Л. Гревцов, В. П. Бондаренко | ||
"... of metals and semiconductors. ..." | ||
№ 1 (2012) | ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ СИСТЕМЫ ПОВЫШЕННОЙ ЧАСТОТЫ ДЛЯ МИКРОСВАРКИ ПРОВОЛОЧНЫХ ВЫВОДОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Б. Петухов | ||
"... преобразователя для микросварки проволочных выводов. Моделированием резонансной частоты и импеданса ультразвуковых ..." | ||
№ 3 (2015) | РАСЧЕТ ЗАЩИЩЕННОСТИ СИГНАЛА ТИПА OFDM ОТ ПОМЕХ НЕЛИНЕЙНОГО ПРОИСХОЖДЕНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. И. Кириллов, А. А. Пилюшко, Е. К. Карпук | ||
Том 20, № 5 (2022) | Особенности структуры и схемотехники автономной фотоэлектрической установки с аккумуляторно-емкостным накопителем энергии. | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. П. Василевич, М. Е. Збышинская | ||
"... the capacitive part of the energy storage device from a solar panel directly or with a shunt DC/DC converter ..." | ||
Том 19, № 3 (2021) | Анализ программ для расчета системных характеристик сверхширокополосных радиоприемных трактов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. В. Архипенков | ||
"... for calculations. The article presents formulas forcalculating the noise figure of an analog-to-digital converter ..." | ||
Том 18, № 7 (2020) | Способы структурно-функциональной реализации сверхширокодиапазонных приемных трактов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Д. В. Архипенков, И. И. Забеньков, С. С. Солонович | ||
"... frequency range of 0.5–18 GHz and an analogto-digital converter with a speed of up to 10.4 GSPS. The element ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Ab-initio simulation of hydrogenated graphene properties | Аннотация похожие документы |
V. V. Murav’ev, V. M. Mishchenka | ||
"... is considered one of the most promising materials for the formation of new semiconductor devices with good ..." | ||
№ 4 (2016) | ШИРОКОПОЛОСНОЕ ВОЗБУЖДЕНИЕ ГИПЕРЗВУКА В ЛИНИЯХ ЗАДЕРЖКИ СВЧ-ДИАПАЗОНА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. Г. Басов | ||
"... -штыревым преобразователем. Показана возможность построения широкополосных линий задержки сверхвысоких ..." | ||
№ 5 (2013) | КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Котов, Н. Ф. Голубев, В. Е. Борисенко | ||
"... технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии ..." | ||
№ 8 (2016) | ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОГО РЕЖИМА НА НАДЕЖНОСТЬ И ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ПРИБОРОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. .. Атаев | ||
"... The cooling systems for semiconductor integrated circuits with high degree of integration ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Energy levels of an electron in a circular quantum dot in the presence of spin-orbit interactions | Аннотация похожие документы |
А. V. Baran, V. V. Kudryashov | ||
"... The two-dimensional circular quantum dot in a double semiconductor heterostructure is simulated ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | Modeling AlGaN p-i-n photodiodes | Аннотация похожие документы |
N. N. Vorsin, A. A. Gladyshchuk, T. L. Kushner, N. P. Tarasiuk, S. V. Chugunov, M. V. Borushko | ||
"... of interaction of a semiconductor with EM radiation, we used a model based on the use of an element ..." | ||
№ 3 (2017) | ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. М. Боровик, В. Т. Ханько, В. Р. Стемпицкий | ||
"... semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency ..." | ||
№ 2 (2012) | ВЫБОР ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ОЧИСТКИ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. С. Томаль | ||
"... Для повышения эффективности ультразвуковой очистки в ваннах с распределенными преобразователями ..." | ||
№ 5 (2013) | МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. П. Лазарь, Ф. П. Коршунов | ||
"... -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных ..." | ||
№ 7 (2017) | ФЛУОРЕСЦЕНТНАЯ ДИАГНОСТИКА КАРИЕСА ЗУБОВ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. С. Ляшенко, М. П. Самцов, Е. С. Воропай, А. В. Бутвиловский, В. Р. Гайфуллина, М. В. Бобкова | ||
"... of the specially designed spectrometric system with excitation by a semiconductor laser source with a wavelength ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | COLOR AND SPECTRAL CHARACTERISTICS OF WHITE LIGHT EMITTING DIODES AND THEIR VARIATION DURING AGING | Аннотация похожие документы |
A. L. Gurskii, M. V. Masheda | ||
"... the semiconductor heterostructure, and the broad “yellow” band from luminophor, the last band is nonelementary ..." | ||
№ 7 (2012) | ОПТИМИЗАЦИЯ ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА ЛАЗЕРНОЙ ТЕЛЕМЕТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
К. В. Мельников | ||
"... Рассмотрены различные схематические решения построения каскадов преобразователей оптического ..." | ||
№ 5 (2016) | ЗОННАЯ СТРУКТУРА НАНОШНУРОВ СИЛИЦИДА КАЛЬЦИЯ Ca2Si | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Богородь, С. А. Волчёк, Д. Б. Мигас | ||
"... and different morphologies are presented. It's found that Ca2Si<001> nanowires are direct bandgap semiconductors ..." | ||
№ 6 (2013) | КАЛИБРОВКА СИСТЕМЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОВОДНИКОВ НА ПОДЛОЖКЕ МИКРОСХЕМЫ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
И. Н. Губчик | ||
"... of estimation position of the conductor connecting the semiconductor chip and the substrate. A nonlinear model ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Ускоренные испытания транзисторов большой мощности на длительную наработку при решении задач прогнозирования их надежности методом имитационных воздействий | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
В. О. Казючиц, Е. В. Калита, С. М. Боровиков, А. И. Бересневич | ||
"... When evaluating the individual reliability of semiconductor devices by gradual failures ..." | ||
№ 6 (2012) | КОНТРОЛЬ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО РАЗРЯДА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Г. А. Пискун, В. Ф. Алексеев | ||
"... in the consideration of functional units, and allows to define the scope of preserving the integrity of semiconductor ..." | ||
Том 19, № 5 (2021) | Низкотемпературный мультидифференциальный операционный усилитель | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. В. Дворников, В. А. Чеховский, В. Л. Дятлов, А. В. Кунц, Н. Н. Прокопенко | ||
"... for the loss of OAmp3 performance is an increase of the resistance of semiconductor resistors by almost 5 ..." | ||
№ 1 (2019) | ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК ZnO+10 % ITO НА ПОДЛОЖКАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. И. Мухуров, С. В. Денисюк, А. Н. Чумаков, А. А. Шевченок, Л. В. Баран, А. Г. Кароза, Т. Ф. Райченок, Н. А. Босак, А. А. Иванов, Х. Чжан, Г. Ю | ||
"... преобразователях как люминесцентный материал, в виде прозрачных электродов, чувствительных слоев газовых и ..." | ||
№ 8 (2015) | АНАЛИЗ УСЛОВИЙ ВОЗБУЖДЕНИЯ СВЧ-РАЗРЯДА НИЗКОГО ВАКУУМА В ПЛАЗМОТРОНЕ РЕЗОНАТОРНОГО ТИПА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
С. И. Мадвейко, С. В. Бордусов, М. С. Лушакова | ||
"... change caused by its partial loading with semiconductor wafers leads to the decrease of resonator’s total ..." | ||
Том 19, № 8 (2021) | First-principles study of stability and electronic properties of single-element 2D materials | Аннотация похожие документы |
D. C Hvazdouski | ||
"... indicates the presence of insulators (N2), semiconductors (P2, As2, Bi2, Sb2), semimetals, and metals among ..." | ||
№ 7 (125) (2019): Спецвыпуск | АММИАЧНАЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Н. В. Ржеуцкий, Я. А. Соловьев, А. Г. Войнилович, И. Е. Свитенков, А. Н. Петлицкий, Д. В. Жигулин, Е. В. Луценко | ||
"... are important for creating of nitride-based UV-emitting optoelectronic semiconductor devices, as well as high ..." | ||
Том 18, № 1 (2020) | КОНДЕНСАТОРНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ТИТАНАТА БАРИЯ, СФОРМИРОВАННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
П. А. Холов, Н. В. Гапоненко, К. В. Шейдакова, В. И. Крымский, В. А. Филипеня, Т. В. Петлицкая, В. В. Колос, А. Н. Петлицкий | ||
"... monochromatic CuKα radiation. Capacitance-voltage characteristics were obtained using a B1500A semiconductor ..." | ||
Том 20, № 4 (2022) | Разборчивость и узнаваемость речи диктора при электроакустических преобразованиях в трансформаторе | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ю. Шафранов, Т. В. Борботько | ||
"... электроакустического преобразователя использовался трансформатор, а в качестве контрольно-измерительной аппаратуры ..." | ||
Том 19, № 6 (2021) | Автоматическое распознавание и представление текста в виде аудиопотока | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
Л. В. Серебряная, И. Е. Ласый | ||
"... декодировщика и преобразователя. Спроектирована архитектура программного средства, в которую входят графический ..." | ||
1 - 85 из 85 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)