The impruvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulation
Abstract
The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement and its device-process simulation are presented. The process flow improvement have allowed to reduce number of metal intermediate subject copies (MISC) applied at projection photolithography by one and to receive experimental samples of transistor with required electrical characteristic. The BSIT device simulation was performed with using the developed by authors model of transistor and the software package MOD-1D.
About the Authors
N. L. Lagunovich
research & design center «Belmicrosystems» of Openly Join-Stock Company «INTEGRAL»
Belarus
Belarus
V. M. Borzdov
Belarusian state university
Belarus
Belarus
A. S. Turtsevich
Industry Ministry of Republic of Belarus
Belarus
Belarus
References
1. Дудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией // Докл. БГУИР. 2005. № 2 (10). C. 79-85.
2. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора // Вестник дагестанского государственного технического университета. 2011. Т. 20, № 1. С. 6-11.
3. Silvaco [Electronic resource]. - Mode of access: http://www.silvaco.com. - Date of access: 31.03.2017.
4. Лагунович Н.Л. Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь.
5. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.
6. Gummel H.K. A self consistent iterative scheme for one-dimentional steady state transistor calculations // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, № 10. P. 455-465.
7. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.
8. Кремлев В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. М.: Высш. шк., 1990. 144 с.
9. Техника оптической связи: Фотоприемники / Под ред. У.Т. Тсанга. М.: Мир, 1988. 526 с.
10. Келдыш Л.В. Кинетическая теория ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. 1960. Т. 37, вып. 3. C. 713-727.
Review
For citations:
Lagunovich N.L., Borzdov V.M., Turtsevich A.S. The impruvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulation. Doklady BGUIR. 2017;(3):70-77. (In Russ.)
Views: 1465
Email this article 