Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Полный текст:

Аннотация

Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p - n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p - n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов.

Об авторах

В. А. Сычик
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Н. Н. Уласюк
Белорусский национальный технический университет
Беларусь


Список литературы

1. Сычик В.А. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. Минск, 1991.

2. Махнат В.П. // Микроэлектроника. 1998. №2. С. 90-92.


Для цитирования:


Сычик В.А., Уласюк Н.Н. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ. Доклады БГУИР. 2012;(7):121-124.

For citation:


Sychic V.A., Ulasyuk N.N. Semiconductor image converter. Doklady BGUIR. 2012;(7):121-124. (In Russ.)

Просмотров: 23


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)