ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ
Аннотация
Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p - n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p - n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов.
Об авторах
В. А. Сычик
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
Н. Н. Уласюк
Белорусский национальный технический университет
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Сычик В.А. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. Минск, 1991.
2. Махнат В.П. // Микроэлектроника. 1998. №2. С. 90-92.
Рецензия
Для цитирования:
Сычик В.А., Уласюк Н.Н. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯ. Доклады БГУИР. 2012;(7):121-124.
For citation:
Sychic V.A., Ulasyuk N.N. Semiconductor image converter. Doklady BGUIR. 2012;(7):121-124. (In Russ.)
Просмотров:
409
Послать статью по эл. почте 