bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-653Research ArticleСтатьиЮ.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВINFLUENCE OF GAMMA RADIATION ON MOS/SOI TRANSISTORSБогатыревЮ. В.BogatyrevYu. V.noemail@neicon.ruЛастовскийС. Б.LastovskyS. B.noemail@neicon.ruСорокаС. А.SorokaS. A.noemail@neicon.ruШведовС. В.ShwedovS. V.noemail@neicon.ruОгородниковД. А.OgorodnikovD. A.noemail@neicon.ruНаучно-практический центр НАН Беларуси по материаловедениюBelarusНТЦ «Белмикросистемы» ОАО «Интеграл»Belarus201603062019037580Copyright © Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Сорока С.А., Шведов С.В., Огородников Д.А., 20192019Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Сорока С.А., Шведов С.В., Огородников Д.А.Bogatyrev Y.V., Lastovsky S.B., Soroka S.A., Shwedov S.V., Ogorodnikov D.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/653

Приведены результаты исследований влияния гамма-излучения Со60 на характеристики тестовых МОП/КНИ-транзисторов с различными конструктивно-технологическими особенностями и электрическими режимами.

The results of experimental researches of influence of gamma radiation Со60 on test MOS/SOI transistors with different constructive-technologic features and electrical modes are submitted.

МОП/КНИ-транзисторгамма-излучениерадиационная стойкостьMOS/SOI transistorgamma radiationradiation resistanceReferencesClaeys C., Simoen E. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin, 2002.Claeys C., Simoen E. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin, 2002.Barnaby H.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006. Vol. 53. P. 3103-3121.Barnaby H.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006. Vol. 53. P. 3103-3121.Colinge J.P. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997.Colinge J.P. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997.Revesz A.G., Hughes H.L. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices / Ed. by J.P. Colinge, et. al. Kluwer Academic Publishers, 1995.Revesz A.G., Hughes H.L. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices / Ed. by J.P. Colinge, et. al. Kluwer Academic Publishers, 1995.Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М., 2004.Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М., 2004.Liu S.T., Fechner P.E., Jenkins W.C., et. al. // Electrochemical Society Proceedings. 2001. Vol. 3. P. 121-126.Liu S.T., Fechner P.E., Jenkins W.C., et. al. // Electrochemical Society Proceedings. 2001. Vol. 3. P. 121-126.Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.SILVACO International. ATLAS User’s Manual. Device Simulation Software. [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http: // www.silvaco.com. - Дата доступа: 11.08.2015.SILVACO International. ATLAS User’s Manual. Device Simulation Software. [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http: // www.silvaco.com. - Дата доступа: 11.08.2015.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.