Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-2-37-45

Аннотация

С увеличением плотности интеграции и уменьшением размеров элементов появляется необходимость оптимизации технологических процессов фотолитографии. Для повышения разрешающей способности и глубины фокуса объективов проекционного оборудования, работающего в УФ-диапазоне на базе ртутных газоразрядных ламп, эффективно применение внеосевого освещения. Метод внеосевого освещения уменьшает дифракционные ограничения и повышает разрешающую способность при проектных нормах порядка 250–350 нм. В статье представлены результаты комплексного анализа методов формирования и оптимизации систем внеосевого освещения в проекционной фотолитографии, предложен и апробирован метод имитации внеосевого кольцевого освещения для установок, не имеющих штатных систем повышения разрешения, эффективность и адекватность которого подтверждены проведенными экспериментальными исследованиями.

Об авторах

А. А. Захаревич
ОАО «ИНТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Захаревич Андрей Анатольевич  вед. инж.; магистр техн. наук, асп. каф. электронной техники и технологии

220108, Минск, ул. Казинца, 121а

Тел.: +375 29 572-01-78



И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь

Ловшенко И. Ю., зав. науч.-исслед. лаб. «Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем» (НИЛ 4.4)

Минск



Список литературы

1. Mack C. A. (2007) Fundamental Principles of Optical Lithography: The Science of Microfabrication. Chichester, Wiley Publ.

2. Born M., Wolf E. (1999) Principles of Optics. Cambridge, Cambridge University Press Publ.

3. Mack C. A. (1997) Inside PROLITHTM. A Comprehensive Guide to Optical Lithography Simulation. For the PROLITH Family of Lithography Simulation Tools, v5.0. USA, Austin, Texas, Published by FINLE Technologies, Inc.

4. Lin B. J. (2010) Optical Lithography: Here is Why. SPIE Press Publ.

5. Applications Documentation. Image Quality Control: How to Do the Setup and Run. ASML, 2001.

6. Wong A. (2001) Resolution Enhancement Techniques in Optical Lithography. Engineering, Physics.

7. Mack C. A. (2007) Line-Edge Roughness and Its Impact on Lithography. Journal of Micro/Nanolithography. 6 (3). https://www.lithoguru.com/scientist/litho_papers/2010_LER_Ultimate_Limits.pdf.

8. Mack C. A. (2006) Field Guide to Optical Lithography. USA, Washington, SPIE Press Publ.

9. Levinson H. J. (2019) Principles of Lithography. Bellingham, Washington USA, SPIE Press Publ.

10. Levinson H. J. (2001) Lithography Process Control. Bellingham, Washington USA, SPIE Press Publ.

11. Mack C. A. (1988) Understanding Focus Effects in Submicron Optical Lithography. Optical Engineering. 27 (12), 1093–1100.

12. Brunner T. A. (1997) Impact of Lens Aberrations on Optical Lithography. IBM Journal of Research and Development. 41 (1/2), 57–67.

13. Mack C. A. (1997) Resolution and Depth of Focus in Optical Lithography. Microlithographic Techniques in IC Fabrication, Proc., SPIE. 3183, 14–27.


Рецензия

Для цитирования:


Захаревич А.А., Ловшенко И.Ю. Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм. Доклады БГУИР. 2026;24(2):37-45. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-2-37-45

For citation:


Zakharevich A., Lovshenko I. The Impact of Off-Axis Illumination on the Optimization of the 250–350 nm Projection Photolithography Process. Doklady BGUIR. 2026;24(2):37-45. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-2-37-45

Просмотров: 109

JATS XML


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)