bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-825Research ArticleСтатьиСТРУКТУРА ПЕРЕХОДНОГО СЛОЯ, ФОРМИРУЮЩЕГОСЯ В СИСТЕМЕ Mo-Si ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ Р+ ЧЕРЕЗ ПЛЕНКУ МОЛИБДЕНАStructure of transitional layer forming in Mo-Si system by P+ ion implantation over molybdenum filmСнитовскийЮ. П.SnitovskyYu. P.yu.snitovsky@tut.byХодаринаЛ. П.KhodarinaL. P.noemail@neicon.ruФизико-технический институт Национальной академии наук БеларусиBelarus20170306201901512Copyright © Снитовский Ю.П., Ходарина Л.П., 20192019Снитовский Ю.П., Ходарина Л.П.Snitovsky Y.P., Khodarina L.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/825

Рассмотрены вопросы влияния дозы легирования Si(111) ионами фосфора, влияния постимплантационного отжига легированного Si и отжига системы Mo-Si, а также облучения ионами фосфора сформированных омических контактов системы Mo-Si и низкотемпературной термообработки на структуру и фазовый состав переходного слоя.

Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo-Si system and of irradiation by phosphorus ions of generated ohmic contact of system Mo-Si and an annealing at low temperatures on the structure and phase composition of transitional layer have been considered.

структура переходного слоясистема Mo-Siионная имплантациякремниевые эпитаксиальные структурыstructure of the transition layerMo-Si systemion implantationepitaxial silicon structuresReferencesТагер А.С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физический сборник. 1981. Т. 21, № 4. С. 23-44.Тагер А.С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физический сборник. 1981. Т. 21, № 4. С. 23-44.Тетельбаум Д.И. 50 лет исследований в НИФТИ ННГУ в области физических проблем ионной имплантации // Вестн. Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. № 5. С. 250-259.Тетельбаум Д.И. 50 лет исследований в НИФТИ ННГУ в области физических проблем ионной имплантации // Вестн. Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. № 5. С. 250-259.Технология ионного легирования / Под ред. П.В. Павлова. М.: Сов. радио, 1974. 160 с.Технология ионного легирования / Под ред. П.В. Павлова. М.: Сов. радио, 1974. 160 с.Liefting J.R. Engineering of damage in ion implanted silicon: PhD Thesis Degree. Enschede Univ. of Twente, 1992. 335 p.Liefting J.R. Engineering of damage in ion implanted silicon: PhD Thesis Degree. Enschede Univ. of Twente, 1992. 335 p.Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а.с. 897048 СССР, МКИ H 01 L 21/18 / В.Ф. Данилов, Ю.П. Снитовский, А.А. Рассадин, В.П. Калиновченко. № 2980998/18-25. 3 с.Способ изготовления СВЧ-транзисторов: а.с. 897048 СССР, МКИ H 01 L 21/18 / В.Ф. Данилов, Ю.П. Снитовский, А.А. Рассадин, В.П. Калиновченко. № 2980998/18-25. 3 с.Снитовский Ю.П. Влияние облучения ионами фосфора омических контактов на параметры транзисторов // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59-60.Снитовский Ю.П. Влияние облучения ионами фосфора омических контактов на параметры транзисторов // Электрон. промышленность. 1992. № 1. С. 59-60.Ходарина Л.П., Зеленин В.А., Гурский Л.И. Формирование ямок на поверхности Si(111) при термообработке структур Si/Al // Докл. БГУИР. 2009. № 3. С. 73-78.Ходарина Л.П., Зеленин В.А., Гурский Л.И. Формирование ямок на поверхности Si(111) при термообработке структур Si/Al // Докл. БГУИР. 2009. № 3. С. 73-78.Солодуха В.А., Снитовский Ю.П. Управляемая трансформация параметров кремниевых биполярных мощных СВЧ-транзисторов ионными пучками // Докл. НАН Беларуси. 2015. Т. 59. № 1. С. 112-117.Солодуха В.А., Снитовский Ю.П. Управляемая трансформация параметров кремниевых биполярных мощных СВЧ-транзисторов ионными пучками // Докл. НАН Беларуси. 2015. Т. 59. № 1. С. 112-117.Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с.Физические процессы в облученных полупроводниках. / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с.Гурский Л.И., Зеленин В.А., Бобченок Ю.Л. Особенности фазовых превращений в системе молибден-кремний, подвергнутой ионной бомбардировке // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72-75.Гурский Л.И., Зеленин В.А., Бобченок Ю.Л. Особенности фазовых превращений в системе молибден-кремний, подвергнутой ионной бомбардировке // Физика и химия обработки материалов. 1984. № 5. С. 72-75.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.