Structure of transitional layer forming in Mo-Si system by P+ ion implantation over molybdenum film
Abstract
Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo-Si system and of irradiation by phosphorus ions of generated ohmic contact of system Mo-Si and an annealing at low temperatures on the structure and phase composition of transitional layer have been considered.
About the Authors
Yu. P. Snitovsky
Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси
Belarus
Belarus
L. P. Khodarina
Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси
Belarus
Belarus
References
1. Тагер А.С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физический сборник. 1981. Т. 21, № 4. С. 23-44.
2. Тетельбаум Д.И. 50 лет исследований в НИФТИ ННГУ в области физических проблем ионной имплантации // Вестн. Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. № 5. С. 250-259.
3. Технология ионного легирования / Под ред. П.В. Павлова. М.: Сов. радио, 1974. 160 с.
4. Liefting J.R. Engineering of damage in ion implanted silicon: PhD Thesis Degree. Enschede Univ. of Twente, 1992. 335 p.
5. Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а.с. 897048 СССР, МКИ H 01 L 21/18 / В.Ф. Данилов, Ю.П. Снитовский, А.А. Рассадин, В.П. Калиновченко. № 2980998/18-25. 3 с.
6. Снитовский Ю.П. Влияние облучения ионами фосфора омических контактов на параметры транзисторов // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59-60.
7. Ходарина Л.П., Зеленин В.А., Гурский Л.И. Формирование ямок на поверхности Si(111) при термообработке структур Si/Al // Докл. БГУИР. 2009. № 3. С. 73-78.
8. Солодуха В.А., Снитовский Ю.П. Управляемая трансформация параметров кремниевых биполярных мощных СВЧ-транзисторов ионными пучками // Докл. НАН Беларуси. 2015. Т. 59. № 1. С. 112-117.
9. Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с.
10. Гурский Л.И., Зеленин В.А., Бобченок Ю.Л. Особенности фазовых превращений в системе молибден-кремний, подвергнутой ионной бомбардировке // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72-75.
Review
For citations:
Snitovsky Yu.P., Khodarina L.P. Structure of transitional layer forming in Mo-Si system by P+ ion implantation over molybdenum film. Doklady BGUIR. 2017;(1):5-12. (In Russ.)
Views: 302
Email this article 