ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА
Аннотация
Разработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации. Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм.
Об авторах
А. М. Боровик
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
В. Т. Ханько
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Список литературы
1. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М.: Физматлит, 2010. 408 с.
2. BSIM4v4.7 MOSFET Model. User’s Manual / C. Hu [et. al.]. Berkeley: Department of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California, 2011. 184 p.
3. The HiSIM compact model family for integrated devices containing a surface-potential MOSFET core / H.J. Mattausch [et al.] // Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, 2008 (MIXDES 2008). P. 39-50.
4. Iino Y.A Trial Report: HiSIM-1.2 Parameter Extraction for 90 nm Technology // 2004 Workshop on Compact Modeling (WCM 2004). 2004. P. 147-150.
5. HiSIM 2.8.0 User’s Manual / M. Miura-Mattausch [et al.]. Hiroshima: Hiroshima University, 2014. 113 p.
6. Well-Tempered Bulk-Si 90 nm NMOSFET Device / D. Antoniadis [et al.] [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well. - Дата доступа: 15.03.2017.
7. Чан Туан Чунг, Боровик А.М., Стемпицкий В.Р. Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой модели // Докл. БГУИР. 2014. № 8 (86). С. 11-17.
Для цитирования:
Боровик А.М.,
Ханько В.Т.,
Стемпицкий В.Р.
ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА. Доклады БГУИР. 2017;(3):65-69.
For citation:
Borovik A.M.,
Khanko V.T.,
Stempitsky V.R.
Electrical model of the 90 nm MOSFET. Doklady BGUIR. 2017;(3):65-69.
(In Russ.)
Просмотров:
5750
Послать статью по эл. почте 