bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-864Research ArticleСтатьиЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ 90-НАНОМЕТРОВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРАElectrical model of the 90 nm MOSFETБоровикА. М.BorovikA. M.borovik@bsuir.byХанькоВ. Т.KhankoV. T.noemail@neicon.ruСтемпицкийВ. Р.StempitskyV. R.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian state university of informatics and radioelectronics201703062019036569Copyright © Боровик А.М., Ханько В.Т., Стемпицкий В.Р., 20192019Боровик А.М., Ханько В.Т., Стемпицкий В.Р.Borovik A.M., Khanko V.T., Stempitsky V.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/864

Разработана методика экстракции и идентификации параметров электрических моделей наноразмерных полупроводниковых приборов, основанная на применении методов оптимизации. Эффективность предлагаемого подхода к идентификации, экстракции и оптимизации параметров электрических моделей полупроводниковых приборов продемонстрирована на примерах экстракции SPICE-параметров моделей BSIM4 и HiSIM2 для МОП-транзисторов стандартной конструкции, изготовленных по технологии, обеспечивающей минимальную длину канала 90 нм.

The technique of extraction and identification of electrical models parameters for nanoscale semiconductor devices based on optimization methods application is developed. The proposed approach efficiency to identification, extraction and optimization of parameters of semiconductor devices electrical models is demonstrated by examples of BSIM4 and HiSIM2 models SPICE parameters extraction for standard design MOS transistors manufactured using the technology providing minimum channel length of 90 nm.

электрическая модельэкстракция параметровоптимизациянаноразмерный МОП-транзисторelectrical modelparameters extractionoptimizationnanoscale MOSFETReferencesДенисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М.: Физматлит, 2010. 408 с.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М.: Физматлит, 2010. 408 с.BSIM4v4.7 MOSFET Model. User’s Manual / C. Hu [et. al.]. Berkeley: Department of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California, 2011. 184 p.BSIM4v4.7 MOSFET Model. User’s Manual / C. Hu [et. al.]. Berkeley: Department of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California, 2011. 184 p.The HiSIM compact model family for integrated devices containing a surface-potential MOSFET core / H.J. Mattausch [et al.] // Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, 2008 (MIXDES 2008). P. 39-50.The HiSIM compact model family for integrated devices containing a surface-potential MOSFET core / H.J. Mattausch [et al.] // Mixed Design of Integrated Circuits and Systems, 2008 (MIXDES 2008). P. 39-50.Iino Y.A Trial Report: HiSIM-1.2 Parameter Extraction for 90 nm Technology // 2004 Workshop on Compact Modeling (WCM 2004). 2004. P. 147-150.Iino Y.A Trial Report: HiSIM-1.2 Parameter Extraction for 90 nm Technology // 2004 Workshop on Compact Modeling (WCM 2004). 2004. P. 147-150.HiSIM 2.8.0 User’s Manual / M. Miura-Mattausch [et al.]. Hiroshima: Hiroshima University, 2014. 113 p.HiSIM 2.8.0 User’s Manual / M. Miura-Mattausch [et al.]. Hiroshima: Hiroshima University, 2014. 113 p.Well-Tempered Bulk-Si 90 nm NMOSFET Device / D. Antoniadis [et al.] [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 15.03.2017.Well-Tempered Bulk-Si 90 nm NMOSFET Device / D. Antoniadis [et al.] [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 15.03.2017.Чан Туан Чунг, Боровик А.М., Стемпицкий В.Р. Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой модели // Докл. БГУИР. 2014. № 8 (86). С. 11-17.Чан Туан Чунг, Боровик А.М., Стемпицкий В.Р. Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой модели // Докл. БГУИР. 2014. № 8 (86). С. 11-17.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.