INFLUENCE OF GAMMA RADIATION ON MOS/SOI TRANSISTORS
Abstract
The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.
About the Authors
Yu. V. Bogatyrev
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
S. B. Lastovsky
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
S. A. Soroka
НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл»
Беларусь
Беларусь
S. V. Shwedov
НТЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл»
Беларусь
Беларусь
D. A. Ogorodnikov
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
References
1. Claeys C., Simoen E. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin, 2002.
2. Barnaby H.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006. Vol. 53. P. 3103-3121.
3. Colinge J.P. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997.
4. Revesz A.G., Hughes H.L. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices / Ed. by J.P. Colinge, et. al. Kluwer Academic Publishers, 1995.
5. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М., 2004.
6. Liu S.T., Fechner P.E., Jenkins W.C., et. al. // Electrochemical Society Proceedings. 2001. Vol. 3. P. 121-126.
7. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.
8. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.
9. SILVACO International. ATLAS User’s Manual. Device Simulation Software. [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http: // www.silvaco.com. - Дата доступа: 11.08.2015.
Review
For citations:
Bogatyrev Yu.V., Lastovsky S.B., Soroka S.A., Shwedov S.V., Ogorodnikov D.A. INFLUENCE OF GAMMA RADIATION ON MOS/SOI TRANSISTORS. Doklady BGUIR. 2016;(3):75-80. (In Russ.)
Views:
567
JATS XML
Email this article 