bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-115Research ArticleСтатьиПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖЕНИЯSemiconductor image converterСычикВ. А.SychicV. A.noemail@neicon.ruУласюкН. Н.UlasyukN. N.noemail@neicon.ruБелорусский национальный технический университетBelarus20120306201907121124Copyright © Сычик В.А., Уласюк Н.Н., 20192019Сычик В.А., Уласюк Н.Н.Sychic V.A., Ulasyuk N.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/115

Рассмотрены структурная схема, зонная диаграмма, принцип работы и электрофизические свойства полупроводникового преобразователя изображения, выполненного на основе p - n Si-ZnSe матричной структуры. Показано, что p - n Si-ZnSe фотодиодная матрица может быть использована в качестве чувствительного устройства радиационных и оптических интроскопов.

The structural scheme, band diagram, working principle and electrical properties of semiconductor image converter made with a p-n Si-ZnSe matrix structure are reviewed. It’s shown that the p-n Si-ZnSe photodiode array can be used as a sensing device and optical radiation introscopes.

полупроводниковый преобразовательматричная структуразонная диаграммаэлектрофизические свойстваReferencesСычик В.А. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. Минск, 1991.Сычик В.А. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. Минск, 1991.Махнат В.П. // Микроэлектроника. 1998. №2. С. 90-92.Махнат В.П. // Микроэлектроника. 1998. №2. С. 90-92.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.