Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ

Аннотация

Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p - n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p - n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов.

Для цитирования:


Сычик В.А., Уласюк Н.Н. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ. Доклады БГУИР. 2012;(7):121-124.

For citation:


Sychic V.A., Ulasyuk N.N. Semiconductor image converter. Doklady BGUIR. 2012;(7):121-124. (In Russ.)

Просмотров: 416


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)