bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-865Research ArticleСтатьиУСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАРШРУТА ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙThe impruvement of process flow making bipolar static induction transistor and its device-process simulationЛагуновичН. Л.LagunovichN. L.n_dudarby@tut.byБорздовВ. М.BorzdovV. M.noemail@neicon.ruТурцевичА. С.TurtsevichA. S.noemail@neicon.ruОАО “ИНТЕГРАЛ”- управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ», НТЦ «Белмикросистемы»Беларусьresearch & design center «Belmicrosystems» of Openly Join-Stock Company «INTEGRAL»BelarusБелорусский государственный университетБеларусьBelarusian state universityBelarusМинистерство промышленности Республики БеларусьБеларусьIndustry Ministry of Republic of BelarusBelarus201703062019037077Copyright © Лагунович Н.Л., Борздов В.М., Турцевич А.С., 20192019Лагунович Н.Л., Борздов В.М., Турцевич А.С.Lagunovich N.L., Borzdov V.M., Turtsevich A.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/865

Приведены результаты усовершенствования технологического маршрута изготовления биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ) и его приборно-технологического моделирования. Усовершенствование маршрута позволило сократить количество металлизированных промежуточных оригиналов (МПО), используемых при проекционной фотолитографии, на один, и получить экспериментальные образцы транзистора с требуемыми электрическими характеристиками. Приборное моделирование БСИТ было выполнено с использованием разработанных авторами модели транзистора и комплекса программ MOD-1D.

The results of the bipolar static induction transistor (BSIT) making process flow improvement and its device-process simulation are presented. The process flow improvement have allowed to reduce number of metal intermediate subject copies (MISC) applied at projection photolithography by one and to receive experimental samples of transistor with required electrical characteristic. The BSIT device simulation was performed with using the developed by authors model of transistor and the software package MOD-1D.

биполярный транзисторстатическая индукциятехнологический маршрут изготовленияприборно-технологическое моделированиеbipolar transistorstatic inductionmaking process flowdevice-process simulationReferencesДудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией // Докл. БГУИР. 2005. № 2 (10). C. 79-85.Дудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией // Докл. БГУИР. 2005. № 2 (10). C. 79-85.Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора // Вестник дагестанского государственного технического университета. 2011. Т. 20, № 1. С. 6-11.Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора // Вестник дагестанского государственного технического университета. 2011. Т. 20, № 1. С. 6-11.Silvaco [Electronic resource]. - Mode of access: http://www.silvaco.com. - Date of access: 31.03.2017.Silvaco [Electronic resource]. - Mode of access: http://www.silvaco.com. - Date of access: 31.03.2017.Лагунович Н.Л. Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь.Лагунович Н.Л. Компьютерная программа MOD-1D: св-во о гос. рег. № 742 Респ. Беларусь.МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти. М.: Радио и связь, 1988. 490 с.Gummel H.K. A self consistent iterative scheme for one-dimentional steady state transistor calculations // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, № 10. P. 455-465.Gummel H.K. A self consistent iterative scheme for one-dimentional steady state transistor calculations // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. Vol. ED-11, № 10. P. 455-465.Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: Зинатне, 1986. 168 с.Кремлев В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. М.: Высш. шк., 1990. 144 с.Кремлев В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС. М.: Высш. шк., 1990. 144 с.Техника оптической связи: Фотоприемники / Под ред. У.Т. Тсанга. М.: Мир, 1988. 526 с.Техника оптической связи: Фотоприемники / Под ред. У.Т. Тсанга. М.: Мир, 1988. 526 с.Келдыш Л.В. Кинетическая теория ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. 1960. Т. 37, вып. 3. C. 713-727.Келдыш Л.В. Кинетическая теория ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. 1960. Т. 37, вып. 3. C. 713-727.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.